ウエハ加工用テープ
【課題】ダイシング時の切削屑の発生と隣接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピッ
クアップミスを抑制することが可能な半導体ウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム１２ａ上に粘着剤層１２ｂが積層されたウエハ加工用粘着テー
プ１０であって、粘着剤層１２ｂの厚みが１ｕｍ以上１０ｕｍ未満であり、８０℃におけ
る粘着剤層１２ｂのｔａｎδ（Ａ）が、０．０５以上０．２０以下であり、かつピックア
ップ工程に供される状態での２５℃における粘着剤層１２ｂのｔａｎδ（Ｂ）が０．１５
以上０．２５以下あり、さらに、ｔａｎδ（Ａ）とｔａｎδ（Ｂ）との比であるｔａｎδ
（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．３０以上０．７７以下とであることを特徴とする。
クアップミスを抑制することが可能な半導体ウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム１２ａ上に粘着剤層１２ｂが積層されたウエハ加工用粘着テー
プ１０であって、粘着剤層１２ｂの厚みが１ｕｍ以上１０ｕｍ未満であり、８０℃におけ
る粘着剤層１２ｂのｔａｎδ（Ａ）が、０．０５以上０．２０以下であり、かつピックア
ップ工程に供される状態での２５℃における粘着剤層１２ｂのｔａｎδ（Ｂ）が０．１５
以上０．２５以下あり、さらに、ｔａｎδ（Ａ）とｔａｎδ（Ｂ）との比であるｔａｎδ
（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．３０以上０．７７以下とであることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハのダイシング工程、ピックアップ工程、ダイボンディング工程
等において使用されるウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハを半導体チップ単位に切断分離（ダイシング
）する工程、分離された半導体チップをピックアップする工程、さらにピックアップされ
たチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング（マウント）
工程が実施される。
【０００３】
近年、上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、例えば、基
材フィルム上に粘着剤層が設けられたウエハ加工用テープや、粘着剤層の上にさらに接着
剤層が積層された構造を有するウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンドフィルム：Ｄ
ＤＦ）が提案され、既に実用化されている。
【０００４】
上記ダイシングダイボンドフィルムを使用した場合、ダイシング工程において、ダイシ
ングダイボンドフィルムから糸状屑が発生し、半導体チップやダイシングダイボンドフィ
ルムに付着し、ダイボンディング工程、ワイヤーボンド工程に於いて、パッケージ基板や
リードフレーム、又は半導体チップ上に付着し、作業性を著しく低下させるだけでなく、
半導体チップの信頼性も低下させる等の問題があった。このような問題を解決するため、
粘着剤層の厚みを大きくし、ダイシング時の切込み深さを粘着剤層で止め、基材フィルム
を切断しないことにより糸状屑の発生を防止するようにしたウエハ加工用テープが提案さ
れている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３５８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、半導体装置の製造工程に上述したようなウエハ加工用テープを使用した
場合、粘着剤層の厚みが大きいことから、ダイシング時に隣接する半導体チップの間に、
粘着剤層を多く含む切削屑が発生してしまい、この切削屑を介して隣接するチップ同士が
くっつき、半導体チップのピックアップ工程において半導体チップをピックアップできな
いという不具合や、隣接した複数の半導体チップを一緒にピックアップしてしまうという
不具合（ダブルダイ）が発生するという問題があった。特に、粘着剤層として放射線硬化
型粘着剤層を用いた場合、次工程の放射線照射工程において、半導体チップ同士がくっつ
いたまま、粘着剤の硬化が起こり、切断分離した半導体チップ同士が固着するため、より
ピックアップミスが発生していた。また特に、接着剤層の厚さが４０μｍ以上のウエハ加
工用テープを使用したときに上述の不具合が多く発生していた。
【０００７】
そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、ダイシング
時の切削屑の発生と隣接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピックアップ工程におけ
るダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制す
ることが可能なウエハ加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係るウエハ加工用テープは、基材フィルム上に粘着
剤層が積層されたウエハ加工用粘着テープであって、前記粘着剤層の厚みが１ｕｍ以上１
０ｕｍ未満であり、８０℃における粘着剤層のｔａｎδ（Ａ）が、０．０５以上０．２０
以下であり、かつピックアップ工程に供される状態での２５℃における粘着剤層のｔａｎ
δ（Ｂ）が０．１５以上０．２５以下あり、さらに、前記ｔａｎδ（Ａ）とｔａｎδ（Ｂ
）との比であるｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．３０以上０．７７以下とであるこ
とを特徴とする。
【０００９】
上記ウエハ加工用テープにおいて、前記粘着剤層の前記基材フィルムとは反対側には、
接着剤層がさらに積層されていてもよい。
【００１０】
上記ウエハ加工用テープにおいて、粘着剤層は、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ
）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピ
ルアクリレートおよび／または２−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位
とを含み、該（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が５質
量％以上９９．５質量％以下含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋され
たものとするとよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のウエハ加工用テープを使用することにより、ダイシング時の切削屑の発生と隣
接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピックアップ工程におけるダブルダイの発生や
半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制することができる。特に
、上述の不具合が発生し易い、接着剤層の厚さが４０μｍ以上の場合において、ダイシン
グ時の切削屑の発生と隣接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピックアップ工程にお
けるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制
することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープの構成を模式的に示す断面図である。
【図２】ウエハ加工用テープ上に半導体ウエハおよびウエハリングを貼り合せた状態を模式的に示す説明図である。
【図３】ダイシング工程を模式的に説明するための説明図である。
【図４】エキスパンド工程を模式的に説明するための説明図である。
【図５】ピックアップ工程を模式的に説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１に示すように、本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０は、フィルム状の基材フ
ィルム１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着フィルム１２と、この
粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。このように、ウエハ加工用テ
ープ１０では、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂと接着剤層１３とがこの順に形成さ
れている。
【００１４】
なお、粘着剤層１２ｂは一層の粘着剤層により構成されていてもよいし、二層以上の粘
着剤層が積層されたもので構成されていてもよい。また、図１においては、接着剤層１３
を保護するため、剥離ライナー１１がウエハ加工用テープ１０に設けられている様子が示
されている。
【００１５】
粘着フィルム１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断
（プリカット）されていてもよい。本発明のウエハ加工用テープ１０は、半導体ウエハ１
枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のフィルムをロール状に巻き取
った形態とを含む。
【００１６】
以下、本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。
（接着剤層）
接着剤層１３は、半導体ウエハ１等が貼り合わされてダイシングされた後、半導体チッ
プ２をピックアップする際に、粘着フィルム１２から剥離して半導体チップ２に付着し、
半導体チップ２を基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものであ
る。従って、接着剤層１３は、ピックアップ工程において、個片化された半導体チップ２
に付着したままの状態で、粘着フィルム１２から剥離することができる剥離性を有し、さ
らに、ダイボンディング工程において、半導体チップ２を基板やリードフレームに接着固
定するために、十分な接着信頼性を有するものである。
【００１７】
接着剤層１３は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用され
る公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂
、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹
脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
アクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チッ
プやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチ
タンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。
【００１８】
接着剤層１３の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ま
しい。また、接着剤層１３は粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂの全面に積層してもよい
が、予め貼り合わされる半導体ウエハ１に応じた形状に切断された（プリカットされた）
接着剤層１３を粘着剤層１２ｂの一部に積層してもよい。半導体ウエハ１に応じた形状に
切断された接着剤層１３を積層した場合、図２に示すように、半導体ウエハ１が貼り合わ
される部分には接着剤層１３があり、ダイシング用のリングフレーム２０が貼り合わされ
る部分には接着剤層１３がなく粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂのみが存在する。一般
に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤層１３を使用す
ることで、リングフレーム２０は粘着フィルム１２に貼り合わすことができ、使用後のフ
ィルム剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
【００１９】
（粘着フィルム）
粘着フィルム１２は、半導体ウエハ１をダイシングする際には半導体ウエハ１が剥離し
ないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップ２をピックアップする際に
は容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。本実施形態に
おいて、粘着フィルム１２は、図１に示すように、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂ
を設けたものを使用した。
【００２０】
粘着フィルム１２のフィルム状の基材フィルム１２ａとしては、従来公知のものであれ
ば特に制限することなく使用することができる。尚、粘着剤層２が放射線硬化型の場合に
はＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。
【００２１】
例えば、基材フィルム１２ａの材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン
−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル
共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重
合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテ
ン共重合体もしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性
エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１２
ａはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又
は複層化されたものでもよい。基材フィルム１２ａの厚さは、特に限定されるものではな
く、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。
【００２２】
粘着剤層には、放射線硬化型もしくは感圧型の粘着剤を用いる。熱硬化性の接着剤層を
積層するため、熱硬化型の粘着剤は用いない。
【００２３】
粘着剤層１２ｂの樹脂には、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよ
び／または２−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、該（メタ
）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が５質量％以上９９．５質
量％以下、好ましくは３０質量％以上〜９７質量％以下含まれる共重合体が、イソシアネ
ート化合物により架橋されたものを使用する。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノ
マーから導かれる構成単位が多すぎると粘着剤の架橋点が少なくなり、十分な特性を得る
ことができず、少なすぎると粘着剤組成物を混合し、基材フィルムに塗布するまでのポッ
トライフが短くなり、本発明のウエハ加工用粘着テープを製造する場合に支障が生じる。
ここで、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー
としては、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル
酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリ
ル酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−メチルブチル、（メタ）アクリル酸２
−エチルブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチ
ルヘキシル、（メタ）アクリル酸１，２−ジメチルブチル、（メタ）アクリル酸ラウリル
などが挙げられ、その中でも特にアルキル基の炭素数が８以上のものが好ましい。
【００２４】
また、架橋性の官能基含有モノマーとして、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよ
び／または２−ヒドロキシブチルアクリレートが用いられる。粘着剤を構成する共重合体
において、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよび／または２−ヒドロキシブチルア
クリレートから導かれる構成単位が、３質量％以上３０質量％以下含まれていることが好
ましい。
【００２５】
また、上記粘着剤を構成する共重合体の水酸基価は、１０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇが好
ましく、１５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇがさらに好ましい。
【００２６】
本実施の形態においては、粘着剤を構成する共重合体は、イソシアネート化合物により
架橋されている。
イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタ
ンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４
′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシ
フェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロ
ンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−
ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシ
アネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートＬ（商品名、日本ポリ
ウレタン社製）等を用いることができる。
【００２７】
本発明において、粘着剤層１２ｂ中、イソシアネート化合物の含有量は、共重合体１０
０質量部に対して、０．１〜１２質量部が好ましく、さらに好ましくは０．５〜１２質量
部である。
【００２８】
粘着剤層１２ｂは、上記ものに限定されることはなく、通常、粘着剤に使用される公
知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、
エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹脂、シリコンアクリレート樹脂、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アク
リル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリイソプレンやスチレン・ブ
タジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマー等やその混合物に、放射線重合
性化合物を適宜配合して粘着剤を調製してよい。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を
加えてもよい。
【００２９】
放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭
素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物や、光重合性炭素−炭素二
重結合基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、トリメチロー
ルプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート
、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレ
ート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート
や、オリゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリ
ル酸エステル類の共重合体等が適用可能である。
【００３０】
また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマ
ーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型または
ポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４
−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレン
ジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジ
イソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピル
アクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリ
レート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘
着剤層１２ｂには、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。
【００３１】
なお、粘着剤層１２ｂの樹脂には、放射線を粘着フィルム１２に照射して粘着剤層１２
ｂを硬化させる放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を
適宜配合して粘着剤層１２ｂを調製することもできる。
【００３２】
光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベ
ンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシ
ルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチ
ルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェ
ニルプロパン等を使用することができる。
【００３３】
前記粘着剤層１２ｂの樹脂は、その厚さが１μｍ以上１０μｍ未満、好ましくは５μｍ
以上９μｍ以下である。また、８０℃における粘着剤層１２ｂのｔａｎδ（Ａ）が、０．
０５以上０．２０以下であり、かつピックアップ工程に供される状態での２５℃における
粘着剤層１２ｂのｔａｎδ（Ｂ）が０．１５以上０．２５以下であり、さらに、ｔａｎδ
（Ａ）とｔａｎδ（Ｂ）との比であるｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．３０以上０
．７７以下である。ここで、「ピックアップ工程に供される状態での」とは、放射線硬化
型の粘着フィルム１２を用いる場合、放射線の照射により硬化した後の状態であることを
意味する。
【００３４】
ダイシングブレードを使用して半導体ウエハを半導体チップ単位に切断するブレードダ
イシングでは、通常、ダイシングブレードによる切り込みは、粘着フィルム１２まで達す
る。その為、粘着剤層の厚みが１０μｍ以上になると、ダイシング工程において粘着剤を
含む切削屑多く発生する。また、８０℃における粘着剤層のｔａｎδ（Ａ）が０．０５未
満であると、粘着力が高すぎ、ダイシングブレードに粘着剤が絡みダイシング不良が起こ
りやすくなる。ｔａｎδ（Ａ）が０．２０を超えると、ダイシング工程においてチップ飛
びが生じてしまう。また、ピックアップ工程に供される状態での２５℃における粘着剤層
１２ｂのｔａｎδ（Ｂ）が０．１５未満であると、ピックアップ工程において、粘着剤層
１２ｂと接着剤層１３との間で剥離ができず、ピックアップミスが生じる。ｔａｎδ（Ｂ
）が０．２５を超えると、ピックアップ時に粘着剤が硬すぎ、ピン突上げ時のピン応答性
が悪く、ピックアップミスが生じる。また、ｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．３０
未満であると、ダイシング工程で生じた粘着剤を含む切削屑が、隣接するチップ間で固ま
ってしまうため、ピックアップミスが生じる。ｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．７
７を超えると、発生した切削屑が隣接するチップ間で融着してしまい、ピックアップミス
が生じる。
【００３５】
ｔａｎδ（Ａ）およびｔａｎδ（Ｂ）について、その値を上記範囲とするとともに、ｔ
ａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が上記範囲に含まれるように調整するためには、下記のよ
うにするとよい。ｔａｎδ（Ａ）を上げるためには、例えば、共重合体組成物中のブチル
アクリレートから導かれる構成単位を増やし、２−ヒドロキシプロピルアクリレートから
導かれる構成単位を減らすとよく、ｔａｎδ（Ａ）を下げるためには、その逆を行うとよ
い。また、放射線硬化型の場合には、ブチルアクリレートから導かれる構成単位とアクリ
ル酸から導かれる構成単位を増やし、２−ヒドロキシプロピルアクリレートから導かれる
構成単位を減らすとよく、ｔａｎδ（Ａ）を下げるためには、その逆を行うとよい。ｔａ
ｎδ（Ｂ）を上げるためには、例えば、架橋剤を増やす、あるいはアクリル酸から導かれ
る構成単位を減らすとよく、ｔａｎδ（Ｂ）を下げるためには、その逆を行うとよい。ま
た、放射線硬化型の場合は、光開始剤等の反応剤を増やすとｔａｎδ（Ｂ）は上がる。さ
らには、放射線を照射する際に、照度を大きく、時間を長くすることによりｔａｎδ（Ｂ
）を上げることもできる。
【００３６】
（ウエハ加工用テープの使用方法）
半導体装置の製造工程の中で、ウエハ加工用テープ１０は、以下のように使用される。
図２においては、ウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハ１とリングフレーム２０とが
貼り合わされた様子が示されている。まず、図２に示すように、粘着フィルム１２の粘着
剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付け、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わ
せる。これらの貼り付け順序に制限はなく、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせ
た後に粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付けてもよい。ま
た、粘着フィルム１２のリングフレーム２０への貼り付けと、半導体ウエハ１の接着剤層
１３への貼り合わせとを、同時に行っても良い。
【００３７】
そして、図３に示すように、半導体ウエハ１のダイシング工程を実施し、次いで、粘着
フィルム１２が放射線線硬化型である場合には、粘着フィルム１２に放射線を照射する工
程を実施する。具体的には、ダイシングブレード２１によって半導体ウエハ１と接着剤層
１３とをダイシングするため、吸着ステージ２２により、ウエハ加工用テープ１０を粘着
フィルム１２の下面側から吸着支持する。そして、ダイシングブレード２１によって半導
体ウエハ１と接着剤層１３を半導体チップ２単位に切断して個片化する。その後、粘着フ
ィルム１２が放射線硬化型である場合には、粘着フィルム１２の下面側から放射線を照射
して、粘着剤層１２ｂを硬化させてその粘着力を低下させる。粘着剤層１２ｂが二層以上
の粘着剤層により積層されて構成されている場合、各粘着剤層の内の一層又は全層を放射
線照射によって硬化させて、各粘着剤層の内の一層又は全層の粘着力を低下させても良い
。
【００３８】
その後、図４に示すように、ダイシングされた半導体チップ２及び接着剤層１３を保持
した粘着フィルム１２をリングフレーム２０の径方向と周方向に引き伸ばすエキスパンド
工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップ２及び接着剤層１３
を保持した状態の粘着フィルム１２に対して、中空円柱形状の突き上げ部材３０を、粘着
フィルム１２の下面側から上昇させ、粘着フィルム１２をリングフレーム２０の径方向と
周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、半導体チップ２同士の間隔を広げ、ＣＣ
Ｄカメラ等による半導体チップ２の認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接す
る半導体チップ２同士が接触することによって生じる半導体チップ２同士の再接着を防止
することができる。
【００３９】
エキスパンド工程を実施した後、図５に示すように、粘着フィルム１２をエキスパンド
した状態のままで、半導体チップ２をピックアップするピックアップ工程を実施する。具
体的には、粘着フィルム１２の下面側から半導体チップ２をピン３１によって突き上げる
とともに、粘着フィルム１２の上面側から吸着冶具３２で半導体チップ２を吸着すること
で、個片化された半導体チップ２を接着剤層１３とともにピックアップする。
【００４０】
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的に
は、ピックアップ工程で半導体チップ２とともにピックアップされた接着剤層１３により
、半導体チップ２をリードフレームやパッケージ基板等に接着する。
（実施例）
【００４１】
次に、本発明の実施例について説明する。尚、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではない。
【００４２】
［実施例１〜３および比較例１〜３］
下記のように、表３に示すような実施例１〜３、比較例１〜３の各ウエハ加工用テープ
を作製し、評価試験をおこなった。
【００４３】
（基材フィルム）
基材フィルム１Ａ〜１Ｂとして、下記の表１に示す厚さ７０〜１００μｍのフィルム状
の基材フィルムを使用した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
（粘着剤層組成物の調製）
＜粘着剤組成物２Ａ＞
アクリル酸２−エチルヘキシルから導かれる構成単位が７７質量％、２−ヒドロキシプ
ロピルアクリレートから導かれる構成単位を２３質量％含む共重合体１００質量部に対し
て、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を１０質量部含む粘着剤組成物
２Ａを調製した。
【００４６】
＜粘着剤組成物２Ｂ＞
粘着剤組成物２Ａの組成において、架橋剤コロネートＬを１２質量部とし、粘着剤組成物
２Ｂを得た。
【００４７】
＜粘着剤組成物２Ｃ＞
ブチルアクリレートから導かれる構成単位が６５質量％、２−ヒドロキシプロピルアク
リレートから導かれる構成単位を２５質量％、アクリル酸から導かれる構成単位としてト
リメチロールプロパントリアクリレート１０質量％を含む共重合体１００質量部に対して
、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤組成物２Ｃ
を調製し、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを１質量部
含む、粘着剤組成物２Ｃを得た。
【００４８】
＜粘着剤組成物２Ｄ＞
ブチルアクリレートから導かれる構成単位が６５質量％、２−ヒドロキシエチルアクリ
レートから導かれる構成単位を２５質量％、アクリル酸から導かれる構成単位としてトリ
メチロールプロパントリアクリレートを１０質量％を含む共重合体１００質量部に対して
、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を３質量部含む粘着剤組成物２Ｃ
を調製し、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを１質量部
含む、粘着剤組成物２Ｄを得た。
【００４９】
＜粘着剤組成物２Ｅ＞
粘着剤組成物２Ｄの組成において、架橋剤コロネートＬを２質量部とし、粘着剤組成物
２Ｅを得た。
【００５０】
上記粘着剤層組成物２Ａ〜２Ｅを、基材フィルム１Ａ〜１Ｂに、乾燥膜厚が６〜１０μ
ｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着フィルム１２を作製した。
【００５１】
（接着剤層組成物の調製）
＜接着剤層組成物３Ａ＞
接着剤層組成物３Ａは、エポキシーアクリル系接着剤組成物である。エポキシ樹脂５５
質量部、フェノール樹脂４５質量部、シランカップリング剤（１）１．７質量部、シラン
カップリング剤（２）３．２質量部、フィラー３２質量部からなる組成物に、シクロヘキ
サノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分混練した。これにグリシジル
アクリレート又はグリシジルメタクリレート３重量％を含むアクリルゴムＨＴＲ−８６０
Ｐ−３（ナガセケムテックス（株）製商品名、重量平均分子量８０万）を２８０質量部、
及び硬化促進剤０．５質量部加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤層組成物３Ａを得た
。尚、エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、分子量１２００、軟化点８０℃）を用い、
フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、下記式（１）
で表されるフェノール樹脂、水酸基当量１７５、吸水率１．８％、３５０℃における加熱
重量減少率４％）を用いた。また、シランカップリング剤（１）としてＮＵＣ Ａ−１８
９（日本ユニカー（株）製商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）を用い
、シランカップリング剤（２）としてＮＵＣ Ａ−１１６０（日本ユニカー（株）製商品
名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）を用いた。また、フィラーとしてアエロ
ジルＲ９７２（シリカ表面にジメチルジクロロシランを被覆し、４００℃の反応器中で加
水分解させた、メチル基などの有機基を表面に有するフィラー、日本アエロジル（株）製
商品名、シリカ、平均粒径０．０１６μｍ）を用いた。また、硬化促進剤としてキュアゾ
ール２ＰＺ−ＣＮ（四国化成（株）製商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾ
ール）を用いた。
【００５２】
【化１】
【００５３】
上記接着剤層組成物３Ａを、厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１４０℃で５分間乾燥して、膜厚が６０μｍのＢステー
ジ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作製した。
【００５４】
作製した粘着フィルム１２及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍ
の円形にカットし、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂと接着フィルムの接着剤層１３と
を貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層１３から剥離し、下
記の表２に示す実施例１〜３に係るウエハ加工用テープ１０、比較例１〜３に係るウエハ
加工用テープを得た。
【００５５】
【表２】
【００５６】
（特性試験）
上記のようにして作成した粘着フィルム１２について、それぞれ以下に記載のとおり試
験を行った。試験結果を合わせて表２に示した。
＜ｔａｎδ＞
作成した実施例、比較例に係るウエハ加工用テープの粘着剤層１２ｂについて、粘弾性
計（レオメトリックサイエンス社製、商品名：ＡＲＥＳ）を用いて、０℃から測定を開始
し昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで損失正接を測定し、８０℃に達した時点での損失正
接をそれぞれの８０℃におけるｔａｎδ（Ａ）とした。また、作成した実施例、比較例に
係るウエハ加工用テープの粘着剤層１２ｂについて、紫外線硬化型の粘着フィルムの場合
はこれに紫外線を照射したものを試験片とし、粘弾性計（レオメトリックサイエンス社製
、商品名：ＡＲＥＳ）を用いて、０℃から測定を開始し昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ
で、損失正接を測定し、２５℃に達した時点での損失正接をそれぞれピックアップ工程に
供される状態での２５℃におけるｔａｎδ（Ｂ）とした。さらにｔａｎδ（Ａ）とｔａｎ
δ（Ｂ）の比Ａ／Ｂを算出した。
【００５７】
＜ピックアップ成功率＞
作成したウエハ加工用テープを８０℃×１０秒でウエハへ加熱貼合した後、１０ｍｍ×
１０ｍｍにダイシングした。その後、の粘着フィルムの場合はそのまま、紫外線硬化型の
粘着フィルムの場合は粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１
０ｃｍ）により５０〜１００ｍＪ／ｃｍ 2となるよう 照射した後、ダイボンダー装置（
ＮＥＣマシナリー製、商品名ＣＰＳ−１００ＦＭ）によるピックアップ試験を行い、ピッ
クアップチップ１００個でのピックアップ成功率を求めた。
【００５８】
表２からわかるように、本発明の実施例１〜３では、ピックアップ成功率が１００％で
あった。これらの結果から、本発明のウエハ貼着用粘着テープは、ダイシングの際にはダ
イシングテープとして使用でき、マウントの際には接着剤層を容易に剥離して使用でき、
ダイシング時の切削屑の発生と隣接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピックアップ
工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発
生を抑制できることがわかる。
【００５９】
比較例１をみると、８０℃におけるｔａｎδ（Ａ）が０．２６、ピックアップ工程時の
ｔａｎδ（Ｂ）が０．３２、ｔａｎδ比が０．８であり、ピックアップ工程に供される状
態での２５℃における０％である。ダイシング時、ピックアップ時のｔａｎδが大きく切
削性を悪化させ、ダイシング時に発生した切削屑が隣接する半導体チップ同士を固着させ
たため、ピックアップ性を低下させた。
【００６０】
比較例２をみると、８０℃におけるｔａｎδが０．２１、ピックアップ工程に供される
状態での２５℃におけるｔａｎδが０．２５、ｔａｎδ比が０．８であり、ピックアップ
性は３５％である。ピックアップ時のｔａｎδが大きく、ダイシング時に発生した切削屑
が隣接する半導体チップ同士を固着させたため、ピックアップ性を低下させた。
【００６１】
比較例３をみると、８０℃におけるｔａｎδが０．０２、ピックアップ工程に供される
状態での２５℃におけるｔａｎδが０．２２、ｔａｎδ比が０．１であり、ピックアップ
性は３５％である。ダイシング時のｔａｎδが小さく切削性を悪化させ、ダイシング時に
発生した切削屑が隣接する半導体チップ同士を固着させたため、ピックアップ性を低下さ
せた。
【００６２】
以上のことより、本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を使用することにより、ピ
ックアップ工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという
不具合の発生を抑制できる。
【符号の説明】
【００６３】
１：半導体ウエハ
２：半導体チップ
１０：ウエハ加工用テープ
１２ａ：基材フィルム
１２ｂ：粘着剤層
１２：粘着フィルム
１３：接着剤層
２０：リングフレーム
２１：ダイシングブレード
２２：吸着ステージ
３０：突き上げ部材
３１：ピン
３２：吸着冶具
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハのダイシング工程、ピックアップ工程、ダイボンディング工程
等において使用されるウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハを半導体チップ単位に切断分離（ダイシング
）する工程、分離された半導体チップをピックアップする工程、さらにピックアップされ
たチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング（マウント）
工程が実施される。
【０００３】
近年、上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、例えば、基
材フィルム上に粘着剤層が設けられたウエハ加工用テープや、粘着剤層の上にさらに接着
剤層が積層された構造を有するウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンドフィルム：Ｄ
ＤＦ）が提案され、既に実用化されている。
【０００４】
上記ダイシングダイボンドフィルムを使用した場合、ダイシング工程において、ダイシ
ングダイボンドフィルムから糸状屑が発生し、半導体チップやダイシングダイボンドフィ
ルムに付着し、ダイボンディング工程、ワイヤーボンド工程に於いて、パッケージ基板や
リードフレーム、又は半導体チップ上に付着し、作業性を著しく低下させるだけでなく、
半導体チップの信頼性も低下させる等の問題があった。このような問題を解決するため、
粘着剤層の厚みを大きくし、ダイシング時の切込み深さを粘着剤層で止め、基材フィルム
を切断しないことにより糸状屑の発生を防止するようにしたウエハ加工用テープが提案さ
れている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３５８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、半導体装置の製造工程に上述したようなウエハ加工用テープを使用した
場合、粘着剤層の厚みが大きいことから、ダイシング時に隣接する半導体チップの間に、
粘着剤層を多く含む切削屑が発生してしまい、この切削屑を介して隣接するチップ同士が
くっつき、半導体チップのピックアップ工程において半導体チップをピックアップできな
いという不具合や、隣接した複数の半導体チップを一緒にピックアップしてしまうという
不具合（ダブルダイ）が発生するという問題があった。特に、粘着剤層として放射線硬化
型粘着剤層を用いた場合、次工程の放射線照射工程において、半導体チップ同士がくっつ
いたまま、粘着剤の硬化が起こり、切断分離した半導体チップ同士が固着するため、より
ピックアップミスが発生していた。また特に、接着剤層の厚さが４０μｍ以上のウエハ加
工用テープを使用したときに上述の不具合が多く発生していた。
【０００７】
そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、ダイシング
時の切削屑の発生と隣接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピックアップ工程におけ
るダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制す
ることが可能なウエハ加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係るウエハ加工用テープは、基材フィルム上に粘着
剤層が積層されたウエハ加工用粘着テープであって、前記粘着剤層の厚みが１ｕｍ以上１
０ｕｍ未満であり、８０℃における粘着剤層のｔａｎδ（Ａ）が、０．０５以上０．２０
以下であり、かつピックアップ工程に供される状態での２５℃における粘着剤層のｔａｎ
δ（Ｂ）が０．１５以上０．２５以下あり、さらに、前記ｔａｎδ（Ａ）とｔａｎδ（Ｂ
）との比であるｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．３０以上０．７７以下とであるこ
とを特徴とする。
【０００９】
上記ウエハ加工用テープにおいて、前記粘着剤層の前記基材フィルムとは反対側には、
接着剤層がさらに積層されていてもよい。
【００１０】
上記ウエハ加工用テープにおいて、粘着剤層は、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ
）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピ
ルアクリレートおよび／または２−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位
とを含み、該（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が５質
量％以上９９．５質量％以下含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋され
たものとするとよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のウエハ加工用テープを使用することにより、ダイシング時の切削屑の発生と隣
接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピックアップ工程におけるダブルダイの発生や
半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制することができる。特に
、上述の不具合が発生し易い、接着剤層の厚さが４０μｍ以上の場合において、ダイシン
グ時の切削屑の発生と隣接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピックアップ工程にお
けるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制
することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープの構成を模式的に示す断面図である。
【図２】ウエハ加工用テープ上に半導体ウエハおよびウエハリングを貼り合せた状態を模式的に示す説明図である。
【図３】ダイシング工程を模式的に説明するための説明図である。
【図４】エキスパンド工程を模式的に説明するための説明図である。
【図５】ピックアップ工程を模式的に説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１に示すように、本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０は、フィルム状の基材フ
ィルム１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着フィルム１２と、この
粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。このように、ウエハ加工用テ
ープ１０では、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂと接着剤層１３とがこの順に形成さ
れている。
【００１４】
なお、粘着剤層１２ｂは一層の粘着剤層により構成されていてもよいし、二層以上の粘
着剤層が積層されたもので構成されていてもよい。また、図１においては、接着剤層１３
を保護するため、剥離ライナー１１がウエハ加工用テープ１０に設けられている様子が示
されている。
【００１５】
粘着フィルム１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断
（プリカット）されていてもよい。本発明のウエハ加工用テープ１０は、半導体ウエハ１
枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のフィルムをロール状に巻き取
った形態とを含む。
【００１６】
以下、本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。
（接着剤層）
接着剤層１３は、半導体ウエハ１等が貼り合わされてダイシングされた後、半導体チッ
プ２をピックアップする際に、粘着フィルム１２から剥離して半導体チップ２に付着し、
半導体チップ２を基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものであ
る。従って、接着剤層１３は、ピックアップ工程において、個片化された半導体チップ２
に付着したままの状態で、粘着フィルム１２から剥離することができる剥離性を有し、さ
らに、ダイボンディング工程において、半導体チップ２を基板やリードフレームに接着固
定するために、十分な接着信頼性を有するものである。
【００１７】
接着剤層１３は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用され
る公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂
、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹
脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
アクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チッ
プやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチ
タンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。
【００１８】
接着剤層１３の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ま
しい。また、接着剤層１３は粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂの全面に積層してもよい
が、予め貼り合わされる半導体ウエハ１に応じた形状に切断された（プリカットされた）
接着剤層１３を粘着剤層１２ｂの一部に積層してもよい。半導体ウエハ１に応じた形状に
切断された接着剤層１３を積層した場合、図２に示すように、半導体ウエハ１が貼り合わ
される部分には接着剤層１３があり、ダイシング用のリングフレーム２０が貼り合わされ
る部分には接着剤層１３がなく粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂのみが存在する。一般
に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤層１３を使用す
ることで、リングフレーム２０は粘着フィルム１２に貼り合わすことができ、使用後のフ
ィルム剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
【００１９】
（粘着フィルム）
粘着フィルム１２は、半導体ウエハ１をダイシングする際には半導体ウエハ１が剥離し
ないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップ２をピックアップする際に
は容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。本実施形態に
おいて、粘着フィルム１２は、図１に示すように、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂ
を設けたものを使用した。
【００２０】
粘着フィルム１２のフィルム状の基材フィルム１２ａとしては、従来公知のものであれ
ば特に制限することなく使用することができる。尚、粘着剤層２が放射線硬化型の場合に
はＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。
【００２１】
例えば、基材フィルム１２ａの材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン
−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル
共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重
合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテ
ン共重合体もしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性
エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１２
ａはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又
は複層化されたものでもよい。基材フィルム１２ａの厚さは、特に限定されるものではな
く、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。
【００２２】
粘着剤層には、放射線硬化型もしくは感圧型の粘着剤を用いる。熱硬化性の接着剤層を
積層するため、熱硬化型の粘着剤は用いない。
【００２３】
粘着剤層１２ｂの樹脂には、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ）アクリル酸アルキ
ルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよ
び／または２−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、該（メタ
）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が５質量％以上９９．５質
量％以下、好ましくは３０質量％以上〜９７質量％以下含まれる共重合体が、イソシアネ
ート化合物により架橋されたものを使用する。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノ
マーから導かれる構成単位が多すぎると粘着剤の架橋点が少なくなり、十分な特性を得る
ことができず、少なすぎると粘着剤組成物を混合し、基材フィルムに塗布するまでのポッ
トライフが短くなり、本発明のウエハ加工用粘着テープを製造する場合に支障が生じる。
ここで、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー
としては、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル
酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリ
ル酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−メチルブチル、（メタ）アクリル酸２
−エチルブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチ
ルヘキシル、（メタ）アクリル酸１，２−ジメチルブチル、（メタ）アクリル酸ラウリル
などが挙げられ、その中でも特にアルキル基の炭素数が８以上のものが好ましい。
【００２４】
また、架橋性の官能基含有モノマーとして、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよ
び／または２−ヒドロキシブチルアクリレートが用いられる。粘着剤を構成する共重合体
において、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよび／または２−ヒドロキシブチルア
クリレートから導かれる構成単位が、３質量％以上３０質量％以下含まれていることが好
ましい。
【００２５】
また、上記粘着剤を構成する共重合体の水酸基価は、１０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇが好
ましく、１５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇがさらに好ましい。
【００２６】
本実施の形態においては、粘着剤を構成する共重合体は、イソシアネート化合物により
架橋されている。
イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタ
ンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４
′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシ
フェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロ
ンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−
ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシ
アネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートＬ（商品名、日本ポリ
ウレタン社製）等を用いることができる。
【００２７】
本発明において、粘着剤層１２ｂ中、イソシアネート化合物の含有量は、共重合体１０
０質量部に対して、０．１〜１２質量部が好ましく、さらに好ましくは０．５〜１２質量
部である。
【００２８】
粘着剤層１２ｂは、上記ものに限定されることはなく、通常、粘着剤に使用される公
知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、
エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹脂、シリコンアクリレート樹脂、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アク
リル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリイソプレンやスチレン・ブ
タジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマー等やその混合物に、放射線重合
性化合物を適宜配合して粘着剤を調製してよい。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を
加えてもよい。
【００２９】
放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭
素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物や、光重合性炭素−炭素二
重結合基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、トリメチロー
ルプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート
、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレ
ート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート
や、オリゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリ
ル酸エステル類の共重合体等が適用可能である。
【００３０】
また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマ
ーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型または
ポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４
−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレン
ジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジ
イソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピル
アクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリ
レート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘
着剤層１２ｂには、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。
【００３１】
なお、粘着剤層１２ｂの樹脂には、放射線を粘着フィルム１２に照射して粘着剤層１２
ｂを硬化させる放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を
適宜配合して粘着剤層１２ｂを調製することもできる。
【００３２】
光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベ
ンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシ
ルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチ
ルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェ
ニルプロパン等を使用することができる。
【００３３】
前記粘着剤層１２ｂの樹脂は、その厚さが１μｍ以上１０μｍ未満、好ましくは５μｍ
以上９μｍ以下である。また、８０℃における粘着剤層１２ｂのｔａｎδ（Ａ）が、０．
０５以上０．２０以下であり、かつピックアップ工程に供される状態での２５℃における
粘着剤層１２ｂのｔａｎδ（Ｂ）が０．１５以上０．２５以下であり、さらに、ｔａｎδ
（Ａ）とｔａｎδ（Ｂ）との比であるｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．３０以上０
．７７以下である。ここで、「ピックアップ工程に供される状態での」とは、放射線硬化
型の粘着フィルム１２を用いる場合、放射線の照射により硬化した後の状態であることを
意味する。
【００３４】
ダイシングブレードを使用して半導体ウエハを半導体チップ単位に切断するブレードダ
イシングでは、通常、ダイシングブレードによる切り込みは、粘着フィルム１２まで達す
る。その為、粘着剤層の厚みが１０μｍ以上になると、ダイシング工程において粘着剤を
含む切削屑多く発生する。また、８０℃における粘着剤層のｔａｎδ（Ａ）が０．０５未
満であると、粘着力が高すぎ、ダイシングブレードに粘着剤が絡みダイシング不良が起こ
りやすくなる。ｔａｎδ（Ａ）が０．２０を超えると、ダイシング工程においてチップ飛
びが生じてしまう。また、ピックアップ工程に供される状態での２５℃における粘着剤層
１２ｂのｔａｎδ（Ｂ）が０．１５未満であると、ピックアップ工程において、粘着剤層
１２ｂと接着剤層１３との間で剥離ができず、ピックアップミスが生じる。ｔａｎδ（Ｂ
）が０．２５を超えると、ピックアップ時に粘着剤が硬すぎ、ピン突上げ時のピン応答性
が悪く、ピックアップミスが生じる。また、ｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．３０
未満であると、ダイシング工程で生じた粘着剤を含む切削屑が、隣接するチップ間で固ま
ってしまうため、ピックアップミスが生じる。ｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．７
７を超えると、発生した切削屑が隣接するチップ間で融着してしまい、ピックアップミス
が生じる。
【００３５】
ｔａｎδ（Ａ）およびｔａｎδ（Ｂ）について、その値を上記範囲とするとともに、ｔ
ａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が上記範囲に含まれるように調整するためには、下記のよ
うにするとよい。ｔａｎδ（Ａ）を上げるためには、例えば、共重合体組成物中のブチル
アクリレートから導かれる構成単位を増やし、２−ヒドロキシプロピルアクリレートから
導かれる構成単位を減らすとよく、ｔａｎδ（Ａ）を下げるためには、その逆を行うとよ
い。また、放射線硬化型の場合には、ブチルアクリレートから導かれる構成単位とアクリ
ル酸から導かれる構成単位を増やし、２−ヒドロキシプロピルアクリレートから導かれる
構成単位を減らすとよく、ｔａｎδ（Ａ）を下げるためには、その逆を行うとよい。ｔａ
ｎδ（Ｂ）を上げるためには、例えば、架橋剤を増やす、あるいはアクリル酸から導かれ
る構成単位を減らすとよく、ｔａｎδ（Ｂ）を下げるためには、その逆を行うとよい。ま
た、放射線硬化型の場合は、光開始剤等の反応剤を増やすとｔａｎδ（Ｂ）は上がる。さ
らには、放射線を照射する際に、照度を大きく、時間を長くすることによりｔａｎδ（Ｂ
）を上げることもできる。
【００３６】
（ウエハ加工用テープの使用方法）
半導体装置の製造工程の中で、ウエハ加工用テープ１０は、以下のように使用される。
図２においては、ウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハ１とリングフレーム２０とが
貼り合わされた様子が示されている。まず、図２に示すように、粘着フィルム１２の粘着
剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付け、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わ
せる。これらの貼り付け順序に制限はなく、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせ
た後に粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付けてもよい。ま
た、粘着フィルム１２のリングフレーム２０への貼り付けと、半導体ウエハ１の接着剤層
１３への貼り合わせとを、同時に行っても良い。
【００３７】
そして、図３に示すように、半導体ウエハ１のダイシング工程を実施し、次いで、粘着
フィルム１２が放射線線硬化型である場合には、粘着フィルム１２に放射線を照射する工
程を実施する。具体的には、ダイシングブレード２１によって半導体ウエハ１と接着剤層
１３とをダイシングするため、吸着ステージ２２により、ウエハ加工用テープ１０を粘着
フィルム１２の下面側から吸着支持する。そして、ダイシングブレード２１によって半導
体ウエハ１と接着剤層１３を半導体チップ２単位に切断して個片化する。その後、粘着フ
ィルム１２が放射線硬化型である場合には、粘着フィルム１２の下面側から放射線を照射
して、粘着剤層１２ｂを硬化させてその粘着力を低下させる。粘着剤層１２ｂが二層以上
の粘着剤層により積層されて構成されている場合、各粘着剤層の内の一層又は全層を放射
線照射によって硬化させて、各粘着剤層の内の一層又は全層の粘着力を低下させても良い
。
【００３８】
その後、図４に示すように、ダイシングされた半導体チップ２及び接着剤層１３を保持
した粘着フィルム１２をリングフレーム２０の径方向と周方向に引き伸ばすエキスパンド
工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップ２及び接着剤層１３
を保持した状態の粘着フィルム１２に対して、中空円柱形状の突き上げ部材３０を、粘着
フィルム１２の下面側から上昇させ、粘着フィルム１２をリングフレーム２０の径方向と
周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、半導体チップ２同士の間隔を広げ、ＣＣ
Ｄカメラ等による半導体チップ２の認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接す
る半導体チップ２同士が接触することによって生じる半導体チップ２同士の再接着を防止
することができる。
【００３９】
エキスパンド工程を実施した後、図５に示すように、粘着フィルム１２をエキスパンド
した状態のままで、半導体チップ２をピックアップするピックアップ工程を実施する。具
体的には、粘着フィルム１２の下面側から半導体チップ２をピン３１によって突き上げる
とともに、粘着フィルム１２の上面側から吸着冶具３２で半導体チップ２を吸着すること
で、個片化された半導体チップ２を接着剤層１３とともにピックアップする。
【００４０】
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的に
は、ピックアップ工程で半導体チップ２とともにピックアップされた接着剤層１３により
、半導体チップ２をリードフレームやパッケージ基板等に接着する。
（実施例）
【００４１】
次に、本発明の実施例について説明する。尚、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではない。
【００４２】
［実施例１〜３および比較例１〜３］
下記のように、表３に示すような実施例１〜３、比較例１〜３の各ウエハ加工用テープ
を作製し、評価試験をおこなった。
【００４３】
（基材フィルム）
基材フィルム１Ａ〜１Ｂとして、下記の表１に示す厚さ７０〜１００μｍのフィルム状
の基材フィルムを使用した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
（粘着剤層組成物の調製）
＜粘着剤組成物２Ａ＞
アクリル酸２−エチルヘキシルから導かれる構成単位が７７質量％、２−ヒドロキシプ
ロピルアクリレートから導かれる構成単位を２３質量％含む共重合体１００質量部に対し
て、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を１０質量部含む粘着剤組成物
２Ａを調製した。
【００４６】
＜粘着剤組成物２Ｂ＞
粘着剤組成物２Ａの組成において、架橋剤コロネートＬを１２質量部とし、粘着剤組成物
２Ｂを得た。
【００４７】
＜粘着剤組成物２Ｃ＞
ブチルアクリレートから導かれる構成単位が６５質量％、２−ヒドロキシプロピルアク
リレートから導かれる構成単位を２５質量％、アクリル酸から導かれる構成単位としてト
リメチロールプロパントリアクリレート１０質量％を含む共重合体１００質量部に対して
、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤組成物２Ｃ
を調製し、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを１質量部
含む、粘着剤組成物２Ｃを得た。
【００４８】
＜粘着剤組成物２Ｄ＞
ブチルアクリレートから導かれる構成単位が６５質量％、２−ヒドロキシエチルアクリ
レートから導かれる構成単位を２５質量％、アクリル酸から導かれる構成単位としてトリ
メチロールプロパントリアクリレートを１０質量％を含む共重合体１００質量部に対して
、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を３質量部含む粘着剤組成物２Ｃ
を調製し、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを１質量部
含む、粘着剤組成物２Ｄを得た。
【００４９】
＜粘着剤組成物２Ｅ＞
粘着剤組成物２Ｄの組成において、架橋剤コロネートＬを２質量部とし、粘着剤組成物
２Ｅを得た。
【００５０】
上記粘着剤層組成物２Ａ〜２Ｅを、基材フィルム１Ａ〜１Ｂに、乾燥膜厚が６〜１０μ
ｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着フィルム１２を作製した。
【００５１】
（接着剤層組成物の調製）
＜接着剤層組成物３Ａ＞
接着剤層組成物３Ａは、エポキシーアクリル系接着剤組成物である。エポキシ樹脂５５
質量部、フェノール樹脂４５質量部、シランカップリング剤（１）１．７質量部、シラン
カップリング剤（２）３．２質量部、フィラー３２質量部からなる組成物に、シクロヘキ
サノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分混練した。これにグリシジル
アクリレート又はグリシジルメタクリレート３重量％を含むアクリルゴムＨＴＲ−８６０
Ｐ−３（ナガセケムテックス（株）製商品名、重量平均分子量８０万）を２８０質量部、
及び硬化促進剤０．５質量部加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤層組成物３Ａを得た
。尚、エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、分子量１２００、軟化点８０℃）を用い、
フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、下記式（１）
で表されるフェノール樹脂、水酸基当量１７５、吸水率１．８％、３５０℃における加熱
重量減少率４％）を用いた。また、シランカップリング剤（１）としてＮＵＣ Ａ−１８
９（日本ユニカー（株）製商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）を用い
、シランカップリング剤（２）としてＮＵＣ Ａ−１１６０（日本ユニカー（株）製商品
名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）を用いた。また、フィラーとしてアエロ
ジルＲ９７２（シリカ表面にジメチルジクロロシランを被覆し、４００℃の反応器中で加
水分解させた、メチル基などの有機基を表面に有するフィラー、日本アエロジル（株）製
商品名、シリカ、平均粒径０．０１６μｍ）を用いた。また、硬化促進剤としてキュアゾ
ール２ＰＺ−ＣＮ（四国化成（株）製商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾ
ール）を用いた。
【００５２】
【化１】
【００５３】
上記接着剤層組成物３Ａを、厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１４０℃で５分間乾燥して、膜厚が６０μｍのＢステー
ジ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作製した。
【００５４】
作製した粘着フィルム１２及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍ
の円形にカットし、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂと接着フィルムの接着剤層１３と
を貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層１３から剥離し、下
記の表２に示す実施例１〜３に係るウエハ加工用テープ１０、比較例１〜３に係るウエハ
加工用テープを得た。
【００５５】
【表２】
【００５６】
（特性試験）
上記のようにして作成した粘着フィルム１２について、それぞれ以下に記載のとおり試
験を行った。試験結果を合わせて表２に示した。
＜ｔａｎδ＞
作成した実施例、比較例に係るウエハ加工用テープの粘着剤層１２ｂについて、粘弾性
計（レオメトリックサイエンス社製、商品名：ＡＲＥＳ）を用いて、０℃から測定を開始
し昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで損失正接を測定し、８０℃に達した時点での損失正
接をそれぞれの８０℃におけるｔａｎδ（Ａ）とした。また、作成した実施例、比較例に
係るウエハ加工用テープの粘着剤層１２ｂについて、紫外線硬化型の粘着フィルムの場合
はこれに紫外線を照射したものを試験片とし、粘弾性計（レオメトリックサイエンス社製
、商品名：ＡＲＥＳ）を用いて、０℃から測定を開始し昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ
で、損失正接を測定し、２５℃に達した時点での損失正接をそれぞれピックアップ工程に
供される状態での２５℃におけるｔａｎδ（Ｂ）とした。さらにｔａｎδ（Ａ）とｔａｎ
δ（Ｂ）の比Ａ／Ｂを算出した。
【００５７】
＜ピックアップ成功率＞
作成したウエハ加工用テープを８０℃×１０秒でウエハへ加熱貼合した後、１０ｍｍ×
１０ｍｍにダイシングした。その後、の粘着フィルムの場合はそのまま、紫外線硬化型の
粘着フィルムの場合は粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１
０ｃｍ）により５０〜１００ｍＪ／ｃｍ 2となるよう 照射した後、ダイボンダー装置（
ＮＥＣマシナリー製、商品名ＣＰＳ−１００ＦＭ）によるピックアップ試験を行い、ピッ
クアップチップ１００個でのピックアップ成功率を求めた。
【００５８】
表２からわかるように、本発明の実施例１〜３では、ピックアップ成功率が１００％で
あった。これらの結果から、本発明のウエハ貼着用粘着テープは、ダイシングの際にはダ
イシングテープとして使用でき、マウントの際には接着剤層を容易に剥離して使用でき、
ダイシング時の切削屑の発生と隣接する半導体チップ同士の固着を抑制し、ピックアップ
工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発
生を抑制できることがわかる。
【００５９】
比較例１をみると、８０℃におけるｔａｎδ（Ａ）が０．２６、ピックアップ工程時の
ｔａｎδ（Ｂ）が０．３２、ｔａｎδ比が０．８であり、ピックアップ工程に供される状
態での２５℃における０％である。ダイシング時、ピックアップ時のｔａｎδが大きく切
削性を悪化させ、ダイシング時に発生した切削屑が隣接する半導体チップ同士を固着させ
たため、ピックアップ性を低下させた。
【００６０】
比較例２をみると、８０℃におけるｔａｎδが０．２１、ピックアップ工程に供される
状態での２５℃におけるｔａｎδが０．２５、ｔａｎδ比が０．８であり、ピックアップ
性は３５％である。ピックアップ時のｔａｎδが大きく、ダイシング時に発生した切削屑
が隣接する半導体チップ同士を固着させたため、ピックアップ性を低下させた。
【００６１】
比較例３をみると、８０℃におけるｔａｎδが０．０２、ピックアップ工程に供される
状態での２５℃におけるｔａｎδが０．２２、ｔａｎδ比が０．１であり、ピックアップ
性は３５％である。ダイシング時のｔａｎδが小さく切削性を悪化させ、ダイシング時に
発生した切削屑が隣接する半導体チップ同士を固着させたため、ピックアップ性を低下さ
せた。
【００６２】
以上のことより、本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を使用することにより、ピ
ックアップ工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという
不具合の発生を抑制できる。
【符号の説明】
【００６３】
１：半導体ウエハ
２：半導体チップ
１０：ウエハ加工用テープ
１２ａ：基材フィルム
１２ｂ：粘着剤層
１２：粘着フィルム
１３：接着剤層
２０：リングフレーム
２１：ダイシングブレード
２２：吸着ステージ
３０：突き上げ部材
３１：ピン
３２：吸着冶具
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に粘着剤層が積層されたウエハ加工用粘着テープであって、前記粘着剤
層の厚みが１ｕｍ以上１０ｕｍ未満であり、８０℃における前記粘着剤層のｔａｎδ（Ａ
）が、０．０５以上０．２０以下であり、かつピックアップ工程に供される状態での２５
℃における前記粘着剤層のｔａｎδ（Ｂ）が０．１５以上０．２５以下あり、さらに、前
記ｔａｎδ（Ａ）とｔａｎδ（Ｂ）との比であるｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．
３０以上０．７７以下とであることを特徴とするウエハ加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記粘着剤層の前記基材フィルムとは反対側には、接着剤層がさらに積層されているこ
とを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記粘着剤層は、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル
モノマーから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよび／または
２−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、前記（メタ）アクリ
ル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が５質量％以上９９．５質量％以下
含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋されたものであることを特徴とす
る、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のウエハ加工用粘着テープ。
【請求項１】
基材フィルム上に粘着剤層が積層されたウエハ加工用粘着テープであって、前記粘着剤
層の厚みが１ｕｍ以上１０ｕｍ未満であり、８０℃における前記粘着剤層のｔａｎδ（Ａ
）が、０．０５以上０．２０以下であり、かつピックアップ工程に供される状態での２５
℃における前記粘着剤層のｔａｎδ（Ｂ）が０．１５以上０．２５以下あり、さらに、前
記ｔａｎδ（Ａ）とｔａｎδ（Ｂ）との比であるｔａｎδ（Ａ）／ｔａｎδ（Ｂ）が０．
３０以上０．７７以下とであることを特徴とするウエハ加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記粘着剤層の前記基材フィルムとは反対側には、接着剤層がさらに積層されているこ
とを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記粘着剤層は、アルキル基の炭素数が２以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル
モノマーから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよび／または
２−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、前記（メタ）アクリ
ル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が５質量％以上９９．５質量％以下
含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋されたものであることを特徴とす
る、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のウエハ加工用粘着テープ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−２１１１２９（Ｐ２０１１−２１１１２９Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８００２４（Ｐ２０１０−８００２４）
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００００５２９０）古河電気工業株式会社 (4,457)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００００５２９０）古河電気工業株式会社 (4,457)
【Ｆターム（参考）】
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