半田付け方法
【課題】半田付け後において基板等の基体に残留する活性剤に起因して保護コート層が損傷することを抑制し、保護コート層の耐久性を向上させ長寿命化を図るのに有利な半田付け方法を提供する。
【解決手段】電気部品３１，３２を半田付けした基板１を、下限温度Ｔｍｉｎ、上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された熱処理温度の領域内において加熱させることにより、フラックス４に含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎについては１８０℃以上とする。熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘについては、半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、電気部品３１，３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
【解決手段】電気部品３１，３２を半田付けした基板１を、下限温度Ｔｍｉｎ、上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された熱処理温度の領域内において加熱させることにより、フラックス４に含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎについては１８０℃以上とする。熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘについては、半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、電気部品３１，３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等の基体に半田付けされている電気部品の耐久性を高めることができる半田付け方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、絶縁基板に設けた抵抗体層の上に合金保護層を被覆し、更に合金保護層をガラス保護層で被覆したチップ抵抗器を開示している。特許文献２は、分割切断用のスリットを有する絶縁基板の上面に電極を形成する工程と、電極に重なるように抵抗体を形成する工程と、抵抗体をガラス層で被覆する工程と、スリットを介して絶縁基板を多数に分割させる工程とを含む角形チップ固定抵抗器の製造方法を開示している。特許文献３は、基板の上面に金系の金属薄膜で形成された上面電極層を形成する工程と、上面電極層に電気的に接続されたＮｉＣｒ系の抵抗層を設ける工程と、抵抗層を覆うように樹脂による第１保護層を形成する工程と、第１保護層を覆うように樹脂による第２保護層を形成する工程とを順に実施する抵抗器の製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−６７５０１号公報
【特許文献２】特開平１−１５１２０４号公報
【特許文献３】特開平１１−２０４３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した方法で製造された基板は、複数の電気部品を半田付けにより搭載しているものである。半田付けの際には、溶融半田の酸化膜の除去、半田付け部分の酸化膜の除去、溶融半田の濡れ性の改善等を図るため、活性剤を含有するフラックスが使用されるのが一般的である。しかし、フラックスに含まれる活性剤が半田付け後において基板に残留することがある。半田付けの際に、フラックスが高温の溶融半田に接触すれば、フラックスに含有されている活性剤は不活性化されるため、問題はない。
【０００５】
しかし、フラックスに接触する半田の温度が低いときには、フラックスに含有されている活性剤の不活性化が促進されないままの状態で、フラックスの活性剤が基板に残留することがある。この場合、自動車用等の車両用のように、凝縮水を生成させるような湿度が高い環境において基板が使用されたり、外部水が進入する環境において基板が使用されたりすると、基板に残留する活性剤に含まれる成分が水に混ざり、腐食性をもつイオン水を生成させるおそれがある。この場合、電気部品を防水および防湿等のために被覆している保護コート層と基体との接合面にクラックが発生する要因となり得る。このようにイオン水は保護コート層を損傷させて剥がす要因となる。ひいては、半田部や電気部品の劣化を促進させる要因となりかねない。特に、フラックスの活性剤に含まれる成分がハロゲン元素（例えばＢｒ，Ｃｌ）である場合には、イオン水は腐食性を発揮させ、保護コート層等を剥がす要因となり、半田部や電気部品の劣化を促進させる要因となりかねない。
【０００６】
近年、鉛を含まないように鉛フリー化した半田が使用されることが多いため、半田付け性の改善のため、フラックスに含まれている活性剤の活性度がますます高くなる傾向がある。この場合、イオン水の腐食性が益々向上する傾向がある。
【０００７】
本発明は上記した実情に鑑みてなされたものであり、半田付け後において基板等の基体に残留する活性剤に起因して保護コート層が損傷することを抑制し、保護コート層の耐久性を向上させ長寿命化を図るのに有利な半田付け方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半田付け方法は、（ｉ）電気絶縁性をもつ基体に設けられた導電層に積層された半田層を介して第１電気部品を基体の第１領域に半田付けする第１半田付け工程と、（ｉｉ）その後、基体のうち第１電気部品を半田付けした第１領域と異なる第２領域に、活性剤を含有するフラックスを存在させた状態で、第２電気部品を半田付けする第２半田付け工程と、（ｉｉｉ）その後、第１電気部品および第２電気部品が半田付けされた基体を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎと、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘとで規定される範囲内に設定された熱処理温度の領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程とを実施する半田付け方法。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品および第２電気部品のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１および温度Ｔ２のうちの低い側の温度
ここで、半田溶融温度としては、半田の状態図における液相線として把握できる。熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘとして半田溶融温度を基準とする理由は、熱処理温度が過剰に高温であると、第１電気部品および第２電気部品を半田付けしている半田部が過剰に溶融し、第１電気部品および第２電気部品がそれぞれの定位置からずれるおそれがあるためである。第１半田付け工程では、電気絶縁性をもつ基体の導電層の上面に積層された半田層を介して第１電気部品を基体の第１領域に半田付けする。この場合、半田付け性を改善させるため、活性剤を含有するフラックスを採用することが好ましい。
【０００９】
第２半田付け工程では、基体のうち第１電気部品を半田付けした第１領域と異なる第２領域に、活性剤を含有するフラックスを存在させた状態で、第２電気部品を半田付けする。フラックスは、溶融した半田の表面張力を改善して半田の濡れ性を改善させる。フラックスに含有されている活性剤は、溶融した半田の酸化膜、基体の導電層の酸化膜等を除去する作用を果たすため、第２電気部品等の電気部品の半田付け性を改善させる。活性剤は、一般的には、ハロゲン化合物を含有すると共に、有機酸および／または無機酸等を含有する。
【００１０】
熱処理工程においては、第１電気部品および第２電気部品を半田付けした基体を、上記した温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる。この場合、熱処理により、フラックスの活性剤に含まれているハロゲン元素の活性度が低下する。
（ａ）熱処理工程における熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度Ｔ１、第１電気部品および第２電気部品のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴとするとき、温度Ｔ１および温度Ｔ２のうちの低い側の温度
温度Ｔ１については、半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度とする。マージン値αは、熱の伝達には時間を要すること、熱処理工程の時間等の要因を考慮したものである。熱処理工程の時間が短いときには、電気部品等への影響が少ないため、マージン値αを０〜１０℃の範囲内で増加することが好ましい。熱処理工程の時間が長いときには、マージン値αを０〜１０℃の範囲内で減少することが好ましい。電気部品の耐熱温度Ｔ２については、第１電気部品および第２電気部品のうちの耐熱温度が低い側の耐熱温度とする。熱処理工程における第１電気部品および第２電気部品の保護性を高めるためである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、熱処理工程においては、第１電気部品および第２電気部品を半田付けした基体を、上記した温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤（特に活性剤に含まれるハロゲン元素）による影響を低減させる。このため、半田付け後の使用時において、活性剤に起因してクラックが発生することが抑制されている。殊に、電気部品を被覆させる保護コート層が形成される場合には、保護コート層と基体との接合面においてクラックが発生することが抑制される。よって半田部および電気部品の耐久性の向上、長寿命化に有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係り、製造過程を示す図である。
【図２】熱処理の温度とイオン量との関係を示すグラフである。
【図３】イオン量とクラック発生率との関係を示すグラフである。
【図４】実施形態２に係り、基板上に半田付けした電気部品を保護コート層で被覆している状態を示す斜視図である。
【図５】実施形態２に係り、図４のＹ方向に沿って切断して状態を示す断面図である。
【図６】実施形態２に係り、図４のＸ方向に沿って切断して状態を示す断面図である。
【図７】実施形態３に係り、基板上に半田付けした電気部品を保護コート層で被覆している状態を示す斜視図である。
【図８】実施形態３に係り、図７のＸ方向に沿って切断して状態を示す断面図である。
【図９】実施形態３に係り、図７のＹ方向に沿って切断して状態を示す断面図である。
【図１０】実施形態４に係り、基板上に半田付けした電気部品を保護コート層で被覆している状態を切断した横断面図である。
【図１１】実施形態５に係り、基板上に半田付けした電気部品を保護コート層で被覆している状態を切断した横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
基体は電気部品を搭載できるものであれば、何でも良い。基体は板状の基板とすることができるが、板状に限定されるものではない。電気部品は電子部品を含む。熱処理工程において熱処理温度の領域内に維持される熱処理時間は、１８０秒以内であることが好ましい。電気部品への熱影響を回避するため、熱処理工程の生産性を高めるためである。更に、それ以上の時間、熱処理温度に維持しても、熱処理による改善効果は飽和するためである。熱処理温度によっても異なるものの、熱処理温度に加熱する時間としては、一般的には、１２０秒以内、６０秒以内、３０秒以内であることが好ましい。一般的には、熱処理温度が高いほど、熱処理時間を短縮できる。
【００１４】
好ましくは、第２半田付け工程は、溶融半田を貯留した半田槽の上側に基体を配置した状態で、基体の下側の表面を半田槽の溶融半田に接近または接触させ、溶融半田を基体の表面側に供給させることにより行われる。好ましくは、基体はこれを厚み方向に貫通するスルーホールを有しており、第２半田付け工程は、溶融半田を貯留した半田槽の上側に基体を配置した状態で、基体の下面を半田槽の溶融半田に接近または接触させ、溶融半田をスルーホールを介して基体の上面側に供給させることにより行われる。半田の溶融温度（液相線）としては、特に限定されるものではないが、１５０〜３１０℃、１７０〜２８０℃が例示される。
【００１５】
基体に搭載した第１電気部品または第２電気部品の用途によっては、基体に残留したフラックスに含まれている活性剤等の成分が、腐食性をもつイオン水として基体に存在する可能性がある。また、基体に活性剤が残留しているとき、大気に含まれる湿気が凝縮した凝縮水が活性剤等の成分を溶解し、腐食性をもつイオン水として基体に存在する可能性がある。そこで上記した熱処理工程を実施し、フラックスに含まれている活性剤等の不活性化を促進させる。
【００１６】
また熱処理工程後に、基体に半田付けされている第１電気部品を保護コート層で被覆する被覆工程が実施されることが好ましい。保護コートとしては、無機材料および／または樹脂材料で形成できる。無機材料としては、アルミナ、窒化アルミナ、炭化珪素等のセラミックスが挙げられる。樹脂材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用できる。熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。天然樹脂であるロジン、および／または変性ロジンも使用可能である。
【００１７】
更に、基体および／または保護コート層は、基体に付着する流動物が保護コート層と基体との接合面に接触することを抑える流動物接触抑制構造を有することが好ましい。流動物接触抑制構造は、基体の上面に形成され基体に存在する流動物を流下させる流下傾斜面を備えていることが好ましい。また、流動物接触抑制構造は、基体の上面に形成され基体に存在する流動物が保護コート層と基体との接合面に接触することを抑える溝を有することが好ましい。また、流動物接触抑制構造は、保護コート層の外側を覆うロジン被覆層を有することが好ましい。
【００１８】
（実施形態１）
以下、本発明の実施形態を図１を参照して説明する。本実施形態に係る半田付け方法においては、第１半田付け工程では、図１の状態（１）として示すように、電気絶縁性をもつセラミックス（例えばアルミナ、炭化珪素）を基材とする基板１（基体）の表面である上面１ｕの第１領域１ｆにおいて、銅等の導電材料で形成された導電層１１を電極層として形成する。更に、図１の状態（２）として示すように、基板１上の導電層１１の上面に半田層２を印刷で積層する。次に、図１の状態（３）として示すように、基板１上の半田層２の上に第１電気部品３１を配置する。第１電気部品３１の外壁面は、半田付け性を向上させるための金属薄膜３１ｃを有する。図１の状態（４）として示すように、その状態で、基板１を加熱炉に挿入し、大気雰囲気において半田層２を加熱して半田層２を溶融凝固させ、第１電気部品３１を基板１の第１領域１ｆに半田付けする。半田層２はフィレット化される。第１電気部品３１は電気を使用する部品であり、電気部品でも良いし、電子部品でも良く、抵抗、コンデンサ、コイル、マイコン、メモリ、インターフェース、入力機器、出力機器を例示できる。第１電気部品３１は、絶縁基板に抵抗体等の電子素子を搭載したものでも良い。
【００１９】
その後、第２半田付け工程を実施する。第２半田付け工程では、図１の状態（５）として示すように、基板１を上下反転させた状態で、基板１のうち第１電気部品３１を半田付けした第１領域１ｆと異なる第２領域１ｓ（上下反転させた下側の位置）に、ハロゲン元素を含有する活性剤を含むフラックス４を塗布して存在させる。フラックス４は、ハロゲン元素（例えばＢｒ，Ｃｌ）を含有する活性剤を含む。
【００２０】
フラックス４を塗布した状態で、図１の状態（６）として示すように、第２電気部品３２を基板１の下面１ｄ（反転により上側となっている表面）に配置する。ここで、基板１は、これを厚み方向に貫通する貫通孔であるスルーホール１３を有する。スルーホール１３には、銅等の導電材料で形成されたスルーホール用導電層１１ｍが設けられている。スルーホール用導電層１１ｍは、スルーホール１３の内周壁面に被覆された筒部１１０と、基板１の片側に被覆された第１鍔部としての導電性をもつ鍔部１１２と、基板１の他の片側に被覆された第２鍔部としての導電性をもつ鍔部１１４とをもつ。第２電気部品３２の端子となる脚３２ｃは、筒部１１０に対面するようにスルーホール１３に挿入される。
【００２１】
第２半田付け工程では、図１の状態（７）として示すように、溶融半田５０（温度：３００〜４４０℃）を貯留したＤｉｐ槽とも呼ばれる半田槽５の湯面５ｓ側に基板１を接近させて配置する。その状態で、半田槽５に装備されている作動源５２を作動させ、半田槽５の溶融半田５０の一部を基板１の下側となった上面１ｄに向けて部分的に持ち上げる。この結果、持ち上がった溶融半田５０は、基板１のスルーホール１３内のスルーホール導電層１１ｍに接触しつつ、スルーホール１３内をフラックス４の一部と共に第２電気部品３２に向けて浸透透過する。この溶融半田は、基板１の導電層１１ｍの鍔部１１２と第２電気部品３２の下面３２ｄとの間に配置される。基板１のスルーホール１３を介して供給された溶融半田が凝固すれば、第２電気部品３２の脚３２ｃがスルーホール１３に挿入された状態で、第２電気部品３２は基板１のうち第１電気部品３１と反対側に半田付けされて固定される。このとき、スルーホール１３内の溶融半田も速やかに凝固し、第２電気部品３２の脚３２ｃが基板１のスルーホール１３内で固定される。
【００２２】
その後、第１電気部品３１および第２電気部品３２が半田付けされた基板１を、熱処理炉６の大気雰囲気の炉室に装入させることにより熱処理工程を行う。ここで、熱処理工程では、熱処理温度の下限温度側の温度Ｔｍｉｎとしては、１８０℃以上とする。殊に１９０℃以上、１９５℃以上、２００℃以上が好ましい。熱処理温度の上限温度側の温度Ｔｍａｘとしては、半田溶融温度＋αの温度未満とする。半田材料等に応じて、αは０〜１０℃以内、０〜５℃以内で適宜設定することが好ましい。但し、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度Ｔ２を考慮することが好ましい。従って、熱処理温度の上限温度側の温度Ｔｍａｘとしては、半田溶融温度＋αの温度未満の温度Ｔ１、または、電気部品の耐熱温度未満の温度Ｔ２のうちのいずれかとすることができる。従って、上限温度側の温度Ｔｍａｘとしては、温度Ｔ１および温度Ｔ２のうちの低い方を採用する。熱処理時間としては１８０秒以内、１２０秒以内、６０秒以内、３０秒以内とすることができる。熱処理時間が過剰に長いと、電気部品３１，３２に影響を与えるおそれがあるし、熱処理の生産性が低下する。熱処理時間が過剰に短いと、伝熱が不充分となり、フラックスに含まれている活性剤の不活性化が低下するおそれがある。
【００２３】
このような熱処理工程により、フラックスに含まれている活性剤（特にＢｒ，Ｃｌ等のハロゲン元素）による影響を低減させる。この場合、フラックスに含まれている活性剤（特にハロゲン元素）を不活性化させる。熱処理により不活性化させるメカニズムとしては、活性剤の活性成分（特にハロゲン元素）が、フラックスを構成している他の成分と高温雰囲気において化合物を形成し、不活性化されると推定される。不活性とされた活性剤は残留していても支障がない。その後、熱処理工程後に、基板１に半田付けされている第１電気部品３１および／または第２電気部品３２を保護コート層で被覆する被覆工程が実施される。保護コート層は樹脂コートでも良いし、無機コートでも良いし、両者を併用しても良い。
【００２４】
以上説明したように本実施形態によれば、第１電気部品３１および第２電気部品３２が半田付けされた基板１を、熱処理工程においては、上記した熱処理温度領域内において加熱させる。このため、第２半田付け工程において使用されるフラックスに含まれていた活性剤が基板１上に残留するときであっても、基板１において残留する活性剤（特にハロゲン元素）の不活性化を熱処理工程において促進させることができる。このため、第１電気部品３１および／または第２電気部品３２を被覆する保護コート層において、活性剤（特にハロゲン元素）に起因してクラック等の損傷が発生することが抑制されている。
【００２５】
すなわち、フラックスに含まれている活性剤が高温の溶融半田と接触すると、フラックスに含まれている活性剤は、溶融半田の熱により不活性化される。しかし本実施形態では、第２半田付け工程においては、基板１側に持ち上がった溶融半田は、基板１に存在するフラックス４と接触しつつ、表面張力等によって、基板１の下側となっている上面１ｕ（表面）を矢印Ｅ方向（図１の（６）に示す状態）に沿って第１電気部品３１に向けて流れることがある。このような溶融半田の温度は、温度をかなり低下させている。このように温度が低温化した半田が基板１のフラックス４と接触しつつ基板１の表面に沿って流れるときには、フラックス４に含まれている活性剤は溶融半田と接触しても、溶融半田５０が低温化されているため、活性剤は不活性化されにくい。よって活性剤は活性状態を維持しつつ、基板１の上面１ｕ（第１電気部品３１が搭載されている表面）において残留するおそれがある。このように不活性化が進行していない活性剤が基板１の上面１ｕ（第１電気部品３１が搭載されている表面）に残留する場合には、次の不具合を発生させるおそれがある。
【００２６】
すなわち、使用時において、車載などのように、凝縮水を生成させる程の湿度が高い環境において基板１が設置されたり、あるいは、外部水が進入する環境において基板１が設置されたりすると、基板１に残留する活性剤（不活性化が不充分）に含まれる成分が水に混ざり、腐食性をもつイオン水を生成させるおそれがある。この場合、イオン水は、基板１上の保護コート層を剥がす要因となり、保護コート層で覆われている半田部や電気部品の劣化を促進させる要因となりかねない。特に、フラックスの活性剤に含まれる成分がＢｒ，Ｃｌ等のハロゲン元素である場合には、イオン水は腐食性を発揮させることになる。この場合、イオン水は保護コート層等に対して剥がれ等の損傷を発生させる要因となり、半田部や電気部品の劣化を促進させる要因となりかねない。
【００２７】
この点について本実施形態によれば、第１電気部品３１および第２電気部品３２が半田付けされた基板１を、熱処理工程においては、上記した熱処理温度領域内において加熱させる。このため第２半田付け工程において使用されるフラックス４に含まれていた活性化されている活性剤が基板１上に残留するときであっても、基板１の上面１ｕ（第１電気部品３１が搭載されている表面）において残留する活性剤（特にハロゲン元素）の不活性化を、熱処理工程において促進させることができる。このため第１電気部品３１および／または第２電気部品３２を覆う保護コート層において、活性剤（特にハロゲン元素）に起因してクラック等の損傷を発生させることが抑制されている。従って、第１電気部品３１および第２電気部品３２を実装している基板１の耐久性の向上、長寿命化を図り得る。
【００２８】
なお、第１半田付け工程においても、活性剤を含有するフラックスが使用される。しかし第１半田付け工程では、フラックスと接触する溶融半田の温度が１８０℃以上または２００℃以上と高温であるため、フラックスに含まれている活性剤は不活性化される。よって第１半田付け工程において残留するフラックスは特に支障がない。なお、第１半田付け工程および第２半田付け工程において使用される半田としては公知の半田を採用でき、例えば、Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、場合によってはＳｎ−Ｐｂ系が例示される。
【００２９】
（実機試験例）
実施形態１の効果を確認する試験を実機試験例として実施した。この場合では、第１半田付け工程として、半田ペーストとフラックスとを含有する半田ペースト（溶融温度：２１０〜２２０℃、型式：TLF-204-SIS、株式会社：タムラ製作所）を用いて電気部品３１を基板１に半田付けした。次に、電気部品３２を第２半田付け工程にてフラックス４を用いて半田付けした。（電気部品３２は第２半田付け工程で半田付けされる。）半田の組成は、Ｓｎ−３．０質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕとした。用いたフラックス４は、ハロゲン元素（Ｂｒ）を含有する活性剤を含むポストフラックス（型式：ＥＳ−１０６１，千住金属株式会社）とした。凝縮水を発生させ得るような可能性がある多湿雰囲気において実際に基板１が長期にわたり使用されると、樹脂製の保護コート層と基板との接合面においてクラックが発生し、保護コート層の剥離が発生する傾向があった。更に、剥がれた保護コートの下でＡｇマイグレーションが発生する傾向があった。
【００３０】
（モデル試験例）
上記実機試験の場合、1年以上の長期間の試験が必要であった。そこで、水の入った状態を模擬して、次のモデル試験を行うことで加速試験とした。モデル試験片（パナソニック株式会社、１６０８サイズ（品番：９６１０１０−４５２００、型番：ＥＲＪ３ＧＥＹＪ１０４Ｖ）を用い、（ｉ）〜（ｉｖ）に従って加速試験を実施した。
（ｉ）熱処理を行ったハロゲン元素（Ｂｒ）を含有する活性剤を含むポストフラックス（型式：ＥＳ−１０６１，千住金属株式会社）と純水とを混合した。これによりイオン量（Ｂｒイオン）を０〜１４００ｐｐｍの範囲内において変化させた複数の混合水を形成した。各混合水を２日以上静置した後に、上澄み液を試験液としてそれぞれ採取した。イオン量が低い試験液については、純水で希釈させて作製した。
（ｉｉ）上澄み液で形成した試験液（温度：室温（２５℃））の内部に、試験片としてチップ抵抗２０個をそれぞれ浸漬させ、恒温槽において２週間、放置した。各濃度に調整した試験液毎にチップ抵抗を２０個浸漬させた。
（ｉｉｉ）各試験液から試験片をそれぞれ取り出し、溶媒（ＩＰＡ）により試験片を超音波洗浄した（１０分間×２回）。更に、試験片を６０℃×１時間で乾燥した。
（ｉｖ）光学顕微鏡観察および電子顕微鏡観察（ＳＥＭ）を行い、試験片におけるクラックを検出した。そしてクラック発生率を測定した。クラックは、保護コート層と基板の上面との接合面に形成されていた。
【００３１】
図２および図３は試験結果を示す。図２の横軸は熱処理温度を示し、縦軸は試験液のイオン量（Ｂｒイオン）を示す。イオン量はガスクロマトグラフィにより測定した。図３の横軸はイオン量（Ｂｒイオン）を示し、縦軸は試験片におけるクラック発生率を示す。図２および図３においてＡ範囲が好ましい範囲であり、Ｂ範囲が更に好ましい範囲である。図２によれば、熱処理温度が上昇するにつれてイオン量が低下している。特に、熱処理温度が１８０℃以上、１９０℃以上であれば、イオン量の低下は著しい。熱処理温度が２００℃であれば、残留するイオン量は１００ｐｐｍ程度であり、熱処理温度が２５０℃であれば、実質的に０であった。
【００３２】
図３によれば、イオン量が低下するにつれて試験片におけるクラック発生率が低下している。殊に、加速試験において、イオン量が２００ｐｐｍであれば、クラック発生率が１０％程度に低下している。これは加速試験であるため、１０％でも実用上の使用条件では支障がないと考えられる。イオン量が１００ｐｐｍであれば、クラック発生率が０％に低下している。図２および図３に示す試験結果に基づけば、イオン量を低減させるためには、熱処理温度を１８０℃以上、殊に１９０℃以上、なかでも２００℃以上が好ましい。
【００３３】
（実施形態２）
図４〜図６は実施形態２に係る第１電気部品３１を示す。図４は第１電気部品３１の斜視図を示す。図５はＹ方向に沿って切断した縦断面を示す。図６はＸ方向に沿って切断した横断面を示す。本実施形態は実施形態１と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。第１電気部品３１はセラミックスなどで形成された絶縁基板３１ａを有する。絶縁基板３１ａには、絶縁基板３１ａの材料が露出する一面（図４の図示で上面）側の基板露出面３１ａｕ，他面（図４の図示で下面）側の基板露出面３１ａｄが形成されている。絶縁基板３１ａには金属薄膜３１ｃが被覆されている。金属薄膜３１ｃは、銅またはスズあるいはこれらの合金で形成されたメッキ層で被覆されている。
【００３４】
本実施形態においても、実施形態１と同様に、第２半田付け工程を実施した後に、第１電気部品３１および第２電気部品３２を半田付けした基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックス４に含まれている活性剤による影響、殊に活性剤に含まれるハロゲン元素による影響を低減させる熱処理工程を実施する。熱処理時間としては、使用するフラックス４によっても相違するが、１８０秒間以内、１２０秒間以内、６０秒以内とすることが好ましい。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上、
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
そして、熱処理工程後に、基板１上に半田付けされた第１電気部品３１を保護コート層７で被覆する被覆工程が実施されている。図５に示すように、保護コート層７は、第１電気部品３１の抵抗体３１ｂ（電子素子）を被覆するセラミックスを基材とする無機コート層７１と、無機コート層７１を被覆する熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂等）を基材とする樹脂コート層７２とで形成されている。場合によっては、無機コート層７１を樹脂コート層としても良い。図５では樹脂コート層７２は、第１電気部品３１の主要素である抵抗体３１ｂを被覆している。図６では樹脂コート層７２は絶縁基板３１ａの上面を被覆している。なお第２電気部品３２については保護コート層で被覆しても良いし、しなくても良い。なお、図６において、下面７２ｄは樹脂コート層４２の下面（端面）を示し、７２ｘは樹脂コート層７２と絶縁基板１ａとの接合面を示す。
【００３５】
（実施形態３）
図７〜図９は実施形態３を示す。図７は第１電気部品３１の斜視図を示す。図８はＸ方向に沿って切断した縦断面を示す。図９はＹ方向に沿って切断した横断面を示す。本実施形態は実施形態１，２と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。第１電気部品３１は、電気絶縁性をもつセラミックスで形成された絶縁基板３１ａを有する。絶縁基板３１ａの表面には、電極層を形成する導電層である金属薄膜３１ｃが被覆されている。金属薄膜３１ｃは、銅またはスズあるいはこれらの合金で形成されたメッキ層で被覆されている。
【００３６】
本実施形態においても、実施形態１，２と同様に、第１電気部品３１および第２電気部品３２を半田付けした基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響、殊に活性剤に含まれるハロゲン元素による影響を低減させる熱処理工程を実施する。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上、
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
このような熱処理工程により、フラックスに含まれる活性化剤が不活性となり、使用時において、腐食性をもつイオン水の生成が抑制されている。本実施形態によれば、熱処理工程後に、図８および図９に示すように、基板１上に半田付けされた第１電気部品３１の抵抗体３１ｂ（電子素子）を外側から保護コート層７で被覆する被覆工程が実施されている。保護コート層７は、抵抗体３１ｂ（電子素子）を外側から被覆するアルミナ等を基材とする無機コート層７１と、無機コート層７１を被覆する熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂等）を基材とする樹脂コート層７２とで形成されている。場合によっては、無機コート層７１を樹脂コート層としても良い。
【００３７】
本実施形態では、図７〜図９に示すように、第１半田付け工程前の絶縁基板３１ａの基板露出面３１ａｕに、レーザビームや電子ビーム等の高エネルギ密度ビームの照射により、上面が開口する第１溝１０１を直状に形成し、第１溝１０１の長さ方向の途中部に連通するように第１溝１０１に交差する第２溝１０２を直状に形成する。図７に示すように、第１溝１０１は上面開口１０１ｕをもち、樹脂コート層７２を両側から挟むように互いに並設されている。第２溝１０２は、上方に開放された上面開口１０２ｕと、横方に開放された側面開口１０２ｄとをもち、第１溝１０１に連通しつつ、水（イオン水等の流動物）を絶縁基板３１ａの外方側に排出できる。例えば、第１溝１０１および第２溝１０２の溝幅は１０〜５０マイクロメートル、溝高は２０〜７０マイクロメートルにできるが、これらに限定されるものではない。
【００３８】
図７、図８に示すように、第１溝１０１は、樹脂コート層７２で被覆されておらず、樹脂コート層７２の両側に位置しつつ、樹脂コート層７２の下面７２ｄ（端面）と絶縁基板３１ａの上面との接合面７２ｘの入口側（樹脂コート層７２のうち、これの側面７２ｓと絶縁基板３１ａの上面である基板露出面３１ａｕとが交差する外縁７２ｐ側）に隣設されている。このため、樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基板３１ａの上面との接合面７２ｘに、腐食性をもつイオン水（流動物）が侵入することが抑制される。第１溝１０１および第２溝１０２は、絶縁基板３１ａの上面において、金属薄膜３１ｃ以外の領域（絶縁基板３１ａの上面の基板材料が露出している基板露出面３１ａｕ）に形成されている。その理由としては、金属薄膜３１ｃが第１溝１０１および第２溝１０２に接触しないように金属薄膜３１ｃを絶縁基板３１ａの上面に形成するためである。このような第１溝１０１および第２溝１０２は、基板１や絶縁基板３１ａに付着するイオン水等の流動物が樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基盤３１ａの上面との接合面７２ｘに接触することを抑える流動物接触抑制構造として機能することができる。
【００３９】
上記したように本実施形態によれば、製造段階では、フラックス４の活性剤（特にハロゲン元素）が実装基板１に残留しないように熱処理工程が実施されている。このため実装部品の用途によって水が基板１にかかるおそれがある場合、あるいは、大気中の湿気が凝縮して基板１において凝縮水となる場合等であっても、その水は、腐食性をもつイオン水が生成されることが抑制されている。従って基板１の耐久性を高めることができる。
【００４０】
但し、万一、何らかの事情（例えば外部からの侵入等）により、腐食性をもつイオン水（流動物）が基板１に存在する場合があり得る。このような場合であっても、本実施形態によれば、第１溝１０１および第２溝１０２が第１電気部品３１の絶縁基板３１ａの上面に形成されているため、イオン水が第１電気部品３１を損傷させることが抑制される。よって樹脂コート層７２の下面７２ｄ（端面）と絶縁基板３１ａの上面（表面）との接合面７２ｘにおいて、イオン水に起因するクラックが発生することが抑制される。樹脂コート層７２の耐久性の向上、長寿命化に貢献でき、ひいては第１電気部品３１の耐久性の向上、長寿命化に貢献できる。
【００４１】
（実施形態４）
図１０は実施形態４を示す。図１０はＸ方向に沿って切断した横断面を示す。本実施形態は実施形態１，２と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。本実施形態は各実施形態と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。本実施形態においても、各実施形態と同様に、第１電気部品３１等を半田付けした基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
このような熱処理工程により、フラックスに含まれる活性化剤が不活性となり、腐食性をもつイオン水の生成が抑制されている。
【００４２】
そして、熱処理工程後に、第１電気部品３１の抵抗体３１ｂ（電子素子）を保護コート層７（図１０参照）で被覆する被覆工程が実施されている。保護コート層７は、抵抗体３１ｂを被覆するセラミックスを基材とする無機コート層７１と、無機コート層７１を被覆する熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）を基材とする樹脂コート層７２とで形成されている。場合によっては、無機コート層７１を樹脂コート層としても良い。
【００４３】
本実施形態によれば、図１０に示すように、この絶縁基板３１ａの端部には、切削や研磨等により、あるいはレーザビーム等の高エネルギ密度ビームにより、絶縁基板３１ａの水平に沿った上面に対して傾斜角度θ（図１０参照）で下降傾斜する流下傾斜面２００が形成されている。図１０に示すように、流下傾斜面２００は、互いに背向する位置に形成された直状の第１流下傾斜面２０１と第２流下傾斜面２０２とを有する。図１０に示すように、流下傾斜面２０１，２０２は、保護コート層７の樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基板３１ａの上面との接合面７２ｘにおける外縁７２ｘｐを、ほぼ始点として外方に向けて下降傾斜するように延設されている。流下傾斜面２０１，２０２の終端２０１ｅ，２０２ｅは、セラミックス製の絶縁基板３１ａの側面３１ｓに到達するように下降傾斜している。このような流下傾斜面２０１，２０２は、保護コート層７および絶縁基板３１ａの上面に存在する流動物としての水を、絶縁基板３１ａの外部（絶縁基板３１ａの側面３１ｓ）に向けて、矢印Ａ２方向に沿って流下させて逃がす機能を有する。このため万一、水（腐食性をもつイオン水、または、イオンではない水）が保護コート層７の樹脂コート層７２や絶縁基板３１ａの上面に存在する場合であっても、その水を逃がすことができ、水（流動物）の溜まりが発生することが抑制される。
【００４４】
上記したように本実施形態によれば、前記した各実施形態と同様に、製造段階では、基板１に残留するおそれがあるフラックスの活性剤（特にハロゲン元素）が基板１において活性化しないように、熱処理工程が実施されている。このため第１電気部品３１等の用途によって水が基板１にかかるおそれがある場合、あるいは、大気中の湿気が凝縮して基板１において凝縮水となる場合等であっても、その水は腐食性が少ない水であり、腐食性をもつイオン水となることが抑制される。従って実装基板１の耐久性を高めることができる。
【００４５】
但し、万一、何らかの事情（例えば外部からの侵入等）により腐食性をもつイオン水が電気部品３１の絶縁基板３１ａや樹脂コート層７２上に存在する場合であっても、図１０に示すように、絶縁基板３１ａの上面には第１流下傾斜面２０１および第２流下傾斜面２０２が形成されている。このため、腐食性をもつイオン水（流動物）を流下傾斜面２０１，２０２を介して絶縁基板３１ａの上面から逃がすことができる。従って、樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基板３１の上面との接合面７２ｘから樹脂コート層７２内に水が侵入することが抑制される。よって、腐食性をもつイオン水が樹脂コート層７２，無機コート層７１，半田部、第１電気部品３１等を損傷させることが抑制され、これらの耐久性を高めることができる。従って、第１流下傾斜面２０１および第２流下傾斜面２０２は、基板１に付着するイオン水等の流動物が樹脂コート層７２の端面である下面７２ｄと絶縁基板３１ａとの接合面７２ｘに接触することを抑える流動物接触抑制構造として機能することができる。
【００４６】
（実施形態５）
図１１は実施形態５を示す。図１１はＸ方向に沿って切断した横断面を示す。本実施形態は実施形態１，２と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。本実施形態においても、半田付け工程が終了した後、第１電気部品３１等を半田付けした基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。
（本実施形態においても、実施形態１と同様に、半田付け工程が終了した基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
そして、熱処理工程後に、第１電気部品３１を保護コート層７で被覆する被覆工程が実施されている。図１１に示すように、保護コート層７は、第１電気部品３１の抵抗体３１ｂ（電子素子）を被覆する無機コート層７１と、無機コート層７１を被覆するエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成された樹脂コート層７２とで形成されている。更に、図１１に示すように、絶縁基板３１ａの上面と樹脂コート層７２の下面７２ｄとの接合面７２ｘを外側から被覆するように、ロジン（天然樹脂，まつやに）をスプレー等の塗布手段で覆っている。これによりロジン被覆層７８が樹脂コート層７２の外側に被覆されている。ロジン被覆層７８の下面７８ｄは、絶縁基板３１ａの上面を上側から被覆している。更に、ロジン被覆層７８の下方に延びる下端部７８ｓは、絶縁基板３１ａの側面３１ｓを外側から被覆している。
【００４７】
上記したように本実施形態によれば、製造段階では、フラックス４の活性剤（特にハロゲン元素）が実装基板１に残留しないように熱処理工程が実施されている。このためフラックスの活性化剤が不活性となり、腐食性をもつイオン水の生成が抑制されている。従って、電気部品３１，３２の用途によって水が基板１にかかるおそれがある場合、あるいは、大気中の湿気が凝縮して基板１において凝縮水となる場合等であっても、その水は腐食性が少ない水であり、結果として、その水が、腐食性をもつイオン水となることが抑制される。従って腐食性をもつイオン水（流動物）によって樹脂コート層７２が損傷するおそれが抑制される。従って、基板１における第１電気部品３１、第２電気部品３２、半田部の耐久性を高めることができる。
【００４８】
但し、万一、何らかの事情（例えば外部からの侵入等）により、腐食性をもつイオン水が基板１上や保護コート層７上に存在する場合があり得る。このような場合であっても、樹脂コート層７２には、これの側面７２ｓを覆うようにロジン被覆層７８が被覆されている。このため、腐食性をもつイオン水が樹脂コート層７２の下面７２ｄ（端面）と絶縁基板３１ａとの接合面７２ｘから樹脂コート層７２内に侵入することが抑制される。よって、腐食性をもつイオン水が樹脂コート層７２、第１電気部品３１や半田部を損傷させることが抑制される。従って、ロジン被覆層７８は、基板１に付着するイオン水等の流動物が樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基板３１ａの上面との接合面７２ｘに接触することを抑える流動物接触抑制構造として機能することができる。
【００４９】
（その他）
図１に示す実施形態では、電気部品の搭載密度を高めるため、第２電気部品３２は第１電気部品３１と反対側の表面に半田付けされるが、これに限らず、第２電気部品３２は第１電気部品３１と同じ側の表面に半田付けされることにしても良い。電気部品は電子部品を含む意味である。本発明は上記し且つ図面に示した実施形態のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施できる。溝や流下傾斜面等の流動物接触抑制構造が基板１等に必ずしも形成されていなくても良い。第２半田付け工程では、半田槽５の溶融半田５０の湯面を特に持ち上げることなく、基板１を半田槽５の溶融半田５０の平坦な湯面に接触させる方式でも良い。本明細書から次の技術的思想も把握できる。
［付記項１］電気絶縁性をもつ基板等の基体と、前記基体の第１領域に設けられた導電層に積層された半田層を介して半田付けされた電気部品と、前記基体に半田付けされた前記電気部品を被覆する保護コート層とを具備しており、前記基体および／または前記保護コート層は、前記基体に付着する流動物が前記保護コート層と前記基体との接合面に接触することを抑える流動物接触抑制構造を有する基体半田付け構造。この場合、腐食性をもつイオン水等の流動物に起因して保護コート層が損傷することが抑制される。保護コート層の被覆前に、前記した熱処理工程を実施することが好ましいが、実施せずとも良い。
［付記項２］付記項１において、前記流動物接触抑制構造は、前記基体の上面に形成され前記基体に存在する流動物を流下させる流下傾斜面を備えている基体半田付け構造。前記した熱処理工程を実施することが好ましいが、実施せずとも良い。流下傾斜面は、保護コート層から保護コート層の外部に流下させることが好ましい。
［付記項３］付記項１において、前記流動物接触抑制構造は、前記基体の上面（表面）に形成され前記基体に存在する前記流動物が前記保護コート層と前記基体との接合面に接触することを抑える溝を有する基体半田付け構造。この場合、腐食性をもつイオン水等の流動物による保護コート層の損傷が抑制される。前記した熱処理工程を実施することが好ましいが、実施せずとも良い。溝は、前記基体において接合面の外側に設けられていることが好ましい。
［付記項４］付記項１において、前記流動物接触抑制構造は、前記保護コート層の外側を覆うロジン被覆層を有する基体半田付け構造。この場合、腐食性をもつイオン水等の流動物による保護コート層の損傷が抑制される。前記した熱処理工程を実施することが好ましいが、実施せずとも良い。
［付記項５］付記項１〜４のうちの一項において、前記基体はこれを厚み方向に貫通するスルーホールを有しており、半田付け工程は、溶融半田を貯留した半田槽の上側に前記基体を配置した状態で、前記基体の下面を前記半田槽の前記溶融半田に接近または接触させ、前記溶融半田を前記スルーホールを介して前記基体の上面側に供給させることにより行われる基体半田付け構造。
【符号の説明】
【００５０】
１は基板（基体）、１ｕは上面（表面）、１ｄは下面（表面）、１１は導電層、２は半田層、３１は第１電気部品、３１ａは絶縁基板、３２は第２電気部品、５は半田槽、５０は溶融半田、６は熱処理炉、７は保護コート層、７１は無機コート層、７２は樹脂コート層、７２ｘは接合面、７８はロジン被覆層（流動物接触抑制構造）、１０１，１０２は溝（流動物接触抑制構造）、２００は流下傾斜面、２０１は第１流下傾斜面、２０２は第２流下傾斜面（流動物接触抑制構造）を示す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等の基体に半田付けされている電気部品の耐久性を高めることができる半田付け方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、絶縁基板に設けた抵抗体層の上に合金保護層を被覆し、更に合金保護層をガラス保護層で被覆したチップ抵抗器を開示している。特許文献２は、分割切断用のスリットを有する絶縁基板の上面に電極を形成する工程と、電極に重なるように抵抗体を形成する工程と、抵抗体をガラス層で被覆する工程と、スリットを介して絶縁基板を多数に分割させる工程とを含む角形チップ固定抵抗器の製造方法を開示している。特許文献３は、基板の上面に金系の金属薄膜で形成された上面電極層を形成する工程と、上面電極層に電気的に接続されたＮｉＣｒ系の抵抗層を設ける工程と、抵抗層を覆うように樹脂による第１保護層を形成する工程と、第１保護層を覆うように樹脂による第２保護層を形成する工程とを順に実施する抵抗器の製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−６７５０１号公報
【特許文献２】特開平１−１５１２０４号公報
【特許文献３】特開平１１−２０４３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した方法で製造された基板は、複数の電気部品を半田付けにより搭載しているものである。半田付けの際には、溶融半田の酸化膜の除去、半田付け部分の酸化膜の除去、溶融半田の濡れ性の改善等を図るため、活性剤を含有するフラックスが使用されるのが一般的である。しかし、フラックスに含まれる活性剤が半田付け後において基板に残留することがある。半田付けの際に、フラックスが高温の溶融半田に接触すれば、フラックスに含有されている活性剤は不活性化されるため、問題はない。
【０００５】
しかし、フラックスに接触する半田の温度が低いときには、フラックスに含有されている活性剤の不活性化が促進されないままの状態で、フラックスの活性剤が基板に残留することがある。この場合、自動車用等の車両用のように、凝縮水を生成させるような湿度が高い環境において基板が使用されたり、外部水が進入する環境において基板が使用されたりすると、基板に残留する活性剤に含まれる成分が水に混ざり、腐食性をもつイオン水を生成させるおそれがある。この場合、電気部品を防水および防湿等のために被覆している保護コート層と基体との接合面にクラックが発生する要因となり得る。このようにイオン水は保護コート層を損傷させて剥がす要因となる。ひいては、半田部や電気部品の劣化を促進させる要因となりかねない。特に、フラックスの活性剤に含まれる成分がハロゲン元素（例えばＢｒ，Ｃｌ）である場合には、イオン水は腐食性を発揮させ、保護コート層等を剥がす要因となり、半田部や電気部品の劣化を促進させる要因となりかねない。
【０００６】
近年、鉛を含まないように鉛フリー化した半田が使用されることが多いため、半田付け性の改善のため、フラックスに含まれている活性剤の活性度がますます高くなる傾向がある。この場合、イオン水の腐食性が益々向上する傾向がある。
【０００７】
本発明は上記した実情に鑑みてなされたものであり、半田付け後において基板等の基体に残留する活性剤に起因して保護コート層が損傷することを抑制し、保護コート層の耐久性を向上させ長寿命化を図るのに有利な半田付け方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半田付け方法は、（ｉ）電気絶縁性をもつ基体に設けられた導電層に積層された半田層を介して第１電気部品を基体の第１領域に半田付けする第１半田付け工程と、（ｉｉ）その後、基体のうち第１電気部品を半田付けした第１領域と異なる第２領域に、活性剤を含有するフラックスを存在させた状態で、第２電気部品を半田付けする第２半田付け工程と、（ｉｉｉ）その後、第１電気部品および第２電気部品が半田付けされた基体を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎと、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘとで規定される範囲内に設定された熱処理温度の領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程とを実施する半田付け方法。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品および第２電気部品のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１および温度Ｔ２のうちの低い側の温度
ここで、半田溶融温度としては、半田の状態図における液相線として把握できる。熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘとして半田溶融温度を基準とする理由は、熱処理温度が過剰に高温であると、第１電気部品および第２電気部品を半田付けしている半田部が過剰に溶融し、第１電気部品および第２電気部品がそれぞれの定位置からずれるおそれがあるためである。第１半田付け工程では、電気絶縁性をもつ基体の導電層の上面に積層された半田層を介して第１電気部品を基体の第１領域に半田付けする。この場合、半田付け性を改善させるため、活性剤を含有するフラックスを採用することが好ましい。
【０００９】
第２半田付け工程では、基体のうち第１電気部品を半田付けした第１領域と異なる第２領域に、活性剤を含有するフラックスを存在させた状態で、第２電気部品を半田付けする。フラックスは、溶融した半田の表面張力を改善して半田の濡れ性を改善させる。フラックスに含有されている活性剤は、溶融した半田の酸化膜、基体の導電層の酸化膜等を除去する作用を果たすため、第２電気部品等の電気部品の半田付け性を改善させる。活性剤は、一般的には、ハロゲン化合物を含有すると共に、有機酸および／または無機酸等を含有する。
【００１０】
熱処理工程においては、第１電気部品および第２電気部品を半田付けした基体を、上記した温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる。この場合、熱処理により、フラックスの活性剤に含まれているハロゲン元素の活性度が低下する。
（ａ）熱処理工程における熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度Ｔ１、第１電気部品および第２電気部品のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴとするとき、温度Ｔ１および温度Ｔ２のうちの低い側の温度
温度Ｔ１については、半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度とする。マージン値αは、熱の伝達には時間を要すること、熱処理工程の時間等の要因を考慮したものである。熱処理工程の時間が短いときには、電気部品等への影響が少ないため、マージン値αを０〜１０℃の範囲内で増加することが好ましい。熱処理工程の時間が長いときには、マージン値αを０〜１０℃の範囲内で減少することが好ましい。電気部品の耐熱温度Ｔ２については、第１電気部品および第２電気部品のうちの耐熱温度が低い側の耐熱温度とする。熱処理工程における第１電気部品および第２電気部品の保護性を高めるためである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、熱処理工程においては、第１電気部品および第２電気部品を半田付けした基体を、上記した温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤（特に活性剤に含まれるハロゲン元素）による影響を低減させる。このため、半田付け後の使用時において、活性剤に起因してクラックが発生することが抑制されている。殊に、電気部品を被覆させる保護コート層が形成される場合には、保護コート層と基体との接合面においてクラックが発生することが抑制される。よって半田部および電気部品の耐久性の向上、長寿命化に有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係り、製造過程を示す図である。
【図２】熱処理の温度とイオン量との関係を示すグラフである。
【図３】イオン量とクラック発生率との関係を示すグラフである。
【図４】実施形態２に係り、基板上に半田付けした電気部品を保護コート層で被覆している状態を示す斜視図である。
【図５】実施形態２に係り、図４のＹ方向に沿って切断して状態を示す断面図である。
【図６】実施形態２に係り、図４のＸ方向に沿って切断して状態を示す断面図である。
【図７】実施形態３に係り、基板上に半田付けした電気部品を保護コート層で被覆している状態を示す斜視図である。
【図８】実施形態３に係り、図７のＸ方向に沿って切断して状態を示す断面図である。
【図９】実施形態３に係り、図７のＹ方向に沿って切断して状態を示す断面図である。
【図１０】実施形態４に係り、基板上に半田付けした電気部品を保護コート層で被覆している状態を切断した横断面図である。
【図１１】実施形態５に係り、基板上に半田付けした電気部品を保護コート層で被覆している状態を切断した横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
基体は電気部品を搭載できるものであれば、何でも良い。基体は板状の基板とすることができるが、板状に限定されるものではない。電気部品は電子部品を含む。熱処理工程において熱処理温度の領域内に維持される熱処理時間は、１８０秒以内であることが好ましい。電気部品への熱影響を回避するため、熱処理工程の生産性を高めるためである。更に、それ以上の時間、熱処理温度に維持しても、熱処理による改善効果は飽和するためである。熱処理温度によっても異なるものの、熱処理温度に加熱する時間としては、一般的には、１２０秒以内、６０秒以内、３０秒以内であることが好ましい。一般的には、熱処理温度が高いほど、熱処理時間を短縮できる。
【００１４】
好ましくは、第２半田付け工程は、溶融半田を貯留した半田槽の上側に基体を配置した状態で、基体の下側の表面を半田槽の溶融半田に接近または接触させ、溶融半田を基体の表面側に供給させることにより行われる。好ましくは、基体はこれを厚み方向に貫通するスルーホールを有しており、第２半田付け工程は、溶融半田を貯留した半田槽の上側に基体を配置した状態で、基体の下面を半田槽の溶融半田に接近または接触させ、溶融半田をスルーホールを介して基体の上面側に供給させることにより行われる。半田の溶融温度（液相線）としては、特に限定されるものではないが、１５０〜３１０℃、１７０〜２８０℃が例示される。
【００１５】
基体に搭載した第１電気部品または第２電気部品の用途によっては、基体に残留したフラックスに含まれている活性剤等の成分が、腐食性をもつイオン水として基体に存在する可能性がある。また、基体に活性剤が残留しているとき、大気に含まれる湿気が凝縮した凝縮水が活性剤等の成分を溶解し、腐食性をもつイオン水として基体に存在する可能性がある。そこで上記した熱処理工程を実施し、フラックスに含まれている活性剤等の不活性化を促進させる。
【００１６】
また熱処理工程後に、基体に半田付けされている第１電気部品を保護コート層で被覆する被覆工程が実施されることが好ましい。保護コートとしては、無機材料および／または樹脂材料で形成できる。無機材料としては、アルミナ、窒化アルミナ、炭化珪素等のセラミックスが挙げられる。樹脂材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用できる。熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。天然樹脂であるロジン、および／または変性ロジンも使用可能である。
【００１７】
更に、基体および／または保護コート層は、基体に付着する流動物が保護コート層と基体との接合面に接触することを抑える流動物接触抑制構造を有することが好ましい。流動物接触抑制構造は、基体の上面に形成され基体に存在する流動物を流下させる流下傾斜面を備えていることが好ましい。また、流動物接触抑制構造は、基体の上面に形成され基体に存在する流動物が保護コート層と基体との接合面に接触することを抑える溝を有することが好ましい。また、流動物接触抑制構造は、保護コート層の外側を覆うロジン被覆層を有することが好ましい。
【００１８】
（実施形態１）
以下、本発明の実施形態を図１を参照して説明する。本実施形態に係る半田付け方法においては、第１半田付け工程では、図１の状態（１）として示すように、電気絶縁性をもつセラミックス（例えばアルミナ、炭化珪素）を基材とする基板１（基体）の表面である上面１ｕの第１領域１ｆにおいて、銅等の導電材料で形成された導電層１１を電極層として形成する。更に、図１の状態（２）として示すように、基板１上の導電層１１の上面に半田層２を印刷で積層する。次に、図１の状態（３）として示すように、基板１上の半田層２の上に第１電気部品３１を配置する。第１電気部品３１の外壁面は、半田付け性を向上させるための金属薄膜３１ｃを有する。図１の状態（４）として示すように、その状態で、基板１を加熱炉に挿入し、大気雰囲気において半田層２を加熱して半田層２を溶融凝固させ、第１電気部品３１を基板１の第１領域１ｆに半田付けする。半田層２はフィレット化される。第１電気部品３１は電気を使用する部品であり、電気部品でも良いし、電子部品でも良く、抵抗、コンデンサ、コイル、マイコン、メモリ、インターフェース、入力機器、出力機器を例示できる。第１電気部品３１は、絶縁基板に抵抗体等の電子素子を搭載したものでも良い。
【００１９】
その後、第２半田付け工程を実施する。第２半田付け工程では、図１の状態（５）として示すように、基板１を上下反転させた状態で、基板１のうち第１電気部品３１を半田付けした第１領域１ｆと異なる第２領域１ｓ（上下反転させた下側の位置）に、ハロゲン元素を含有する活性剤を含むフラックス４を塗布して存在させる。フラックス４は、ハロゲン元素（例えばＢｒ，Ｃｌ）を含有する活性剤を含む。
【００２０】
フラックス４を塗布した状態で、図１の状態（６）として示すように、第２電気部品３２を基板１の下面１ｄ（反転により上側となっている表面）に配置する。ここで、基板１は、これを厚み方向に貫通する貫通孔であるスルーホール１３を有する。スルーホール１３には、銅等の導電材料で形成されたスルーホール用導電層１１ｍが設けられている。スルーホール用導電層１１ｍは、スルーホール１３の内周壁面に被覆された筒部１１０と、基板１の片側に被覆された第１鍔部としての導電性をもつ鍔部１１２と、基板１の他の片側に被覆された第２鍔部としての導電性をもつ鍔部１１４とをもつ。第２電気部品３２の端子となる脚３２ｃは、筒部１１０に対面するようにスルーホール１３に挿入される。
【００２１】
第２半田付け工程では、図１の状態（７）として示すように、溶融半田５０（温度：３００〜４４０℃）を貯留したＤｉｐ槽とも呼ばれる半田槽５の湯面５ｓ側に基板１を接近させて配置する。その状態で、半田槽５に装備されている作動源５２を作動させ、半田槽５の溶融半田５０の一部を基板１の下側となった上面１ｄに向けて部分的に持ち上げる。この結果、持ち上がった溶融半田５０は、基板１のスルーホール１３内のスルーホール導電層１１ｍに接触しつつ、スルーホール１３内をフラックス４の一部と共に第２電気部品３２に向けて浸透透過する。この溶融半田は、基板１の導電層１１ｍの鍔部１１２と第２電気部品３２の下面３２ｄとの間に配置される。基板１のスルーホール１３を介して供給された溶融半田が凝固すれば、第２電気部品３２の脚３２ｃがスルーホール１３に挿入された状態で、第２電気部品３２は基板１のうち第１電気部品３１と反対側に半田付けされて固定される。このとき、スルーホール１３内の溶融半田も速やかに凝固し、第２電気部品３２の脚３２ｃが基板１のスルーホール１３内で固定される。
【００２２】
その後、第１電気部品３１および第２電気部品３２が半田付けされた基板１を、熱処理炉６の大気雰囲気の炉室に装入させることにより熱処理工程を行う。ここで、熱処理工程では、熱処理温度の下限温度側の温度Ｔｍｉｎとしては、１８０℃以上とする。殊に１９０℃以上、１９５℃以上、２００℃以上が好ましい。熱処理温度の上限温度側の温度Ｔｍａｘとしては、半田溶融温度＋αの温度未満とする。半田材料等に応じて、αは０〜１０℃以内、０〜５℃以内で適宜設定することが好ましい。但し、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度Ｔ２を考慮することが好ましい。従って、熱処理温度の上限温度側の温度Ｔｍａｘとしては、半田溶融温度＋αの温度未満の温度Ｔ１、または、電気部品の耐熱温度未満の温度Ｔ２のうちのいずれかとすることができる。従って、上限温度側の温度Ｔｍａｘとしては、温度Ｔ１および温度Ｔ２のうちの低い方を採用する。熱処理時間としては１８０秒以内、１２０秒以内、６０秒以内、３０秒以内とすることができる。熱処理時間が過剰に長いと、電気部品３１，３２に影響を与えるおそれがあるし、熱処理の生産性が低下する。熱処理時間が過剰に短いと、伝熱が不充分となり、フラックスに含まれている活性剤の不活性化が低下するおそれがある。
【００２３】
このような熱処理工程により、フラックスに含まれている活性剤（特にＢｒ，Ｃｌ等のハロゲン元素）による影響を低減させる。この場合、フラックスに含まれている活性剤（特にハロゲン元素）を不活性化させる。熱処理により不活性化させるメカニズムとしては、活性剤の活性成分（特にハロゲン元素）が、フラックスを構成している他の成分と高温雰囲気において化合物を形成し、不活性化されると推定される。不活性とされた活性剤は残留していても支障がない。その後、熱処理工程後に、基板１に半田付けされている第１電気部品３１および／または第２電気部品３２を保護コート層で被覆する被覆工程が実施される。保護コート層は樹脂コートでも良いし、無機コートでも良いし、両者を併用しても良い。
【００２４】
以上説明したように本実施形態によれば、第１電気部品３１および第２電気部品３２が半田付けされた基板１を、熱処理工程においては、上記した熱処理温度領域内において加熱させる。このため、第２半田付け工程において使用されるフラックスに含まれていた活性剤が基板１上に残留するときであっても、基板１において残留する活性剤（特にハロゲン元素）の不活性化を熱処理工程において促進させることができる。このため、第１電気部品３１および／または第２電気部品３２を被覆する保護コート層において、活性剤（特にハロゲン元素）に起因してクラック等の損傷が発生することが抑制されている。
【００２５】
すなわち、フラックスに含まれている活性剤が高温の溶融半田と接触すると、フラックスに含まれている活性剤は、溶融半田の熱により不活性化される。しかし本実施形態では、第２半田付け工程においては、基板１側に持ち上がった溶融半田は、基板１に存在するフラックス４と接触しつつ、表面張力等によって、基板１の下側となっている上面１ｕ（表面）を矢印Ｅ方向（図１の（６）に示す状態）に沿って第１電気部品３１に向けて流れることがある。このような溶融半田の温度は、温度をかなり低下させている。このように温度が低温化した半田が基板１のフラックス４と接触しつつ基板１の表面に沿って流れるときには、フラックス４に含まれている活性剤は溶融半田と接触しても、溶融半田５０が低温化されているため、活性剤は不活性化されにくい。よって活性剤は活性状態を維持しつつ、基板１の上面１ｕ（第１電気部品３１が搭載されている表面）において残留するおそれがある。このように不活性化が進行していない活性剤が基板１の上面１ｕ（第１電気部品３１が搭載されている表面）に残留する場合には、次の不具合を発生させるおそれがある。
【００２６】
すなわち、使用時において、車載などのように、凝縮水を生成させる程の湿度が高い環境において基板１が設置されたり、あるいは、外部水が進入する環境において基板１が設置されたりすると、基板１に残留する活性剤（不活性化が不充分）に含まれる成分が水に混ざり、腐食性をもつイオン水を生成させるおそれがある。この場合、イオン水は、基板１上の保護コート層を剥がす要因となり、保護コート層で覆われている半田部や電気部品の劣化を促進させる要因となりかねない。特に、フラックスの活性剤に含まれる成分がＢｒ，Ｃｌ等のハロゲン元素である場合には、イオン水は腐食性を発揮させることになる。この場合、イオン水は保護コート層等に対して剥がれ等の損傷を発生させる要因となり、半田部や電気部品の劣化を促進させる要因となりかねない。
【００２７】
この点について本実施形態によれば、第１電気部品３１および第２電気部品３２が半田付けされた基板１を、熱処理工程においては、上記した熱処理温度領域内において加熱させる。このため第２半田付け工程において使用されるフラックス４に含まれていた活性化されている活性剤が基板１上に残留するときであっても、基板１の上面１ｕ（第１電気部品３１が搭載されている表面）において残留する活性剤（特にハロゲン元素）の不活性化を、熱処理工程において促進させることができる。このため第１電気部品３１および／または第２電気部品３２を覆う保護コート層において、活性剤（特にハロゲン元素）に起因してクラック等の損傷を発生させることが抑制されている。従って、第１電気部品３１および第２電気部品３２を実装している基板１の耐久性の向上、長寿命化を図り得る。
【００２８】
なお、第１半田付け工程においても、活性剤を含有するフラックスが使用される。しかし第１半田付け工程では、フラックスと接触する溶融半田の温度が１８０℃以上または２００℃以上と高温であるため、フラックスに含まれている活性剤は不活性化される。よって第１半田付け工程において残留するフラックスは特に支障がない。なお、第１半田付け工程および第２半田付け工程において使用される半田としては公知の半田を採用でき、例えば、Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、場合によってはＳｎ−Ｐｂ系が例示される。
【００２９】
（実機試験例）
実施形態１の効果を確認する試験を実機試験例として実施した。この場合では、第１半田付け工程として、半田ペーストとフラックスとを含有する半田ペースト（溶融温度：２１０〜２２０℃、型式：TLF-204-SIS、株式会社：タムラ製作所）を用いて電気部品３１を基板１に半田付けした。次に、電気部品３２を第２半田付け工程にてフラックス４を用いて半田付けした。（電気部品３２は第２半田付け工程で半田付けされる。）半田の組成は、Ｓｎ−３．０質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕとした。用いたフラックス４は、ハロゲン元素（Ｂｒ）を含有する活性剤を含むポストフラックス（型式：ＥＳ−１０６１，千住金属株式会社）とした。凝縮水を発生させ得るような可能性がある多湿雰囲気において実際に基板１が長期にわたり使用されると、樹脂製の保護コート層と基板との接合面においてクラックが発生し、保護コート層の剥離が発生する傾向があった。更に、剥がれた保護コートの下でＡｇマイグレーションが発生する傾向があった。
【００３０】
（モデル試験例）
上記実機試験の場合、1年以上の長期間の試験が必要であった。そこで、水の入った状態を模擬して、次のモデル試験を行うことで加速試験とした。モデル試験片（パナソニック株式会社、１６０８サイズ（品番：９６１０１０−４５２００、型番：ＥＲＪ３ＧＥＹＪ１０４Ｖ）を用い、（ｉ）〜（ｉｖ）に従って加速試験を実施した。
（ｉ）熱処理を行ったハロゲン元素（Ｂｒ）を含有する活性剤を含むポストフラックス（型式：ＥＳ−１０６１，千住金属株式会社）と純水とを混合した。これによりイオン量（Ｂｒイオン）を０〜１４００ｐｐｍの範囲内において変化させた複数の混合水を形成した。各混合水を２日以上静置した後に、上澄み液を試験液としてそれぞれ採取した。イオン量が低い試験液については、純水で希釈させて作製した。
（ｉｉ）上澄み液で形成した試験液（温度：室温（２５℃））の内部に、試験片としてチップ抵抗２０個をそれぞれ浸漬させ、恒温槽において２週間、放置した。各濃度に調整した試験液毎にチップ抵抗を２０個浸漬させた。
（ｉｉｉ）各試験液から試験片をそれぞれ取り出し、溶媒（ＩＰＡ）により試験片を超音波洗浄した（１０分間×２回）。更に、試験片を６０℃×１時間で乾燥した。
（ｉｖ）光学顕微鏡観察および電子顕微鏡観察（ＳＥＭ）を行い、試験片におけるクラックを検出した。そしてクラック発生率を測定した。クラックは、保護コート層と基板の上面との接合面に形成されていた。
【００３１】
図２および図３は試験結果を示す。図２の横軸は熱処理温度を示し、縦軸は試験液のイオン量（Ｂｒイオン）を示す。イオン量はガスクロマトグラフィにより測定した。図３の横軸はイオン量（Ｂｒイオン）を示し、縦軸は試験片におけるクラック発生率を示す。図２および図３においてＡ範囲が好ましい範囲であり、Ｂ範囲が更に好ましい範囲である。図２によれば、熱処理温度が上昇するにつれてイオン量が低下している。特に、熱処理温度が１８０℃以上、１９０℃以上であれば、イオン量の低下は著しい。熱処理温度が２００℃であれば、残留するイオン量は１００ｐｐｍ程度であり、熱処理温度が２５０℃であれば、実質的に０であった。
【００３２】
図３によれば、イオン量が低下するにつれて試験片におけるクラック発生率が低下している。殊に、加速試験において、イオン量が２００ｐｐｍであれば、クラック発生率が１０％程度に低下している。これは加速試験であるため、１０％でも実用上の使用条件では支障がないと考えられる。イオン量が１００ｐｐｍであれば、クラック発生率が０％に低下している。図２および図３に示す試験結果に基づけば、イオン量を低減させるためには、熱処理温度を１８０℃以上、殊に１９０℃以上、なかでも２００℃以上が好ましい。
【００３３】
（実施形態２）
図４〜図６は実施形態２に係る第１電気部品３１を示す。図４は第１電気部品３１の斜視図を示す。図５はＹ方向に沿って切断した縦断面を示す。図６はＸ方向に沿って切断した横断面を示す。本実施形態は実施形態１と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。第１電気部品３１はセラミックスなどで形成された絶縁基板３１ａを有する。絶縁基板３１ａには、絶縁基板３１ａの材料が露出する一面（図４の図示で上面）側の基板露出面３１ａｕ，他面（図４の図示で下面）側の基板露出面３１ａｄが形成されている。絶縁基板３１ａには金属薄膜３１ｃが被覆されている。金属薄膜３１ｃは、銅またはスズあるいはこれらの合金で形成されたメッキ層で被覆されている。
【００３４】
本実施形態においても、実施形態１と同様に、第２半田付け工程を実施した後に、第１電気部品３１および第２電気部品３２を半田付けした基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックス４に含まれている活性剤による影響、殊に活性剤に含まれるハロゲン元素による影響を低減させる熱処理工程を実施する。熱処理時間としては、使用するフラックス４によっても相違するが、１８０秒間以内、１２０秒間以内、６０秒以内とすることが好ましい。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上、
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
そして、熱処理工程後に、基板１上に半田付けされた第１電気部品３１を保護コート層７で被覆する被覆工程が実施されている。図５に示すように、保護コート層７は、第１電気部品３１の抵抗体３１ｂ（電子素子）を被覆するセラミックスを基材とする無機コート層７１と、無機コート層７１を被覆する熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂等）を基材とする樹脂コート層７２とで形成されている。場合によっては、無機コート層７１を樹脂コート層としても良い。図５では樹脂コート層７２は、第１電気部品３１の主要素である抵抗体３１ｂを被覆している。図６では樹脂コート層７２は絶縁基板３１ａの上面を被覆している。なお第２電気部品３２については保護コート層で被覆しても良いし、しなくても良い。なお、図６において、下面７２ｄは樹脂コート層４２の下面（端面）を示し、７２ｘは樹脂コート層７２と絶縁基板１ａとの接合面を示す。
【００３５】
（実施形態３）
図７〜図９は実施形態３を示す。図７は第１電気部品３１の斜視図を示す。図８はＸ方向に沿って切断した縦断面を示す。図９はＹ方向に沿って切断した横断面を示す。本実施形態は実施形態１，２と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。第１電気部品３１は、電気絶縁性をもつセラミックスで形成された絶縁基板３１ａを有する。絶縁基板３１ａの表面には、電極層を形成する導電層である金属薄膜３１ｃが被覆されている。金属薄膜３１ｃは、銅またはスズあるいはこれらの合金で形成されたメッキ層で被覆されている。
【００３６】
本実施形態においても、実施形態１，２と同様に、第１電気部品３１および第２電気部品３２を半田付けした基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響、殊に活性剤に含まれるハロゲン元素による影響を低減させる熱処理工程を実施する。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上、
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
このような熱処理工程により、フラックスに含まれる活性化剤が不活性となり、使用時において、腐食性をもつイオン水の生成が抑制されている。本実施形態によれば、熱処理工程後に、図８および図９に示すように、基板１上に半田付けされた第１電気部品３１の抵抗体３１ｂ（電子素子）を外側から保護コート層７で被覆する被覆工程が実施されている。保護コート層７は、抵抗体３１ｂ（電子素子）を外側から被覆するアルミナ等を基材とする無機コート層７１と、無機コート層７１を被覆する熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂等）を基材とする樹脂コート層７２とで形成されている。場合によっては、無機コート層７１を樹脂コート層としても良い。
【００３７】
本実施形態では、図７〜図９に示すように、第１半田付け工程前の絶縁基板３１ａの基板露出面３１ａｕに、レーザビームや電子ビーム等の高エネルギ密度ビームの照射により、上面が開口する第１溝１０１を直状に形成し、第１溝１０１の長さ方向の途中部に連通するように第１溝１０１に交差する第２溝１０２を直状に形成する。図７に示すように、第１溝１０１は上面開口１０１ｕをもち、樹脂コート層７２を両側から挟むように互いに並設されている。第２溝１０２は、上方に開放された上面開口１０２ｕと、横方に開放された側面開口１０２ｄとをもち、第１溝１０１に連通しつつ、水（イオン水等の流動物）を絶縁基板３１ａの外方側に排出できる。例えば、第１溝１０１および第２溝１０２の溝幅は１０〜５０マイクロメートル、溝高は２０〜７０マイクロメートルにできるが、これらに限定されるものではない。
【００３８】
図７、図８に示すように、第１溝１０１は、樹脂コート層７２で被覆されておらず、樹脂コート層７２の両側に位置しつつ、樹脂コート層７２の下面７２ｄ（端面）と絶縁基板３１ａの上面との接合面７２ｘの入口側（樹脂コート層７２のうち、これの側面７２ｓと絶縁基板３１ａの上面である基板露出面３１ａｕとが交差する外縁７２ｐ側）に隣設されている。このため、樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基板３１ａの上面との接合面７２ｘに、腐食性をもつイオン水（流動物）が侵入することが抑制される。第１溝１０１および第２溝１０２は、絶縁基板３１ａの上面において、金属薄膜３１ｃ以外の領域（絶縁基板３１ａの上面の基板材料が露出している基板露出面３１ａｕ）に形成されている。その理由としては、金属薄膜３１ｃが第１溝１０１および第２溝１０２に接触しないように金属薄膜３１ｃを絶縁基板３１ａの上面に形成するためである。このような第１溝１０１および第２溝１０２は、基板１や絶縁基板３１ａに付着するイオン水等の流動物が樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基盤３１ａの上面との接合面７２ｘに接触することを抑える流動物接触抑制構造として機能することができる。
【００３９】
上記したように本実施形態によれば、製造段階では、フラックス４の活性剤（特にハロゲン元素）が実装基板１に残留しないように熱処理工程が実施されている。このため実装部品の用途によって水が基板１にかかるおそれがある場合、あるいは、大気中の湿気が凝縮して基板１において凝縮水となる場合等であっても、その水は、腐食性をもつイオン水が生成されることが抑制されている。従って基板１の耐久性を高めることができる。
【００４０】
但し、万一、何らかの事情（例えば外部からの侵入等）により、腐食性をもつイオン水（流動物）が基板１に存在する場合があり得る。このような場合であっても、本実施形態によれば、第１溝１０１および第２溝１０２が第１電気部品３１の絶縁基板３１ａの上面に形成されているため、イオン水が第１電気部品３１を損傷させることが抑制される。よって樹脂コート層７２の下面７２ｄ（端面）と絶縁基板３１ａの上面（表面）との接合面７２ｘにおいて、イオン水に起因するクラックが発生することが抑制される。樹脂コート層７２の耐久性の向上、長寿命化に貢献でき、ひいては第１電気部品３１の耐久性の向上、長寿命化に貢献できる。
【００４１】
（実施形態４）
図１０は実施形態４を示す。図１０はＸ方向に沿って切断した横断面を示す。本実施形態は実施形態１，２と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。本実施形態は各実施形態と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。本実施形態においても、各実施形態と同様に、第１電気部品３１等を半田付けした基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
このような熱処理工程により、フラックスに含まれる活性化剤が不活性となり、腐食性をもつイオン水の生成が抑制されている。
【００４２】
そして、熱処理工程後に、第１電気部品３１の抵抗体３１ｂ（電子素子）を保護コート層７（図１０参照）で被覆する被覆工程が実施されている。保護コート層７は、抵抗体３１ｂを被覆するセラミックスを基材とする無機コート層７１と、無機コート層７１を被覆する熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）を基材とする樹脂コート層７２とで形成されている。場合によっては、無機コート層７１を樹脂コート層としても良い。
【００４３】
本実施形態によれば、図１０に示すように、この絶縁基板３１ａの端部には、切削や研磨等により、あるいはレーザビーム等の高エネルギ密度ビームにより、絶縁基板３１ａの水平に沿った上面に対して傾斜角度θ（図１０参照）で下降傾斜する流下傾斜面２００が形成されている。図１０に示すように、流下傾斜面２００は、互いに背向する位置に形成された直状の第１流下傾斜面２０１と第２流下傾斜面２０２とを有する。図１０に示すように、流下傾斜面２０１，２０２は、保護コート層７の樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基板３１ａの上面との接合面７２ｘにおける外縁７２ｘｐを、ほぼ始点として外方に向けて下降傾斜するように延設されている。流下傾斜面２０１，２０２の終端２０１ｅ，２０２ｅは、セラミックス製の絶縁基板３１ａの側面３１ｓに到達するように下降傾斜している。このような流下傾斜面２０１，２０２は、保護コート層７および絶縁基板３１ａの上面に存在する流動物としての水を、絶縁基板３１ａの外部（絶縁基板３１ａの側面３１ｓ）に向けて、矢印Ａ２方向に沿って流下させて逃がす機能を有する。このため万一、水（腐食性をもつイオン水、または、イオンではない水）が保護コート層７の樹脂コート層７２や絶縁基板３１ａの上面に存在する場合であっても、その水を逃がすことができ、水（流動物）の溜まりが発生することが抑制される。
【００４４】
上記したように本実施形態によれば、前記した各実施形態と同様に、製造段階では、基板１に残留するおそれがあるフラックスの活性剤（特にハロゲン元素）が基板１において活性化しないように、熱処理工程が実施されている。このため第１電気部品３１等の用途によって水が基板１にかかるおそれがある場合、あるいは、大気中の湿気が凝縮して基板１において凝縮水となる場合等であっても、その水は腐食性が少ない水であり、腐食性をもつイオン水となることが抑制される。従って実装基板１の耐久性を高めることができる。
【００４５】
但し、万一、何らかの事情（例えば外部からの侵入等）により腐食性をもつイオン水が電気部品３１の絶縁基板３１ａや樹脂コート層７２上に存在する場合であっても、図１０に示すように、絶縁基板３１ａの上面には第１流下傾斜面２０１および第２流下傾斜面２０２が形成されている。このため、腐食性をもつイオン水（流動物）を流下傾斜面２０１，２０２を介して絶縁基板３１ａの上面から逃がすことができる。従って、樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基板３１の上面との接合面７２ｘから樹脂コート層７２内に水が侵入することが抑制される。よって、腐食性をもつイオン水が樹脂コート層７２，無機コート層７１，半田部、第１電気部品３１等を損傷させることが抑制され、これらの耐久性を高めることができる。従って、第１流下傾斜面２０１および第２流下傾斜面２０２は、基板１に付着するイオン水等の流動物が樹脂コート層７２の端面である下面７２ｄと絶縁基板３１ａとの接合面７２ｘに接触することを抑える流動物接触抑制構造として機能することができる。
【００４６】
（実施形態５）
図１１は実施形態５を示す。図１１はＸ方向に沿って切断した横断面を示す。本実施形態は実施形態１，２と基本的には同様の構成および同様の作用効果を有する。本実施形態においても、半田付け工程が終了した後、第１電気部品３１等を半田付けした基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。
（本実施形態においても、実施形態１と同様に、半田付け工程が終了した基板１を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎ、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘの範囲内に設定された温度領域内において加熱させることにより、フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程を実施する。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、第１電気部品３１および第２電気部品３２のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１およびＴ２のうちの低い側の温度
そして、熱処理工程後に、第１電気部品３１を保護コート層７で被覆する被覆工程が実施されている。図１１に示すように、保護コート層７は、第１電気部品３１の抵抗体３１ｂ（電子素子）を被覆する無機コート層７１と、無機コート層７１を被覆するエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成された樹脂コート層７２とで形成されている。更に、図１１に示すように、絶縁基板３１ａの上面と樹脂コート層７２の下面７２ｄとの接合面７２ｘを外側から被覆するように、ロジン（天然樹脂，まつやに）をスプレー等の塗布手段で覆っている。これによりロジン被覆層７８が樹脂コート層７２の外側に被覆されている。ロジン被覆層７８の下面７８ｄは、絶縁基板３１ａの上面を上側から被覆している。更に、ロジン被覆層７８の下方に延びる下端部７８ｓは、絶縁基板３１ａの側面３１ｓを外側から被覆している。
【００４７】
上記したように本実施形態によれば、製造段階では、フラックス４の活性剤（特にハロゲン元素）が実装基板１に残留しないように熱処理工程が実施されている。このためフラックスの活性化剤が不活性となり、腐食性をもつイオン水の生成が抑制されている。従って、電気部品３１，３２の用途によって水が基板１にかかるおそれがある場合、あるいは、大気中の湿気が凝縮して基板１において凝縮水となる場合等であっても、その水は腐食性が少ない水であり、結果として、その水が、腐食性をもつイオン水となることが抑制される。従って腐食性をもつイオン水（流動物）によって樹脂コート層７２が損傷するおそれが抑制される。従って、基板１における第１電気部品３１、第２電気部品３２、半田部の耐久性を高めることができる。
【００４８】
但し、万一、何らかの事情（例えば外部からの侵入等）により、腐食性をもつイオン水が基板１上や保護コート層７上に存在する場合があり得る。このような場合であっても、樹脂コート層７２には、これの側面７２ｓを覆うようにロジン被覆層７８が被覆されている。このため、腐食性をもつイオン水が樹脂コート層７２の下面７２ｄ（端面）と絶縁基板３１ａとの接合面７２ｘから樹脂コート層７２内に侵入することが抑制される。よって、腐食性をもつイオン水が樹脂コート層７２、第１電気部品３１や半田部を損傷させることが抑制される。従って、ロジン被覆層７８は、基板１に付着するイオン水等の流動物が樹脂コート層７２の下面７２ｄと絶縁基板３１ａの上面との接合面７２ｘに接触することを抑える流動物接触抑制構造として機能することができる。
【００４９】
（その他）
図１に示す実施形態では、電気部品の搭載密度を高めるため、第２電気部品３２は第１電気部品３１と反対側の表面に半田付けされるが、これに限らず、第２電気部品３２は第１電気部品３１と同じ側の表面に半田付けされることにしても良い。電気部品は電子部品を含む意味である。本発明は上記し且つ図面に示した実施形態のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施できる。溝や流下傾斜面等の流動物接触抑制構造が基板１等に必ずしも形成されていなくても良い。第２半田付け工程では、半田槽５の溶融半田５０の湯面を特に持ち上げることなく、基板１を半田槽５の溶融半田５０の平坦な湯面に接触させる方式でも良い。本明細書から次の技術的思想も把握できる。
［付記項１］電気絶縁性をもつ基板等の基体と、前記基体の第１領域に設けられた導電層に積層された半田層を介して半田付けされた電気部品と、前記基体に半田付けされた前記電気部品を被覆する保護コート層とを具備しており、前記基体および／または前記保護コート層は、前記基体に付着する流動物が前記保護コート層と前記基体との接合面に接触することを抑える流動物接触抑制構造を有する基体半田付け構造。この場合、腐食性をもつイオン水等の流動物に起因して保護コート層が損傷することが抑制される。保護コート層の被覆前に、前記した熱処理工程を実施することが好ましいが、実施せずとも良い。
［付記項２］付記項１において、前記流動物接触抑制構造は、前記基体の上面に形成され前記基体に存在する流動物を流下させる流下傾斜面を備えている基体半田付け構造。前記した熱処理工程を実施することが好ましいが、実施せずとも良い。流下傾斜面は、保護コート層から保護コート層の外部に流下させることが好ましい。
［付記項３］付記項１において、前記流動物接触抑制構造は、前記基体の上面（表面）に形成され前記基体に存在する前記流動物が前記保護コート層と前記基体との接合面に接触することを抑える溝を有する基体半田付け構造。この場合、腐食性をもつイオン水等の流動物による保護コート層の損傷が抑制される。前記した熱処理工程を実施することが好ましいが、実施せずとも良い。溝は、前記基体において接合面の外側に設けられていることが好ましい。
［付記項４］付記項１において、前記流動物接触抑制構造は、前記保護コート層の外側を覆うロジン被覆層を有する基体半田付け構造。この場合、腐食性をもつイオン水等の流動物による保護コート層の損傷が抑制される。前記した熱処理工程を実施することが好ましいが、実施せずとも良い。
［付記項５］付記項１〜４のうちの一項において、前記基体はこれを厚み方向に貫通するスルーホールを有しており、半田付け工程は、溶融半田を貯留した半田槽の上側に前記基体を配置した状態で、前記基体の下面を前記半田槽の前記溶融半田に接近または接触させ、前記溶融半田を前記スルーホールを介して前記基体の上面側に供給させることにより行われる基体半田付け構造。
【符号の説明】
【００５０】
１は基板（基体）、１ｕは上面（表面）、１ｄは下面（表面）、１１は導電層、２は半田層、３１は第１電気部品、３１ａは絶縁基板、３２は第２電気部品、５は半田槽、５０は溶融半田、６は熱処理炉、７は保護コート層、７１は無機コート層、７２は樹脂コート層、７２ｘは接合面、７８はロジン被覆層（流動物接触抑制構造）、１０１，１０２は溝（流動物接触抑制構造）、２００は流下傾斜面、２０１は第１流下傾斜面、２０２は第２流下傾斜面（流動物接触抑制構造）を示す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性をもつ基体に設けられた導電層に積層された半田層を介して第１電気部品を前記基体の第１領域に半田付けする第１半田付け工程と、
その後、前記基体のうち前記第１電気部品を半田付けした前記第１領域と異なる第２領域に、活性剤を含有するフラックスを存在させた状態で、第２電気部品を半田付けする第２半田付け工程と、
その後、前記第１電気部品および前記第２電気部品が半田付けされた前記基体を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎと、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘとで規定される熱処理温度の領域内において加熱させることにより、前記フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程とを実施する半田付け方法。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上、
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、前記第１電気部品および前記第２電気部品のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１および温度Ｔ２のうちの低い側の温度
【請求項２】
請求項１において、前記熱処理工程において前記熱処理温度の領域内に維持される熱処理時間は１８０秒以内である半田付け方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第２半田付け工程は、溶融半田を貯留した半田槽の上側に前記基体を配置した状態で、前記基体の下側の表面を前記半田槽の前記溶融半田に接近または接触させ、前記溶融半田を前記基体の表面側に供給させることにより行われる半田付け方法。
【請求項４】
請求項１〜３のうちの一項において、前記熱処理工程後に、前記基体に半田付けされている前記第１電気部品を保護コート層で被覆する被覆工程を実施し、
前記基体および／または前記保護コート層は、前記基体に付着する流動物が前記保護コート層と前記基体との接合面に接触することを抑える流動物接触抑制構造を有する半田付け方法。
【請求項５】
請求項４において、前記流動物接触抑制構造は、前記基体の上面に形成され前記基体に存在する流動物を流下させる流下傾斜面を備えている半田付け方法。
【請求項６】
請求項４において、前記流動物接触抑制構造は、前記基体の上面に形成され前記基体に存在する前記流動物が前記保護コート層と前記基体との接合面に接触することを抑える溝を有する半田付け方法。
【請求項７】
請求項４において、前記流動物接触抑制構造は、前記保護コート層の外側を覆うロジン被覆層を有する半田付け方法。
【請求項１】
電気絶縁性をもつ基体に設けられた導電層に積層された半田層を介して第１電気部品を前記基体の第１領域に半田付けする第１半田付け工程と、
その後、前記基体のうち前記第１電気部品を半田付けした前記第１領域と異なる第２領域に、活性剤を含有するフラックスを存在させた状態で、第２電気部品を半田付けする第２半田付け工程と、
その後、前記第１電気部品および前記第２電気部品が半田付けされた前記基体を、下記の（ａ）の下限温度Ｔｍｉｎと、（ｂ）の上限温度Ｔｍａｘとで規定される熱処理温度の領域内において加熱させることにより、前記フラックスに含まれている活性剤による影響を低減させる熱処理工程とを実施する半田付け方法。
（ａ）熱処理温度の下限温度Ｔｍｉｎ：１８０℃以上、
（ｂ）熱処理温度の上限温度Ｔｍａｘ：半田溶融温度にマージン値α（０〜１０℃）を加算した温度をＴ１とし、前記第１電気部品および前記第２電気部品のうちの耐熱温度が低い側の電気部品の耐熱温度をＴ２とするとき、温度Ｔ１および温度Ｔ２のうちの低い側の温度
【請求項２】
請求項１において、前記熱処理工程において前記熱処理温度の領域内に維持される熱処理時間は１８０秒以内である半田付け方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第２半田付け工程は、溶融半田を貯留した半田槽の上側に前記基体を配置した状態で、前記基体の下側の表面を前記半田槽の前記溶融半田に接近または接触させ、前記溶融半田を前記基体の表面側に供給させることにより行われる半田付け方法。
【請求項４】
請求項１〜３のうちの一項において、前記熱処理工程後に、前記基体に半田付けされている前記第１電気部品を保護コート層で被覆する被覆工程を実施し、
前記基体および／または前記保護コート層は、前記基体に付着する流動物が前記保護コート層と前記基体との接合面に接触することを抑える流動物接触抑制構造を有する半田付け方法。
【請求項５】
請求項４において、前記流動物接触抑制構造は、前記基体の上面に形成され前記基体に存在する流動物を流下させる流下傾斜面を備えている半田付け方法。
【請求項６】
請求項４において、前記流動物接触抑制構造は、前記基体の上面に形成され前記基体に存在する前記流動物が前記保護コート層と前記基体との接合面に接触することを抑える溝を有する半田付け方法。
【請求項７】
請求項４において、前記流動物接触抑制構造は、前記保護コート層の外側を覆うロジン被覆層を有する半田付け方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−４４７２（Ｐ２０１２−４４７２Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１４０３１１（Ｐ２０１０−１４０３１１）
【出願日】平成２２年６月２１日（２０１０．６．２１）
【出願人】（０００００００１１）アイシン精機株式会社 (5,421)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月２１日（２０１０．６．２１）
【出願人】（０００００００１１）アイシン精機株式会社 (5,421)
【Ｆターム（参考）】
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