分析方法および分析装置
【課題】基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で当該被膜の下の分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置。
【解決手段】基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の分析対象物質を分析する分析方法、および分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高性能化が進んでおり、半導体装置の製造工程におけるコンタミネーション（汚染）の管理が重要となってきている。例えば、半導体製造に係るＳｉ基板が金属元素に汚染されると、当該基板に形成されるデバイスが所望の特性を得られない場合があり、半導体装置製造の歩留まりが低下してしまう場合があった。
【０００３】
例えば、Ｓｉ基板上の金属による汚染の検出方法としては、Ｓｉ基板上にＨＦなどの金属を溶解する溶解液を滴下して金属を溶解させた後、当該溶解液をＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析法）などによって分析する方法が知られている。
【０００４】
図１Ａ〜図１Ｄには、Ｓｉ基板上の金属汚染を分析する場合の分析方法の概略を模式的に示した図である。図１Ａには、分析の対象となるＳｉ基板１を示している。図１Ｂに示す工程では、Ｓｉ基板１上に、例えばＨＦを含む溶解液２を滴下する。次に、図１Ｃ〜図１Ｄに示す工程において、滴下されて粒状になった溶解液２を基板１上で走査し、基板１上の金属を溶解する。
【０００５】
次に、金属などの汚染物質が溶解された溶解液２を回収し、例えばＩＣＰ−ＭＳなどの方法により分析することで、Ｓｉ基板１上の金属汚染を定性的、または定量的に分析することができる。
【特許文献１】特開平８−２３３７０９号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、例えば分析の対象となるＳｉ基板上に被膜が形成されている場合には、上記の分析方法を適用することが困難となる場合があった。
【０００７】
図２Ａは、分析の対象となるＳｉ基板１上に、被膜３が形成された状態を模式的に示した図である。例えば、Ｓｉ基板１の表面を覆うように被膜３が形成されていると、溶解液によってＳｉ基板１上の金属を溶解することが困難となってしまう。
【０００８】
例えば、フロロカーボン系のガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３など）を用いたプラズマエッチングプロセスでは、基板上にフロロカーボン系の被膜が形成されてしまう場合がある。このようなフロロカーボン系の被膜は、ＨＦ系の溶解液（またはＨＦ蒸気）では容易に溶解しない特徴を有している。このため、プラズマエッチング装置での基板処理における基板の汚染状況を分析することが困難になる場合があった。
【０００９】
また、酸素原子を含むフロロカーボン系の被膜の表面はＳｉ表面に比べて撥液性が小さい（親液性が大きい）ため、図２Ｂに示すように、溶解液を滴下した場合に被膜表面に広がって、溶解液を走査することが困難となってしまう問題を有していた。
【００１０】
また、上記の被膜を除去する場合に、例えば基板のプラズマエッチングやスパッタリングなどの処理を行うと、当該エッチングやスパッタリングによって汚染物質が飛散してしまう場合があった。また、さらに新たな汚染物質が発生する懸念があり、分析の精度を良好に保つことが困難となる問題を有していた。
【００１１】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な分析方法、および当該分析方法を実施する分析装置を提供することを統括的課題としている。
【００１２】
本発明の具体的な課題は、基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で基板表面に存在する分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記の課題を、
請求項１に記載したように、
基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の工程と、
前記基板表面に溶解液を供給して、前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の工程と、
前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の工程と、を有することを特徴とする分析方法により、また、
請求項２に記載したように、
前記被膜はフロロカーボン系の膜であることを特徴とする請求項１記載の分析方法により、また、
請求項３に記載したように、
前記第１の工程は酸素を含む雰囲気で行われることを特徴とする請求項２記載の分析方法により、また、
請求項４に記載したように、
水素を含む雰囲気で前記基板上に紫外線を照射することにより、前記第１の工程で形成される化合物を除去する別の除去工程をさらに有することを特徴とする請求項３記載の分析方法により、また、
請求項５に記載したように、
前記第１の工程と前記別の除去工程が交互に繰り返し実施されることを特徴とする請求項４記載の分析方法により、また、
請求項６に記載したように、
前記分析対象物質は、金属を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の分析方法により、また、
請求項７に記載したように、
前記第３の工程の分析は、誘導結合プラズマ質量分析法、誘導結合プラズマ原子発光分析法、および原子吸光分析法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の分析方法により、また、
請求項８に記載したように、
前記基板は、Ｓｉ基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の分析方法により、また、
請求項９に記載したように、
前記Ｓｉ基板に形成される酸化膜を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項８記載の分析方法により、また、
請求項１０に記載したように、
前記紫外線の照射の後に、前記基板を加熱する加熱工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の分析方法により、また、
請求項１１に記載したように、
基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、
前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、
前記第２の処理部で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置により、また、
請求項１２に記載したように、
前記紫外線が照射された後で前記基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする請求項１１記載の分析装置により、解決する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で基板表面に存在する分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明による分析方法は、１）基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の工程と、２）前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の工程と、３）前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の工程と、を有することを特徴としている。
【００１６】
基板上の金属などの分析対象物質の分析を行う場合に、当該分析対象物質が、例えばフロロカーボン系の被膜（Ｃ元素，Ｆ元素を含み、Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−Ｆ結合などを有する材料よりなる被膜）で覆われている場合は、分析対象物質を溶解液で溶解させるのが困難となる場合があった。そこで、本発明では、前記被膜を、紫外線照射によって除去し、前記分析対象物質の溶解液による溶解を可能としている。
【００１７】
また、紫外線照射による被膜の除去は、例えばエッチングやスパッタリングなどの方法に比べて分析対象物質を飛散させてしまう懸念が少なく、また反応が緩やかであるために新たな汚染物質を生成してしまう懸念が少ない。このため、良好な精度で分析対象物質の分析を行うことが可能となる。
【００１８】
例えば、紫外線の照射によって、フロロカーボン系の被膜を構成する材料が分解される（結合手が切断される）作用を奏する。また、この場合に雰囲気中に酸素が含まれると、活性化された酸素によって被膜がエッチングされる作用が加わり、好適である。
【００１９】
次に、上記の分析方法の具体的な例について、図面に基づき説明する。
【実施例１】
【００２０】
図３は、本発明の実施例１による分析方法を示すフローチャートであり、図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の実施例１による分析方法を、手順を追って模式的に示した図である。
【００２１】
まず、図３のステップ１０（図中、Ｓ１０と表記する、以下同様）において、基板上の分析対象物質を覆うように形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する。当該ステップ１０は、図４Ａに対応している。図４Ａを参照するに、例えばＳｉよりなる基板１００上に形成された、例えばフロロカーボン系の材料よりなる被膜１０１に、波長１００ｎｍ乃至３２０ｎｍ程度の紫外線１０３を照射することにより、除去する。この場合、基板１００（被膜１０１）の周囲の雰囲気１０２が酸素を含むと、紫外線によって被膜が分解される効果に加えて、紫外線によって活性化された酸素によって被膜がエッチングされる効果を得ることが可能となり、好適である。
【００２２】
また、上記の紫外線照射においては、基板１００を加熱して基板１００の温度を上昇させておくと、被膜除去の反応が促進され、好適である。基板温度は、例えば室温乃至４００℃程度とする。
【００２３】
次に、図３のステップ２０において、基板表面に溶解液を供給して基板表面に付着した分析対象物質を溶解させる。当該ステップ２０は、図４Ｂ〜図４Ｄに対応している。図４Ｂに示すように、被膜１０１が除去された基板１００の表面には、例えばＨＦ(フッ酸)を含む溶解液１０４が供給（滴下）される。さらに、図４Ｃ〜図４Ｄに示すように、基板１００を傾ける方向を制御して、基板１００上の溶解液１０４（液滴）を走査し、基板１００上に付着した分析対象物質（例えば金属など）を溶解液１０４に十分に溶解させる。
【００２４】
次に、図３のステップ３０において、溶解液１０４を回収して、当該溶解液１０４を、例えば、ＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析法）などの方法によって分析し、分析対象物質（金属）の定性的な分析や定量分析を行う。上記の溶解液１０４の分析の方法としてはＩＣＰ−ＭＳに限定されず、例えば、誘導結合プラズマ原子発光分析法（ＩＣＰ−ＡＡＳ）、原子吸光分析法（ＡＡＳ）などの公知の方法を用いることができる。
【００２５】
このようにして、基板１００上に付着した分析対象物質（基板１００の汚染物質）の分析を行うことが可能となる。
【００２６】
本実施例による分析方法によれば、基板上に被膜が形成されている場合であっても、基板表面に存在する分析対象物質を、良好な精度で分析（検出）することが可能となる。
【００２７】
例えば、フロロカーボン系のガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３など）を用いたプラズマエッチング装置では、基板上にＨＦでは除去が困難なフロロカーボン系の被膜が形成されてしまう場合があった。このようなフロロカーボン系の被膜が形成されると、基板表面の分析対象物の分析が困難になる場合があった。
【００２８】
そこで、本実施例による分析方法では、当該被膜を紫外線照射により除去し、分析対象物質の回収を容易にしていることが特徴である。上記の紫外線照射による被膜の除去は、例えばエッチングやスパッタリングなどの方法に比べて分析対象物質を飛散させてしまう懸念が少なく、また反応が緩やかであるために新たな汚染物質を生成してしまう懸念が少ない。このため、良好な精度で分析対象物質の分析を行うことが可能となる。
【００２９】
また、図４Ａに示すように、被膜１０１に紫外線を照射する場合に、雰囲気１０２中に酸素が含まれていると、紫外線によって当該酸素が活性化されることになる。活性化された酸素が被膜１０１近傍に存在すると、紫外線によって被膜が分解される効果に加えて活性化された酸素によって被膜がエッチングされる効果が加わり、被膜除去の効率が向上し、好適である。例えば、ステップ１０（図４Ａ）の工程は、通常の酸素を含む大気中で実施することが可能であるが、必要に応じて酸素濃度、窒素濃度などを変更した雰囲気を用いてもよい。また、雰囲気１０２として、オゾンやＮ２Ｏなど、酸素原子を含む物質のガスを用いてもよい。
【００３０】
また、図３に示した分析方法は、図５に示すように変形することも可能である。図５は、図３に示した分析方法の変形例を示す。ただし、先に説明したステップには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３１】
図５を参照するに、本図に示す場合、先に説明したステップ１０とステップ２０の間に、ステップ１５を設けている。ステップ１５においては、Ｓｉよりなる基板１００の表面に形成された酸化膜（ＳｉＯ２）が除去される。酸化膜の除去は、例えば基板１００にＨＦ蒸気が供給されることによって実施される。また、本ステップは省略することも可能であり、この場合、ステップ２０で供給される溶解液１０４によって、酸化膜の除去と分析対象物質の溶解を実質的に同時に行うようにすればよい。
【００３２】
ステップ１５を設けた場合、溶解液１０４によって酸化膜を除去する必要が無くなるため、ステップ２０で基板１００に供給する溶解液１０４の量を少なくすることができる。このため、分析対象物質の分析の精度が良好となる効果を奏する。
【００３３】
また、上記の図５に示した分析方法において、基板の加熱とＨＦによる処理を繰り返し、フロロカーボン系の被膜に収縮と膨張を生じさせることで、酸化膜を除去しやすくなるようにしてもよい。例えば、図５の分析方法において、基板温度を室温〜４００℃程度に加熱してステップ１０を実施した後、基板温度を室温程度としてステップ１５に相当する処理（ＨＦ処理）を実施する。次に、大気雰囲気で基板を３００℃程度に再び加熱し、さらに基板温度を室温程度としてステップ１５に相当する処理（ＨＦ処理）を行う。上記の処理によれば、被膜の膨張または収縮により、酸化膜の除去が容易となる。
【００３４】
また、図３に示した分析方法は、図６に示すように変形することも可能である。図６は、図３に示した分析方法の別の変形例である。ただし、先に説明したステップには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３５】
図６を参照するに、本図に示す場合、先に説明したステップ１０とステップ２０の間に、ステップ１０Ａを設けている。ステップ１０Ａにおいては、ステップ１０と異なる雰囲気で基板１００上に紫外線１０３を照射することにより、ステップ１０で形成される可能性のある化合物を除去することが可能になる。
【００３６】
たとえば、ステップ１０においては、紫外線照射の条件や被膜の組成などによっては、紫外線照射によって酸化反応が生じてしまい、ＣＯ化合物が形成されて基板１００に付着してしまう懸念がある。
【００３７】
そこで、ステップ１０Ａにおいては、例えば水素（Ｈ２）雰囲気中で基板１００に紫外線を照射することにより、活性化された水素による還元反応によって上記のステップ１０で形成される化合物（例えばＣＯ化合物）を除去している。また、必要に応じてステップ１０とステップ１０Ａを交互に繰り返し実施して（すなわち酸化と還元を繰り返して）被膜１０１を除去するようにしてもよい。また、上記の図６に示した分析方法において、図５に示したステップ１５（酸化膜除去のステップ）を、ステップ１０Ａの後に実施するようにしてもよい。
【００３８】
また、図７Ａ、図７Ｂは、Ｓｉ基板上にフロロカーボン系の被膜が形成された構造において、紫外線照射の前後における（図３のステップ１０の実施前後における）基板表面のＸＰＳ（光電子分光）スペクトルを示した図である。図７Ａは、Ｃ１ｓスペクトルを、図７ＢはＦ１ｓスペクトルをそれぞれ示している。また、上記の評価においては、紫外線の波長は１７２ｎｍ、基板温度は、２００℃とし、膜厚およそ６ｎｍの被膜に対して、３００秒間、紫外線を照射している。
【００３９】
図７Ａ、図７Ｂを参照するに、紫外線の照射によって、膜中のＣ−Ｃ結合や、Ｃ−Ｆ結合など、ＣやＦに関連するピークが低くなり、フロロカーボン系の被膜が除去されていることがわかる。照射後に残っているピークはハイドロカーボンおよび吸着フッ素に関するものであり、フロロカーボン系の被膜はよく除去されている。
【００４０】
また、図８Ａ、図８Ｂは、ＸＰＳスペクトルから算出した、被膜中のＣ元素、Ｃ元素の減少率を時間経過を横軸にとって示したものである。ただし、図８Ａでは、基板温度を室温程度、図８Ｂでは基板温度を２００℃としている。
【００４１】
図８Ａを参照するに、紫外線の照射を持続することで膜中のＣ、Ｆが減少していくことが確認できる。また、図８Ｂをみると、基板を加熱することで（例えば２００℃程度）、被膜を除去する速度を大きくして、効率よく被膜除去を行うことが可能となることが確認できる。
【００４２】
また、図９Ａは、Ｓｉ基板上のＳｉＯ２膜上にフロロカーボン系の被膜（図中ＣＦポリマー膜と表記）が形成された構造のＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真であり、図９Ｂは、図９Ａの被膜に紫外線照射した後におけるＴＥＭ写真である。上記の評価においては、紫外線の波長は１７２ｎｍ、基板温度は、２００℃とし、膜厚およそ６ｎｍの被膜に対して、３００秒間、紫外線を照射している。
【００４３】
図９Ａ，図９Ｂを参照するに、紫外線の照射によって、フロロカーボン系の被膜を除去することが可能であることがわかる。
【実施例２】
【００４４】
また、図１０は、実施例１に記載した分析方法を実施するための分析装置２００の概略を模式的に示した平面図である。
【００４５】
図１０を参照するに、本図に示す分析装置２００は、基板が搬送される搬送室２０２を有している。さらに、搬送室２０２の周囲に、ウェハ（基板）ポート２０１、ＵＶ処理（照射）部２０３と、酸化膜除去処理部２０４、溶解液供給処理部（検出対象物溶解処理部）２０５、溶解液保持部２０６、溶解液導入部２０７、および分析処理部２０８がそれぞれ搬送室２０２を囲むように接続されている。また、ＵＶ処理部２０３は、必要に応じて加熱機構を有する。
【００４６】
なお、ＵＶ処理部２０３を構成する材料として、合成石英が多用されるが、基板上に残留するフッ素によるダメージを防ぐためには、単結晶サファイヤや、ＢａＦ２を用いるのが好ましい。
【００４７】
上記の分析装置２００で、実施例１に記載された分析方法を実施する場合には、以下のようにされる。
【００４８】
まず、図示を省略する搬送アームなどの搬送手段により、ウェハポート２０１に設置された基板１００がＵＶ処理部２０３へと搬送される。ＵＶ処理部２０３では、図３のステップ１０（図４Ａ）に相当する処理が実施される。すなわち、図４Ａに記載されたように、基板１００に形成された被膜１０１に、酸素を含む雰囲気１０２中で紫外線１０３が照射されることにより、被膜１０１が除去される。また、必要に応じて、基板１００の周囲の雰囲気１０２を、水素を含む雰囲気に変更し、さらに紫外線を照射して、ステップ１０で生成された化合物を除去する処理を実施してもよい（図６のステップ１０Ａに相当）。また、ステップ１０とステップ１０Ａに相当する処理が、ＵＶ処理部２０３において交互に繰り返し実施されるようにしてもよい。
【００４９】
また、実施例１で説明したように、基板１００に紫外線を照射した後に基板１００を加熱することで被膜の除去が容易になる。このため、ＵＶ処理部２０３が、基板を加熱する加熱機構を有するように構成していもよい。
【００５０】
次に、前記搬送手段によって基板１００が酸化膜除去処理部２０４に搬送される。酸化膜除去処理部２０４では、図５のステップ１５に相当する処理が実施される。すなわち、基板１００に、例えばＨＦ蒸気が供給されることにより、基板１００に形成された酸化膜が除去される。また、先に説明したように、酸化膜除去処理部２０４での処理は省略することも可能である。また、より効果的に、被膜１０１や酸化膜を除去するために、再びＵＶ処理部２０３へ搬送し、ＵＶ照射や加熱処理を行ってもよい。
【００５１】
次に、基板１００が前記搬送手段によって溶解液供給処理部２０５に搬送される。溶解液供給処理部２０５では、図３のステップ２０（図４Ｂ〜図４Ｄ）に相当する処理が実施される。
【００５２】
この場合、図４Ｂに示すように、被膜１０１が除去された基板１００の表面には、例えばＨＦ(フッ酸)を含む溶解液１０４が供給（滴下）される。さらに、図４Ｃ〜図４Ｄに示すように、基板１００を傾ける方向が制御されて、基板１００上の溶解液１０４（液滴）が走査され、基板１００上に付着した分析対象物質（例えば金属など）が溶解液１０４に十分に溶解される。
【００５３】
次に、上記の分析対象物質が溶解された溶解液は回収されて溶解液保持部２０６に保持される。さらに、当該溶解液は、溶解液導入部２０７によって、分析処理部２０８に導入され、例えば、ＩＣＰ−ＭＳなどの装置によって分析され、分析対象物質（金属）の定性的な分析や定量分析が行われる。また、分析処理部２０８は、ＩＣＰ−ＭＳ装置に限定されず、例えば、ＩＣＰ−ＡＡＳ装置、ＡＡＳ装置よりなるように構成してもよい。
【００５４】
このようにして、基板１００上に付着した分析対象物質（基板１００の汚染物質）の分析を行うことが可能となる。
【００５５】
上記の分析装置によれば、実施例１に記載した効果を得ることが可能となる。また、上記の分析装置では、基板や溶解液を速やかに搬送して連続的に処理することが可能に構成されているため、良好な精度で基板上の汚染物質の分析を行うことが可能になる。
【００５６】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明によれば、基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で当該被膜の下の分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１Ａ】従来の分析方法を示す図（その１）である。
【図１Ｂ】従来の分析方法を示す図（その２）である。
【図１Ｃ】従来の分析方法を示す図（その３）である。
【図１Ｄ】従来の分析方法を示す図（その４）である。
【図２Ａ】従来の分析方法の問題点を示す図（その１）である。
【図２Ｂ】従来の分析方法の問題点を示す図（その２）である。
【図３】実施例１による分析方法を示すフローチャートである。
【図４Ａ】実施例１による分析方法を示す図（その１）である。
【図４Ｂ】実施例１による分析方法を示す図（その２）である。
【図４Ｃ】実施例１による分析方法を示す図（その３）である。
【図４Ｄ】実施例１による分析方法を示す図（その４）である。
【図５】図３の変形例（その１）である。
【図６】図３の変形例（その２）である。
【図７Ａ】基板表面のＸＰＳ分析結果を示す図（その１）である。
【図７Ｂ】基板表面のＸＰＳ分析結果を示す図（その２）である。
【図８Ａ】基板表面のＸＰＳ分析結果を示す図（その３）である。
【図８Ｂ】基板表面のＸＰＳ分析結果を示す図（その４）である。
【図９Ａ】被膜除去前の基板の断面ＴＥＭ写真である。
【図９Ｂ】被膜除去後の基板の断面ＴＥＭ写真である。
【図１０】実施例２による分析装置を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００ 基板
１０１ 被膜
１０２ 雰囲気
１０３ 紫外光
１０４ 溶解液
２００ 分析装置
２０１ ポート
２０２ 基板搬送室
２０３ ＵＶ処理部
２０４ 自然酸化膜除去処理部
２０５ 分析対象物溶解処理部
２０６ 溶解液保持部
２０７ 溶解液導入部
２０８分析処理部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の分析対象物質を分析する分析方法、および分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高性能化が進んでおり、半導体装置の製造工程におけるコンタミネーション（汚染）の管理が重要となってきている。例えば、半導体製造に係るＳｉ基板が金属元素に汚染されると、当該基板に形成されるデバイスが所望の特性を得られない場合があり、半導体装置製造の歩留まりが低下してしまう場合があった。
【０００３】
例えば、Ｓｉ基板上の金属による汚染の検出方法としては、Ｓｉ基板上にＨＦなどの金属を溶解する溶解液を滴下して金属を溶解させた後、当該溶解液をＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析法）などによって分析する方法が知られている。
【０００４】
図１Ａ〜図１Ｄには、Ｓｉ基板上の金属汚染を分析する場合の分析方法の概略を模式的に示した図である。図１Ａには、分析の対象となるＳｉ基板１を示している。図１Ｂに示す工程では、Ｓｉ基板１上に、例えばＨＦを含む溶解液２を滴下する。次に、図１Ｃ〜図１Ｄに示す工程において、滴下されて粒状になった溶解液２を基板１上で走査し、基板１上の金属を溶解する。
【０００５】
次に、金属などの汚染物質が溶解された溶解液２を回収し、例えばＩＣＰ−ＭＳなどの方法により分析することで、Ｓｉ基板１上の金属汚染を定性的、または定量的に分析することができる。
【特許文献１】特開平８−２３３７０９号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、例えば分析の対象となるＳｉ基板上に被膜が形成されている場合には、上記の分析方法を適用することが困難となる場合があった。
【０００７】
図２Ａは、分析の対象となるＳｉ基板１上に、被膜３が形成された状態を模式的に示した図である。例えば、Ｓｉ基板１の表面を覆うように被膜３が形成されていると、溶解液によってＳｉ基板１上の金属を溶解することが困難となってしまう。
【０００８】
例えば、フロロカーボン系のガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３など）を用いたプラズマエッチングプロセスでは、基板上にフロロカーボン系の被膜が形成されてしまう場合がある。このようなフロロカーボン系の被膜は、ＨＦ系の溶解液（またはＨＦ蒸気）では容易に溶解しない特徴を有している。このため、プラズマエッチング装置での基板処理における基板の汚染状況を分析することが困難になる場合があった。
【０００９】
また、酸素原子を含むフロロカーボン系の被膜の表面はＳｉ表面に比べて撥液性が小さい（親液性が大きい）ため、図２Ｂに示すように、溶解液を滴下した場合に被膜表面に広がって、溶解液を走査することが困難となってしまう問題を有していた。
【００１０】
また、上記の被膜を除去する場合に、例えば基板のプラズマエッチングやスパッタリングなどの処理を行うと、当該エッチングやスパッタリングによって汚染物質が飛散してしまう場合があった。また、さらに新たな汚染物質が発生する懸念があり、分析の精度を良好に保つことが困難となる問題を有していた。
【００１１】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な分析方法、および当該分析方法を実施する分析装置を提供することを統括的課題としている。
【００１２】
本発明の具体的な課題は、基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で基板表面に存在する分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記の課題を、
請求項１に記載したように、
基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の工程と、
前記基板表面に溶解液を供給して、前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の工程と、
前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の工程と、を有することを特徴とする分析方法により、また、
請求項２に記載したように、
前記被膜はフロロカーボン系の膜であることを特徴とする請求項１記載の分析方法により、また、
請求項３に記載したように、
前記第１の工程は酸素を含む雰囲気で行われることを特徴とする請求項２記載の分析方法により、また、
請求項４に記載したように、
水素を含む雰囲気で前記基板上に紫外線を照射することにより、前記第１の工程で形成される化合物を除去する別の除去工程をさらに有することを特徴とする請求項３記載の分析方法により、また、
請求項５に記載したように、
前記第１の工程と前記別の除去工程が交互に繰り返し実施されることを特徴とする請求項４記載の分析方法により、また、
請求項６に記載したように、
前記分析対象物質は、金属を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の分析方法により、また、
請求項７に記載したように、
前記第３の工程の分析は、誘導結合プラズマ質量分析法、誘導結合プラズマ原子発光分析法、および原子吸光分析法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の分析方法により、また、
請求項８に記載したように、
前記基板は、Ｓｉ基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の分析方法により、また、
請求項９に記載したように、
前記Ｓｉ基板に形成される酸化膜を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項８記載の分析方法により、また、
請求項１０に記載したように、
前記紫外線の照射の後に、前記基板を加熱する加熱工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の分析方法により、また、
請求項１１に記載したように、
基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、
前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、
前記第２の処理部で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置により、また、
請求項１２に記載したように、
前記紫外線が照射された後で前記基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする請求項１１記載の分析装置により、解決する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で基板表面に存在する分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明による分析方法は、１）基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の工程と、２）前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の工程と、３）前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の工程と、を有することを特徴としている。
【００１６】
基板上の金属などの分析対象物質の分析を行う場合に、当該分析対象物質が、例えばフロロカーボン系の被膜（Ｃ元素，Ｆ元素を含み、Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−Ｆ結合などを有する材料よりなる被膜）で覆われている場合は、分析対象物質を溶解液で溶解させるのが困難となる場合があった。そこで、本発明では、前記被膜を、紫外線照射によって除去し、前記分析対象物質の溶解液による溶解を可能としている。
【００１７】
また、紫外線照射による被膜の除去は、例えばエッチングやスパッタリングなどの方法に比べて分析対象物質を飛散させてしまう懸念が少なく、また反応が緩やかであるために新たな汚染物質を生成してしまう懸念が少ない。このため、良好な精度で分析対象物質の分析を行うことが可能となる。
【００１８】
例えば、紫外線の照射によって、フロロカーボン系の被膜を構成する材料が分解される（結合手が切断される）作用を奏する。また、この場合に雰囲気中に酸素が含まれると、活性化された酸素によって被膜がエッチングされる作用が加わり、好適である。
【００１９】
次に、上記の分析方法の具体的な例について、図面に基づき説明する。
【実施例１】
【００２０】
図３は、本発明の実施例１による分析方法を示すフローチャートであり、図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の実施例１による分析方法を、手順を追って模式的に示した図である。
【００２１】
まず、図３のステップ１０（図中、Ｓ１０と表記する、以下同様）において、基板上の分析対象物質を覆うように形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する。当該ステップ１０は、図４Ａに対応している。図４Ａを参照するに、例えばＳｉよりなる基板１００上に形成された、例えばフロロカーボン系の材料よりなる被膜１０１に、波長１００ｎｍ乃至３２０ｎｍ程度の紫外線１０３を照射することにより、除去する。この場合、基板１００（被膜１０１）の周囲の雰囲気１０２が酸素を含むと、紫外線によって被膜が分解される効果に加えて、紫外線によって活性化された酸素によって被膜がエッチングされる効果を得ることが可能となり、好適である。
【００２２】
また、上記の紫外線照射においては、基板１００を加熱して基板１００の温度を上昇させておくと、被膜除去の反応が促進され、好適である。基板温度は、例えば室温乃至４００℃程度とする。
【００２３】
次に、図３のステップ２０において、基板表面に溶解液を供給して基板表面に付着した分析対象物質を溶解させる。当該ステップ２０は、図４Ｂ〜図４Ｄに対応している。図４Ｂに示すように、被膜１０１が除去された基板１００の表面には、例えばＨＦ(フッ酸)を含む溶解液１０４が供給（滴下）される。さらに、図４Ｃ〜図４Ｄに示すように、基板１００を傾ける方向を制御して、基板１００上の溶解液１０４（液滴）を走査し、基板１００上に付着した分析対象物質（例えば金属など）を溶解液１０４に十分に溶解させる。
【００２４】
次に、図３のステップ３０において、溶解液１０４を回収して、当該溶解液１０４を、例えば、ＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析法）などの方法によって分析し、分析対象物質（金属）の定性的な分析や定量分析を行う。上記の溶解液１０４の分析の方法としてはＩＣＰ−ＭＳに限定されず、例えば、誘導結合プラズマ原子発光分析法（ＩＣＰ−ＡＡＳ）、原子吸光分析法（ＡＡＳ）などの公知の方法を用いることができる。
【００２５】
このようにして、基板１００上に付着した分析対象物質（基板１００の汚染物質）の分析を行うことが可能となる。
【００２６】
本実施例による分析方法によれば、基板上に被膜が形成されている場合であっても、基板表面に存在する分析対象物質を、良好な精度で分析（検出）することが可能となる。
【００２７】
例えば、フロロカーボン系のガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３など）を用いたプラズマエッチング装置では、基板上にＨＦでは除去が困難なフロロカーボン系の被膜が形成されてしまう場合があった。このようなフロロカーボン系の被膜が形成されると、基板表面の分析対象物の分析が困難になる場合があった。
【００２８】
そこで、本実施例による分析方法では、当該被膜を紫外線照射により除去し、分析対象物質の回収を容易にしていることが特徴である。上記の紫外線照射による被膜の除去は、例えばエッチングやスパッタリングなどの方法に比べて分析対象物質を飛散させてしまう懸念が少なく、また反応が緩やかであるために新たな汚染物質を生成してしまう懸念が少ない。このため、良好な精度で分析対象物質の分析を行うことが可能となる。
【００２９】
また、図４Ａに示すように、被膜１０１に紫外線を照射する場合に、雰囲気１０２中に酸素が含まれていると、紫外線によって当該酸素が活性化されることになる。活性化された酸素が被膜１０１近傍に存在すると、紫外線によって被膜が分解される効果に加えて活性化された酸素によって被膜がエッチングされる効果が加わり、被膜除去の効率が向上し、好適である。例えば、ステップ１０（図４Ａ）の工程は、通常の酸素を含む大気中で実施することが可能であるが、必要に応じて酸素濃度、窒素濃度などを変更した雰囲気を用いてもよい。また、雰囲気１０２として、オゾンやＮ２Ｏなど、酸素原子を含む物質のガスを用いてもよい。
【００３０】
また、図３に示した分析方法は、図５に示すように変形することも可能である。図５は、図３に示した分析方法の変形例を示す。ただし、先に説明したステップには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３１】
図５を参照するに、本図に示す場合、先に説明したステップ１０とステップ２０の間に、ステップ１５を設けている。ステップ１５においては、Ｓｉよりなる基板１００の表面に形成された酸化膜（ＳｉＯ２）が除去される。酸化膜の除去は、例えば基板１００にＨＦ蒸気が供給されることによって実施される。また、本ステップは省略することも可能であり、この場合、ステップ２０で供給される溶解液１０４によって、酸化膜の除去と分析対象物質の溶解を実質的に同時に行うようにすればよい。
【００３２】
ステップ１５を設けた場合、溶解液１０４によって酸化膜を除去する必要が無くなるため、ステップ２０で基板１００に供給する溶解液１０４の量を少なくすることができる。このため、分析対象物質の分析の精度が良好となる効果を奏する。
【００３３】
また、上記の図５に示した分析方法において、基板の加熱とＨＦによる処理を繰り返し、フロロカーボン系の被膜に収縮と膨張を生じさせることで、酸化膜を除去しやすくなるようにしてもよい。例えば、図５の分析方法において、基板温度を室温〜４００℃程度に加熱してステップ１０を実施した後、基板温度を室温程度としてステップ１５に相当する処理（ＨＦ処理）を実施する。次に、大気雰囲気で基板を３００℃程度に再び加熱し、さらに基板温度を室温程度としてステップ１５に相当する処理（ＨＦ処理）を行う。上記の処理によれば、被膜の膨張または収縮により、酸化膜の除去が容易となる。
【００３４】
また、図３に示した分析方法は、図６に示すように変形することも可能である。図６は、図３に示した分析方法の別の変形例である。ただし、先に説明したステップには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３５】
図６を参照するに、本図に示す場合、先に説明したステップ１０とステップ２０の間に、ステップ１０Ａを設けている。ステップ１０Ａにおいては、ステップ１０と異なる雰囲気で基板１００上に紫外線１０３を照射することにより、ステップ１０で形成される可能性のある化合物を除去することが可能になる。
【００３６】
たとえば、ステップ１０においては、紫外線照射の条件や被膜の組成などによっては、紫外線照射によって酸化反応が生じてしまい、ＣＯ化合物が形成されて基板１００に付着してしまう懸念がある。
【００３７】
そこで、ステップ１０Ａにおいては、例えば水素（Ｈ２）雰囲気中で基板１００に紫外線を照射することにより、活性化された水素による還元反応によって上記のステップ１０で形成される化合物（例えばＣＯ化合物）を除去している。また、必要に応じてステップ１０とステップ１０Ａを交互に繰り返し実施して（すなわち酸化と還元を繰り返して）被膜１０１を除去するようにしてもよい。また、上記の図６に示した分析方法において、図５に示したステップ１５（酸化膜除去のステップ）を、ステップ１０Ａの後に実施するようにしてもよい。
【００３８】
また、図７Ａ、図７Ｂは、Ｓｉ基板上にフロロカーボン系の被膜が形成された構造において、紫外線照射の前後における（図３のステップ１０の実施前後における）基板表面のＸＰＳ（光電子分光）スペクトルを示した図である。図７Ａは、Ｃ１ｓスペクトルを、図７ＢはＦ１ｓスペクトルをそれぞれ示している。また、上記の評価においては、紫外線の波長は１７２ｎｍ、基板温度は、２００℃とし、膜厚およそ６ｎｍの被膜に対して、３００秒間、紫外線を照射している。
【００３９】
図７Ａ、図７Ｂを参照するに、紫外線の照射によって、膜中のＣ−Ｃ結合や、Ｃ−Ｆ結合など、ＣやＦに関連するピークが低くなり、フロロカーボン系の被膜が除去されていることがわかる。照射後に残っているピークはハイドロカーボンおよび吸着フッ素に関するものであり、フロロカーボン系の被膜はよく除去されている。
【００４０】
また、図８Ａ、図８Ｂは、ＸＰＳスペクトルから算出した、被膜中のＣ元素、Ｃ元素の減少率を時間経過を横軸にとって示したものである。ただし、図８Ａでは、基板温度を室温程度、図８Ｂでは基板温度を２００℃としている。
【００４１】
図８Ａを参照するに、紫外線の照射を持続することで膜中のＣ、Ｆが減少していくことが確認できる。また、図８Ｂをみると、基板を加熱することで（例えば２００℃程度）、被膜を除去する速度を大きくして、効率よく被膜除去を行うことが可能となることが確認できる。
【００４２】
また、図９Ａは、Ｓｉ基板上のＳｉＯ２膜上にフロロカーボン系の被膜（図中ＣＦポリマー膜と表記）が形成された構造のＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真であり、図９Ｂは、図９Ａの被膜に紫外線照射した後におけるＴＥＭ写真である。上記の評価においては、紫外線の波長は１７２ｎｍ、基板温度は、２００℃とし、膜厚およそ６ｎｍの被膜に対して、３００秒間、紫外線を照射している。
【００４３】
図９Ａ，図９Ｂを参照するに、紫外線の照射によって、フロロカーボン系の被膜を除去することが可能であることがわかる。
【実施例２】
【００４４】
また、図１０は、実施例１に記載した分析方法を実施するための分析装置２００の概略を模式的に示した平面図である。
【００４５】
図１０を参照するに、本図に示す分析装置２００は、基板が搬送される搬送室２０２を有している。さらに、搬送室２０２の周囲に、ウェハ（基板）ポート２０１、ＵＶ処理（照射）部２０３と、酸化膜除去処理部２０４、溶解液供給処理部（検出対象物溶解処理部）２０５、溶解液保持部２０６、溶解液導入部２０７、および分析処理部２０８がそれぞれ搬送室２０２を囲むように接続されている。また、ＵＶ処理部２０３は、必要に応じて加熱機構を有する。
【００４６】
なお、ＵＶ処理部２０３を構成する材料として、合成石英が多用されるが、基板上に残留するフッ素によるダメージを防ぐためには、単結晶サファイヤや、ＢａＦ２を用いるのが好ましい。
【００４７】
上記の分析装置２００で、実施例１に記載された分析方法を実施する場合には、以下のようにされる。
【００４８】
まず、図示を省略する搬送アームなどの搬送手段により、ウェハポート２０１に設置された基板１００がＵＶ処理部２０３へと搬送される。ＵＶ処理部２０３では、図３のステップ１０（図４Ａ）に相当する処理が実施される。すなわち、図４Ａに記載されたように、基板１００に形成された被膜１０１に、酸素を含む雰囲気１０２中で紫外線１０３が照射されることにより、被膜１０１が除去される。また、必要に応じて、基板１００の周囲の雰囲気１０２を、水素を含む雰囲気に変更し、さらに紫外線を照射して、ステップ１０で生成された化合物を除去する処理を実施してもよい（図６のステップ１０Ａに相当）。また、ステップ１０とステップ１０Ａに相当する処理が、ＵＶ処理部２０３において交互に繰り返し実施されるようにしてもよい。
【００４９】
また、実施例１で説明したように、基板１００に紫外線を照射した後に基板１００を加熱することで被膜の除去が容易になる。このため、ＵＶ処理部２０３が、基板を加熱する加熱機構を有するように構成していもよい。
【００５０】
次に、前記搬送手段によって基板１００が酸化膜除去処理部２０４に搬送される。酸化膜除去処理部２０４では、図５のステップ１５に相当する処理が実施される。すなわち、基板１００に、例えばＨＦ蒸気が供給されることにより、基板１００に形成された酸化膜が除去される。また、先に説明したように、酸化膜除去処理部２０４での処理は省略することも可能である。また、より効果的に、被膜１０１や酸化膜を除去するために、再びＵＶ処理部２０３へ搬送し、ＵＶ照射や加熱処理を行ってもよい。
【００５１】
次に、基板１００が前記搬送手段によって溶解液供給処理部２０５に搬送される。溶解液供給処理部２０５では、図３のステップ２０（図４Ｂ〜図４Ｄ）に相当する処理が実施される。
【００５２】
この場合、図４Ｂに示すように、被膜１０１が除去された基板１００の表面には、例えばＨＦ(フッ酸)を含む溶解液１０４が供給（滴下）される。さらに、図４Ｃ〜図４Ｄに示すように、基板１００を傾ける方向が制御されて、基板１００上の溶解液１０４（液滴）が走査され、基板１００上に付着した分析対象物質（例えば金属など）が溶解液１０４に十分に溶解される。
【００５３】
次に、上記の分析対象物質が溶解された溶解液は回収されて溶解液保持部２０６に保持される。さらに、当該溶解液は、溶解液導入部２０７によって、分析処理部２０８に導入され、例えば、ＩＣＰ−ＭＳなどの装置によって分析され、分析対象物質（金属）の定性的な分析や定量分析が行われる。また、分析処理部２０８は、ＩＣＰ−ＭＳ装置に限定されず、例えば、ＩＣＰ−ＡＡＳ装置、ＡＡＳ装置よりなるように構成してもよい。
【００５４】
このようにして、基板１００上に付着した分析対象物質（基板１００の汚染物質）の分析を行うことが可能となる。
【００５５】
上記の分析装置によれば、実施例１に記載した効果を得ることが可能となる。また、上記の分析装置では、基板や溶解液を速やかに搬送して連続的に処理することが可能に構成されているため、良好な精度で基板上の汚染物質の分析を行うことが可能になる。
【００５６】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明によれば、基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で当該被膜の下の分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１Ａ】従来の分析方法を示す図（その１）である。
【図１Ｂ】従来の分析方法を示す図（その２）である。
【図１Ｃ】従来の分析方法を示す図（その３）である。
【図１Ｄ】従来の分析方法を示す図（その４）である。
【図２Ａ】従来の分析方法の問題点を示す図（その１）である。
【図２Ｂ】従来の分析方法の問題点を示す図（その２）である。
【図３】実施例１による分析方法を示すフローチャートである。
【図４Ａ】実施例１による分析方法を示す図（その１）である。
【図４Ｂ】実施例１による分析方法を示す図（その２）である。
【図４Ｃ】実施例１による分析方法を示す図（その３）である。
【図４Ｄ】実施例１による分析方法を示す図（その４）である。
【図５】図３の変形例（その１）である。
【図６】図３の変形例（その２）である。
【図７Ａ】基板表面のＸＰＳ分析結果を示す図（その１）である。
【図７Ｂ】基板表面のＸＰＳ分析結果を示す図（その２）である。
【図８Ａ】基板表面のＸＰＳ分析結果を示す図（その３）である。
【図８Ｂ】基板表面のＸＰＳ分析結果を示す図（その４）である。
【図９Ａ】被膜除去前の基板の断面ＴＥＭ写真である。
【図９Ｂ】被膜除去後の基板の断面ＴＥＭ写真である。
【図１０】実施例２による分析装置を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００ 基板
１０１ 被膜
１０２ 雰囲気
１０３ 紫外光
１０４ 溶解液
２００ 分析装置
２０１ ポート
２０２ 基板搬送室
２０３ ＵＶ処理部
２０４ 自然酸化膜除去処理部
２０５ 分析対象物溶解処理部
２０６ 溶解液保持部
２０７ 溶解液導入部
２０８分析処理部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の工程と、
前記基板表面に溶解液を供給して、前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の工程と、
前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の工程と、を有することを特徴とする分析方法。
【請求項２】
前記被膜はフロロカーボン系の膜であることを特徴とする請求項１記載の分析方法。
【請求項３】
前記第１の工程は酸素を含む雰囲気で行われることを特徴とする請求項２記載の分析方法。
【請求項４】
水素を含む雰囲気で前記基板上に紫外線を照射することにより、前記第１の工程で形成される化合物を除去する別の除去工程をさらに有することを特徴とする請求項３記載の分析方法。
【請求項５】
前記第１の工程と前記別の除去工程が交互に繰り返し実施されることを特徴とする請求項４記載の分析方法。
【請求項６】
前記分析対象物質は、金属を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の分析方法。
【請求項７】
前記第３の工程の分析は、誘導結合プラズマ質量分析法、誘導結合プラズマ原子発光分析法、および原子吸光分析法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の分析方法。
【請求項８】
前記基板は、Ｓｉ基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の分析方法。
【請求項９】
前記Ｓｉ基板に形成される酸化膜を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項８記載の分析方法。
【請求項１０】
前記紫外線の照射の後に、前記基板を加熱する加熱工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の分析方法。
【請求項１１】
基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、
前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、
前記第２の処理部で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置。
【請求項１２】
前記紫外線が照射された後で前記基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする請求項１１記載の分析装置。
【請求項１】
基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の工程と、
前記基板表面に溶解液を供給して、前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の工程と、
前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の工程と、を有することを特徴とする分析方法。
【請求項２】
前記被膜はフロロカーボン系の膜であることを特徴とする請求項１記載の分析方法。
【請求項３】
前記第１の工程は酸素を含む雰囲気で行われることを特徴とする請求項２記載の分析方法。
【請求項４】
水素を含む雰囲気で前記基板上に紫外線を照射することにより、前記第１の工程で形成される化合物を除去する別の除去工程をさらに有することを特徴とする請求項３記載の分析方法。
【請求項５】
前記第１の工程と前記別の除去工程が交互に繰り返し実施されることを特徴とする請求項４記載の分析方法。
【請求項６】
前記分析対象物質は、金属を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の分析方法。
【請求項７】
前記第３の工程の分析は、誘導結合プラズマ質量分析法、誘導結合プラズマ原子発光分析法、および原子吸光分析法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の分析方法。
【請求項８】
前記基板は、Ｓｉ基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の分析方法。
【請求項９】
前記Ｓｉ基板に形成される酸化膜を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項８記載の分析方法。
【請求項１０】
前記紫外線の照射の後に、前記基板を加熱する加熱工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の分析方法。
【請求項１１】
基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、
前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、
前記第２の処理部で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置。
【請求項１２】
前記紫外線が照射された後で前記基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする請求項１１記載の分析装置。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図１０】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図１０】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【公開番号】特開２００８−２６０６３（Ｐ２００８−２６０６３Ａ）
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１９６９４６（Ｐ２００６−１９６９４６）
【出願日】平成１８年７月１９日（２００６．７．１９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月１９日（２００６．７．１９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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