電子部品内蔵基板及びその製造方法

【課題】電子部品内蔵基板の反りを抑制する。あるいは、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造する。
【解決手段】電子部品内蔵基板の製造方法が、樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第1基板を準備することと、開口部を有する第2基板を準備することと、第1基板から部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、切り出された基板片を第2基板の開口部内に配置し、固定することと、を含む。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品内蔵基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、電子部品内蔵基板及びその製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2008−131039号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載の電子部品内蔵基板の製造方法では、電子部品を樹脂絶縁層に収容した後で、基板全体を加熱加圧する。この場合、電子部品(例えばシリコンから構成される半導体チップ)の熱膨張係数と樹脂絶縁層の熱膨張係数との差によって基板に反りが生じ易くなる。
【0005】
そして、基板の反りが大きくなると、基板に部品を表面実装する場合の実装信頼性が低下する。このため、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造することは困難になる。
【0006】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、電子部品内蔵基板の反りを抑制することを目的とする。また、本発明は、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、
樹脂絶縁層と、該樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第1基板を準備することと、
開口部を有する第2基板を準備することと、
前記第1基板から前記部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、
前記切り出された基板片を前記第2基板の前記開口部内に配置し、固定することと、
を含む。
【0008】
前記準備される第1基板の半導体チップ占有率は、前記第2基板の全ての前記開口部内に前記基板片が配置された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率よりも低い、ことが好ましい。
【0009】
前記準備される第1基板の半導体チップ占有率は、面積比で10%未満であり、前記電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率は、面積比で10%以上である、ことが好ましい。
【0010】
前記準備される第2基板は、半導体チップを有していない、ことが好ましい。
【0011】
前記第1基板の準備では、前記樹脂絶縁層をBステージ又はCステージまで硬化させる、ことが好ましい。
【0012】
前記第1基板の準備では、前記樹脂絶縁層をCステージまで硬化させる、ことが好ましい。
【0013】
前記第1基板に、前記部品内蔵部の位置を示すアライメントマークを形成することを含む、ことが好ましい。
【0014】
前記開口部を有する第2基板を準備することは、
第2基板を準備することと、
前記第2基板に開口部を形成することと、
前記開口部の形成後、前記第2基板の反り軽減のため、前記第2基板の端部を切り落とすことと、
を含む、ことが好ましい。
【0015】
前記第2基板の縁部には導体パターンが形成されており、前記切り落とされる前記第2基板の端部は、前記導体パターンが形成されている前記縁部を含む、ことが好ましい。
【0016】
前記開口部は、前記第2基板を貫通する孔である、ことが好ましい。
【0017】
前記電子部品は、半導体チップである、ことが好ましい。
【0018】
前記第1基板は、リジッド配線板である、ことが好ましい。
【0019】
前記第1基板は、ビルドアッププリント配線板である、ことが好ましい。
【0020】
前記開口部内に配置された前記基板片を接着剤により固定する、ことが好ましい。
【0021】
前記第1基板は、前記部品内蔵部を複数有し、
前記基板片の配置に先立って、前記部品内蔵部の各々について良否判断を行うことを含み、
前記基板片の配置では、前記良否判断により良品と判断された部品内蔵部を含む基板片のみを前記開口部内に配置する、
ことが好ましい。
【0022】
本発明に係る電子部品内蔵基板は、
複数の開口部が形成された基板と、
前記基板とは別に製造され、前記複数の開口部の各々に固定された複数の半導体チップ内蔵基板片と、
を有する。
【0023】
前記電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率は、面積比で10%以上である、ことが好ましい。
【発明の効果】
【0024】
本発明によれば、例えば電子部品内蔵基板の反りを抑制することが可能になる。また、本発明によれば、この効果に加えて又はこの効果に代えて、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造することが可能になるという効果が奏される場合がある。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図2】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において用いられる第1基板を示す平面図である。
【図3】図2に示す第1基板の部品内蔵部の断面図である。
【図4A】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、図2に示す第1基板を製造する第1工程を説明するための図である。
【図4B】図4Aの工程の後の第2の工程を説明するための図である。
【図4C】図4Bの工程の後の第3の工程を説明するための図である。
【図4D】図4Cの工程の後の第4の工程を説明するための図である。
【図5】図4Dの工程の後の第5の工程を説明するための図である。
【図6】図5の工程の後の第6の工程を説明するための図である。
【図7】図6の工程の後の第7の工程を説明するための図である。
【図8】図7の工程の後の第8の工程を説明するための図である。
【図9】図8の工程の後の第9の工程を説明するための図である。
【図10】図9の工程の後の第10の工程を説明するための図である。
【図11】図10の工程の後の第11の工程を説明するための図である。
【図12A】図11の工程の後の第12の工程を説明するための図である。
【図12B】図12Aの工程の後の第13の工程を説明するための図である。
【図12C】図12Bの工程の後の第14の工程を説明するための図である。
【図13】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において第1基板に形成されるアライメントマークを示す平面図である。
【図14A】図13に示すアライメントマークの第1の形態を示す平面図である。
【図14B】図13に示すアライメントマークの第2の形態を示す平面図である。
【図15A】図13に示すアライメントマークの第1の例を示す断面図である。
【図15B】図13に示すアライメントマークの第2の例を示す断面図である。
【図15C】図13に示すアライメントマークの第3の例を示す断面図である。
【図15D】図13に示すアライメントマークの第4の例を示す断面図である。
【図16】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、部品内蔵部について検査を行う工程を説明するための図である。
【図17】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、第1基板から基板片を切り出す工程を説明するための図である。
【図18A】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、開口部を有する第2基板を準備する第1の工程を説明するための平面図である。
【図18B】図18Aに示す第2基板の断面図である。
【図19A】図18Aの工程の後の第2の工程を説明するための平面図である。
【図19B】図19Aに示す第2基板の断面図である。
【図20A】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、第2基板の開口部内に基板片を配置する工程を説明するための平面図である。
【図20B】図20Aに示す基板片及び第2基板等の断面図である。
【図21】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、第2基板の開口部内に配置された基板片を拡大して示す図である。
【図22A】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法において、開口部内に配置された基板片を接着剤により固定する工程を説明するための平面図である。
【図22B】図22Aに示す基板片及び第2基板等の断面図である。
【図23】本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板を示す断面図である。
【図24】基板片の切り出し及び別の基板への移し替えを行わずに、1つの基板で製造された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率と反り量との関係を示すグラフである。
【図25A】本発明の他の実施形態において、開口部における第2基板と基板片との隙間の所定の部分のみに接着剤を形成する第1の例を示す図である。
【図25B】本発明の他の実施形態において、開口部における第2基板と基板片との隙間の所定の部分のみに接着剤を形成する第2の例を示す図である。
【図26】本発明の他の実施形態において、基板片に形成された爪部(凸部)と開口部に形成された爪受け部(凹部)との結合により基板片を開口部内に固定する例を示す図である。
【図27】本発明の他の実施形態において、第2基板に形成された1つの開口部に、複数の基板片が収容される例を示す図である。
【図28A】本発明の他の実施形態において、開口部、基板片、並びに第1基板におけるスルーホール、アライメントマーク、及び各層のビアホールの平面形状の第1の例を示す図である。
【図28B】本発明の他の実施形態において、開口部、基板片、並びに第1基板におけるスルーホール、アライメントマーク、及び各層のビアホールの平面形状の第2の例を示す図である。
【図28C】本発明の他の実施形態において、開口部、基板片、並びに第1基板におけるスルーホール、アライメントマーク、及び各層のビアホールの平面形状の第3の例を示す図である。
【図28D】本発明の他の実施形態において、開口部、基板片、並びに第1基板におけるスルーホール、アライメントマーク、及び各層のビアホールの平面形状の第4の例を示す図である。
【図29】本発明の他の実施形態において、図3に示す構造とは異なる構造を有する第1基板を示す図である。
【図30】本発明の他の実施形態において、第2基板に形成される開口部が、第2基板を貫通しない孔から構成される例を示す図である。
【図31A】本発明の他の実施形態において、第2基板に形成される開口部の壁面がテーパした面からなる第1の例を示す図である。
【図31B】本発明の他の実施形態において、第2基板に形成される開口部の壁面がテーパした面からなる第2の例を示す図である。
【図32】本発明の他の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図33A】図32に示す電子部品内蔵基板の製造方法において、開口部を有する第2基板を準備する第1の工程を説明するための平面図である。
【図33B】図33Aに示す第2基板の断面図である。
【図34】図33Aの工程の後の第2の工程を説明するための図である。
【図35】図32に示す電子部品内蔵基板の製造方法において、第2基板の端部をカットする工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Z1、Z2は、それぞれ基板の主面(表裏面)の法線方向に相当する基板の積層方向(又は基板の厚み方向)を指す。一方、矢印X1、X2及びY1、Y2は、それぞれ積層方向に直交する方向(又は各層の側方)を指す。基板の主面は、X−Y平面となる。また、基板の側面は、X−Z平面又はY−Z平面となる。
【0027】
本実施形態では、積層方向において、コアに近い側を下層、コアから遠い側を上層という。
【0028】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線(グランドも含む)、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。
【0029】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。
【0030】
準備には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。
【0031】
「開口部内に配置」には、基板片の全体が開口部内に完全に配置されることのほか、基板片の一部のみが開口部内に配置されることなども含まれる。要は、基板片の少なくとも一部が開口部内に配置されれば足りる。
【0032】
めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、PVD(Physical Vapor Deposition)やCVD(Chemical Vapor Deposition)等の乾式めっきも含まれる。
【0033】
図1に、本実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示す。
【0034】
ステップS11では、図2に示すように、第1基板1000を準備する。第1基板1000は、ビルドアッププリント配線板である、詳しくは、第1基板1000は、例えばリジッド配線板である。
【0035】
第1基板1000の形状は、例えば略矩形板状である。ただしこれに限られず、第1基板1000の形状は任意である。
【0036】
第1基板1000は、複数の部品内蔵部10(例えば4つ)を有する。部品内蔵部10の間隔d10は、例えば22mmである。部品内蔵部10の間隔d10が小さいほど、1つの第1基板1000で得られる部品内蔵部10の数を増やし易くなる。
【0037】
部品内蔵部10は、図3に示すように、それぞれ収容部R1(キャビティ)を有し、収容部R1に電子部品200を内蔵している。本実施形態の収容部R1は、絶縁層100を貫通する孔から構成される。
【0038】
部品内蔵部10は、図3に示すように、絶縁層100(コア基板)と、絶縁層101、102と、導体層301、302、110、120と、ビア導体311b、312b、322bと、スルーホール導体300bと、から構成される。以下、第1基板1000の表裏面(2つの主面)の一方(Z1側)を第1面F1、他方(Z2側)を第2面F2という。また、絶縁層100の表裏面(2つの主面)の一方(Z1側)を第3面F3、他方(Z2側)を第4面F4という。また、電子部品200の表裏面(2つの主面)の一方(Z1側)を第5面F5、他方(Z2側)を第6面F6という。
【0039】
電子部品200は、電極210及び220を有する。本実施形態では、電子部品200が、片面(例えば第5面F5)にのみ電極を有する。電子部品200は、例えば半導体チップである。具体的には、電子部品200は、例えばシリコン(Si)から構成されるIC(集積回路)チップである。ただしこれに限定されず、例えば電子部品200は、シリコン以外の半導体から構成されるICであってもよいし、IC以外の電子部品(抵抗、コンデンサ、又はコイル等)であってもよい。
【0040】
電子部品200は、絶縁層100、101、102(それぞれ樹脂絶縁層)中に形成された収容部R1に配置される。電子部品200の第5面F5は、絶縁層100の第3面F3と同じ向きになる。収容部R1における電子部品200と絶縁層100との隙間には、絶縁体101aが充填される。絶縁体101aは、例えば周囲の絶縁層(例えば絶縁層100、101、102)から流出した樹脂から構成される。
【0041】
絶縁層100の第3面F3上には導体層301が形成され、絶縁層100の第3面F3上、導体層301上、及び電子部品200の第5面F5上には、絶縁層101と、導体層110とが、この順で積層される。また、絶縁層100の第4面F4上には導体層302が形成され、絶縁層100の第4面F4上、導体層302上、及び電子部品200の第6面F6上には、導体層302と、絶縁層102と、導体層120とが、この順で積層される。導体層110、120はそれぞれ、第1面F1側、第2面F2側の最外導体層となる。
【0042】
絶縁層100には、絶縁層100を貫通するスルーホール300aが形成され、スルーホール300aに導体(例えば銅のめっき)が充填されることによって、そのスルーホール300a内の導体がスルーホール導体300b(例えばフィルド導体)となる。絶縁層101にはビアホール311a、312aが形成され、ビアホール311a、312aの各々に導体(例えば銅のめっき)が充填されることによって、そのビアホール311a、312a内の導体がそれぞれビア導体311b、312b(それぞれ例えばフィルド導体)となる。また、絶縁層102にはビアホール322aが形成され、ビアホール322aに導体(例えば銅のめっき)が充填されることによって、そのビアホール322a内の導体がビア導体322b(例えばフィルド導体)となる。
【0043】
スルーホール導体300bは、導体層301と導体層302とを互いに電気的に接続し、ビア導体312bは、導体層301と導体層110とを互いに電気的に接続し、ビア導体322bは、導体層302と導体層120とを互いに電気的に接続する。また、ビア導体311bは、電子部品200の電極210、220と導体層110とを電気的に接続する。本実施形態では、ビア導体312b、322bの各々がスルーホール導体300bの直上(Z方向)に形成され、ビア導体312b、322b及びスルーホール導体300bによって、スタック導体が形成される。
【0044】
スルーホール導体300bの形状は、例えば砂時計状(鼓状)である。すなわち、スルーホール導体300bは括れ部300cを有し、スルーホール導体300bの幅は、絶縁層100の第3面F3から括れ部300cに近づくにつれて徐々に小さくなり、また、絶縁層100の第4面F4から括れ部300cに近づくにつれて徐々に小さくなる。しかしこれに限られず、スルーホール導体300bの形状は任意であり、例えば略円柱であってもよい。
【0045】
なお、第1基板1000の部品内蔵部10以外の部分も、電子部品200を内蔵していないことを除けば、概ね部品内蔵部10と同じ構造(図3参照)を有する。
【0046】
以下、図3に対応する断面図を参照して、第1基板1000の製造について説明する。
【0047】
まず、図4Aに示すように、出発材料として両面銅張積層板3000を準備する。両面銅張積層板3000は、絶縁層100(コア基板)と、絶縁層100の第3面F3上に形成された銅箔3001と、絶縁層100の第4面F4上に形成された銅箔3002と、から構成される。
【0048】
絶縁層100は、例えばガラスクロス(心材)にエポキシ樹脂を含浸させたもの(以下、ガラエポという)からなる。心材は、主材料(本実施形態ではエポキシ樹脂)よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維(例えばガラス布又はガラス不織布)、アラミド繊維(例えばアラミド不織布)、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、絶縁層100の材料は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)、イミド樹脂(ポリイミド)、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂(A−PPE樹脂)等を用いてもよい。また、絶縁層100は、心材を含んでいなくてもよい。絶縁層100は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【0049】
本実施形態では、この段階において、絶縁層100が、完全に硬化した状態(Cステージ)のガラエポからなる。
【0050】
続けて、図4Bに示すように、例えばCOレーザを用いて、第3面F3側からレーザを両面銅張積層板3000に照射することにより孔3003を形成し、第4面F4側からレーザを両面銅張積層板3000に照射することにより孔3004を形成する。孔3003と孔3004とは、X−Y平面において略同じ位置に形成され、最終的にはつながって、両面銅張積層板3000を貫通するスルーホール300aとなる。スルーホール300aの形状は、スルーホール導体300bに対応し、例えば砂時計状(鼓状)である。孔3003と孔3004との境界は括れ部300cに相当する。第3面F3に対するレーザ照射と第4面F4に対するレーザ照射とは、同時に行っても、片面ずつ行ってもよい。スルーホール300aを形成した後には、スルーホール300aについてデスミアを行うことが好ましい。デスミアにより、不要な導通(ショート)が抑制される。また、レーザ光の吸収効率を高めるため、レーザ照射に先立って銅箔3001、3002の表面を黒化処理してもよい。なお、スルーホール300aの形成は、ドリル又はエッチングなど、レーザ以外の方法で行ってもよい。ただし、レーザ加工であれば、微細な加工をし易い。特に、絶縁層100の熱膨張係数が小さい場合には、ドリル加工が困難になるため、レーザ加工が有効である。
【0051】
続けて、例えばパネルめっき法により、図4Cに示すように、銅箔3001、3002上及びスルーホール300a内に、例えば銅のめっき3005を形成する。具体的には、まず無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことにより、無電解めっき膜と電解めっきとから構成されるめっき3005を形成する。これにより、スルーホール300aにめっき3005が充填され、スルーホール導体300bが形成される。
【0052】
続けて、例えばエッチングレジスト及びエッチング液を用いて、絶縁層100の第3面F3及び第4面F4に形成された各導体層のパターニングを行う。具体的には、導体層301、302に対応したパターンを有するエッチングレジストで各導体層を覆い、各導体層の、エッチングレジストで覆われない部分(エッチングレジストの開口部で露出する部位)を、エッチングで除去する。これにより、図4Dに示すように、絶縁層100の第3面F3、第4面F4上にそれぞれ、導体層301、302が形成される。以下、こうして得られた基板を、基板3000aという。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。
【0053】
続けて、図5に示すように、基板3000a(詳しくは、絶縁層100)に収容部R1を形成する。本実施形態では、絶縁層100にレーザを照射することにより、収容部R1(絶縁層100を貫通する孔)を形成する。具体的には、例えばX−Y平面において四角形を描くようにレーザを照射することにより、絶縁層100における、収容部R1に対応した領域を、その周りの部分から切り取る。
【0054】
続けて、図6に示すように、例えばPET(ポリ・エチレン・テレフタレート)からなるキャリア3006を、基板3000aの片側(例えば第4面F4側)に設ける。これにより、収容部R1(孔)の一方の開口がキャリア3006で塞がれる。本実施形態では、キャリア3006が、粘着シート(例えばテープ)からなる。キャリア3006は、片面に粘着性を有し、その粘着性を有する面(以下、粘着面3006aという)上に基板3000aが載置される。キャリア3006は、例えばラミネートにより、基板3000aと接着される。
【0055】
続けて、図7に示すように、収容部R1(孔)の塞がれた開口とは反対側(Z1側)から、基板3000aの収容部R1に電子部品200を入れる。電子部品200は、例えば部品実装機により収容部R1に入れられる。これにより、図8に示すように、キャリア3006の粘着面3006a上に、電子部品200が載置される。
【0056】
続けて、図9に示すように、絶縁層100の第3面F3上及び電子部品200の第5面F5上に、絶縁層101を配置する。
【0057】
絶縁層101は、例えばエポキシ樹脂からなり、心材を含まない。絶縁層101の材料としては、例えばABF(Ajinomoto Build-up Film:味の素ファインテクノ株式会社製)を用いることができる。ただしこれに限定されず、絶縁層101の材料は、基本的に任意である。絶縁層101は、心材を含んでいてもよい。
【0058】
また、図9に示すように、絶縁層101を未硬化又は半硬化の状態でラミネートすることにより、絶縁層101を構成する樹脂を流出させて収容部R1へ流し込む。これにより、収容部R1における絶縁層100と電子部品200との隙間R2に絶縁体101a(絶縁層101を構成する樹脂)が充填される。
【0059】
収容部R1に絶縁体101aが充填されたら、その充填樹脂(絶縁体101a)と電子部品200との仮溶着を行う。具体的には、加熱により充填樹脂に電子部品200を支持できる程度の保持力を発現させる。これにより、キャリア3006に支持されていた電子部品200が、充填樹脂によって支持されるようになる。その後、キャリア3006を除去する。以下、こうして得られた基板を、基板3000bという。
【0060】
なお、この段階では、絶縁体101a(充填樹脂)及び絶縁層101は半硬化しているにすぎず、完全には硬化していない。ただしこれに限られず、例えば、この段階で絶縁体101a及び絶縁層101を完全に硬化させてもよい。
【0061】
続けて、図10に示すように、基板3000bの絶縁層101とは反対側(第4面F4側又は第6面F6側)に、絶縁層102を設ける。
【0062】
絶縁層102は、例えばエポキシ樹脂からなり、心材を含まない。絶縁層102の材料としては、例えばABFを用いることができる。ただしこれに限定されず、絶縁層102の材料は、基本的に任意である。絶縁層102は、心材を含んでいてもよい。
【0063】
続けて、例えばラミネートにより、絶縁層102を未硬化又は半硬化の状態で基板3000bに接着させた後、加熱して絶縁層101、102の各々をCステージまで硬化させる。
【0064】
本実施形態では、粘着シート(キャリア3006)を除去した後に、収容部R1に充填した樹脂を硬化させる。このため、絶縁層101、102の硬化を同時に行うことが可能になる。そして、両面の絶縁層101、102の硬化を同時に行うことにより、絶縁層100の反りが抑制されるため、絶縁層100を薄くし易くなる。
【0065】
続けて、図11に示すように、例えばレーザにより、絶縁層101にビアホール311a及び312aを形成し、絶縁層102にビアホール322aを形成する。ビアホール311a及び312aの各々は絶縁層101を貫通し、ビアホール322aは絶縁層102を貫通する。そして、ビアホール311aは、電子部品200の電極210又は220に至り、ビアホール312a及び322aの各々は、スルーホール導体300bの直上に至る。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【0066】
続けて、図12Aに示すように、例えば化学めっき法により、ビアホール311a、312a、322a内にそれぞれ、例えば銅の無電解めっき膜3007又は3008を形成する。なお、無電解めっきに先立って、例えばパラジウム等からなる触媒を、絶縁層101、102の表面に吸着させてもよい。
【0067】
続けて、図12Bに示すように、リソグラフィ技術又は印刷等により、第3面F3側の主面(無電解めっき膜3007上)に、開口部3009aを有するめっきレジスト3009を、また、第4面F4側の主面(無電解めっき膜3008上)に、開口部3010aを有するめっきレジスト3010を、それぞれ形成する。開口部3009a、3010aはそれぞれ、導体層110、120(図3)に対応したパターンを有する。
【0068】
続けて、図12Cに示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト3009、3010の開口部3009a、3010aに、それぞれ例えば銅の電解めっき3011、3012を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜3007、3008を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜3007、3008の表面に銅を析出させる。これにより、ビアホール311a、312a、322aにそれぞれ、電解めっき1011又は1012が充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体311b、312b、322bが形成される。
【0069】
その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト3009及び3010を除去し、続けて不要な無電解めっき膜3007、3008を除去することにより、図3に示すように、導体層110及び120が形成される。
【0070】
本実施形態では、図13に示すように、導体層110に、部品内蔵部10の位置を示すアライメントマークM1(例えば導体パターン)が含まれる。アライメントマークM1は、例えば部品内蔵部10の四隅に形成される。しかしこれに限られず、アライメントマークM1の配置及び数は任意である。
【0071】
アライメントマークM1は、例えば図14Aに示すように、リング状の導体からなる。ただしこれに限られず、例えば図14Bに示すように、リング状の空隙からなってもよい。また、アライメントマークM1の形状はリング状に限られず任意である。
【0072】
図14Aに示すアライメントマークM1は、例えば図15Aに示すように、導体層110に含まれる導体パターン110aで形成することができる。ただしこれに限られず、例えば図15Bに示すように、導体層110の導体パターン110a上に選択的に突起部110bを形成して、その突起部110bをアライメントマークM1としてもよい。突起部110bは、例えば金属からなることが好ましい。金属は、光学的に認識し易い。ただしこれに限定されず、突起部110bの材質は任意である。
【0073】
図14Bに示すアライメントマークM1は、例えば図15Cに示すように、導体層110における導体パターン110aの空隙110cで形成することができる。
【0074】
本実施形態では、アライメントマークM1を、最外層の導体層110に形成する。ただしこれに限られず、アライメントマークM1は、例えば図15Dに示すように、内層の導体層301に形成してもよい。また、アライメントマークM1は、絶縁層100の第3面F3側及び第4面F4側の各々(例えば導体層110、120)に形成してもよい。
【0075】
本実施形態の第1基板1000は、例えば上記製造方法により製造することができる。第1基板1000の半導体チップ占有率(例えばSi占有率)は、X−Y平面の面積比(半導体チップが占める面積の総和/第1基板1000全体の面積)で10%未満である。
【0076】
本実施形態の製造方法では、熱処理により、絶縁層101、102をCステージまで硬化させる。
【0077】
絶縁層101、102の各々がABFからなる場合には、絶縁層101、102をCステージまで硬化させるための熱処理により、温度180℃以上まで加熱することが好ましく、絶縁層101、102の各々がプリプレグ(樹脂付き銅箔)からなる場合には、絶縁層101、102をCステージまで硬化させるための熱処理により、温度230℃以上まで加熱することが好ましい。
【0078】
また、本実施形態の製造方法では、第1基板1000に、部品内蔵部10の位置を示すアライメントマークM1を形成するため、後述の基板片10aの位置決めを高い精度で行うことが可能になる。
【0079】
続けて、図1のステップS12では、図16に示すように、第1基板1000の部品内蔵部10の各々について検査(良否判断)を行う。具体的には、例えば電気特性等についての品質検査を行う。図16では、上記良否判断により良品と判断された部品内蔵部10には「○」を、不良品と判断された部品内蔵部10には「×」を、それぞれ記す。図16に示されるように、本実施形態では、一例として、4つの部品内蔵部10のうち、2つの部品内蔵部10が良品と判断された場合について説明する。
【0080】
続けて、図1のステップS13では、図17に示すように、例えばUV(紫外線)レーザにより、第1基板1000から、部品内蔵部10を含む基板片10a(半導体チップ内蔵基板片)を切り出す。
【0081】
本実施形態では、上記検査(良否判断)により良品と判断された部品内蔵部10を含む基板片10aのみを切り出す。なお、基板片10aを切り出す方法は、レーザに限られず、例えばルータ等であってもよい。
【0082】
本実施形態の製造方法では、第1基板1000から部品内蔵部10を含む基板片10aを切り出す。切断により、熱応力が解放された基板片10aが得られる。
【0083】
第1基板1000を準備する一方で、図1のステップS21では、図18A及び図18Bに示すように、第2基板2000を準備する。本実施形態では、第2基板2000が半導体チップを有していない。また、第2基板2000は配線を有していない。第2基板2000は、例えば枠専用基板である。
【0084】
第2基板2000は、例えば絶縁層400から構成される。以下、絶縁層400の表裏面(2つの主面)の一方(Z1側)を第7面F7、他方(Z2側)を第8面F8という。
【0085】
絶縁層400の形状は、例えば略矩形板状である。ただしこれに限られず、絶縁層400の形状は任意である。
【0086】
本実施形態では、絶縁層400が、リジッド基板である。
【0087】
絶縁層400は、例えばガラエポからなる。ただしこれに限られず、絶縁層400の材料(心材及び樹脂)は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)、イミド樹脂(ポリイミド)、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂(A−PPE樹脂)等を用いてもよい。絶縁層400は、心材を含んでいなくてもよい。絶縁層400は、樹脂絶縁層でなくてもよい。絶縁層400は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【0088】
続けて、図1のステップS22では、図19A及び図19Bに示すように、例えばUV(紫外線)レーザにより、第2基板2000に開口部R10を形成する。これにより、開口部R10を有する第2基板2000が得られる。なお、開口部R10を形成する方法は、レーザに限られず、例えばルータ等であってもよい。
【0089】
第2基板2000は、例えば第1基板1000と略同じ厚さを有する。また、本実施形態の開口部R10は、第2基板2000(詳しくは、絶縁層400)を貫通する孔から構成される。開口部R10は、例えば部品内蔵部10(厳密には、後述の基板片10a)に対応する形状(例えば略直方体)を有する。
【0090】
続けて、図1のステップS31では、図20A及び図20Bに示すように、図1のステップS13の処理により切り出された基板片10aを、図1のステップS22の処理により形成された第2基板2000の開口部R10内に配置する。例えば図20Bに示すように、第2基板2000の一方の面(例えば第8面F8)にPETフィルム4001を貼り付けて、それを、他方の面(例えば第7面F7)を上に向けて図示しない金属板上に固定する。そして、例えばチップマウンタを用いて、基板片10aのアライメントマークM1(図13)を基準にして開口部R10と基板片10aとの位置合わせをして、例えば第7面F7側から、第2基板2000の開口部R10に基板片10aを入れる。基板片10aが第2基板2000の開口部R10の各々に配置されることにより、電子部品内蔵基板において全ての半導体チップ(例えば電子部品200)が占める割合(半導体チップ占有率)が、X−Y平面の面積比(半導体チップが占める面積の総和/電子部品内蔵基板全体の面積)で10%以上になる。
【0091】
本実施形態では、図1のステップS11で準備される第1基板1000の半導体チップ占有率(例えばSi占有率)が、第2基板2000の全ての開口部R10内に基板片10aが配置された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率(例えばSi占有率)よりも低い。1つの第1基板1000で必要な数の基板片10aを用意できない場合には、複数の第1基板1000を準備して、その各々から基板片10aを切り出すことが好ましい。
【0092】
本実施形態の製造方法では、図1のステップS11で準備される第1基板1000が、部品内蔵部10を複数(例えば4つ)有し、部品内蔵部10を含む基板片10aの配置(図1のステップS31)に先立って、部品内蔵部10の各々について良否判断を行う(図1のステップS12)。そして、基板片10aの配置では、図1のステップS12の検査で良品と判断された部品内蔵部10を含む基板片10aのみを開口部R10内に配置する。このように、予め部品内蔵部10の検査を行うことにより、歩留まりを高めることが可能になる。
【0093】
なお、本実施形態では、基板片10a(部品内蔵部10)の切り出しに先立って部品内蔵部10の検査を行い、検査で良品と判断された基板片10aのみを切り出すようにしたが、これに限られない。例えば第1基板1000に含まれる全ての基板片10a(部品内蔵部10)を切り出した後で、その基板片10aの各々について検査を行い、その検査で良品と判断された基板片10aのみを開口部R10内に配置するようにしてもよい。
【0094】
図21に、開口部R10内に配置された基板片10aを拡大して示す。以下、図21中の各寸法について好ましい一例を示す。開口部R10における第2基板2000と基板片10aとの隙間のX方向の寸法d11(X方向のクリアランスは、寸法d11の2倍に相当する)は、150μmであり、開口部R10における第2基板2000と基板片10aとの隙間のY方向の寸法d12(Y方向のクリアランスは、寸法d12の2倍に相当する)は、150μmである。
【0095】
続けて、図1のステップS32では、図22A及び図22Bに示すように、開口部R10内に配置された基板片10aを、接着剤2000bにより第2基板2000に固定する。接着剤2000bは、例えば開口部R10における第2基板2000と基板片10aとの隙間全体(基板片10aの周囲)に充填される。ただしこれに限られず、接着剤2000bは、隙間の一部のみに形成されてもよい(例えば図25A又は図25B参照)。
【0096】
接着剤2000bは、熱硬化型接着剤であってもよいし、例えば光硬化型接着剤又は2液硬化型接着剤等の非熱硬化型接着剤であってもよい。また、例えば非熱硬化型接着剤で接着(仮止め)した後、その仮止め部分を、例えば熱硬化型接着剤で補強するようにしてもよい。
【0097】
接着剤2000bは、例えば絶縁性を有する。しかしこれに限られず、接着剤2000bは、導電性を有していてもよい。
【0098】
熱硬化型接着剤は、通常、光硬化型接着剤よりも接着力が強い。接着剤2000bが熱硬化型接着剤である場合は、高温処理が必要になるが、本実施形態では、予め基板片10aが熱処理されているため、接着剤2000bを硬化させるために高温処理をしても配線板は反りにくい。
【0099】
以上説明した製造方法(図1のステップS11〜S32)により、第2基板2000と、第2基板2000の開口部R10内に接着剤2000bで固定された基板片10a(部品内蔵部10)と、を有する配線板4000(電子部品内蔵基板)が完成する(図22A及び図22B参照)。なお、PETフィルム4001は、必要に応じて、例えば手作業で取り除く。
【0100】
本実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、
絶縁層100、101、102(それぞれ樹脂絶縁層)と、それら樹脂絶縁層(詳しくは、絶縁層100)に形成された収容部R1に電子部品200が配置されてなる部品内蔵部10と、を有する第1基板1000を準備すること(ステップS11)と、
開口部R10を有する第2基板2000を準備すること(ステップS21、S22)と、
第1基板1000から部品内蔵部10を含む基板片10aを切り出すこと(ステップS13)と、
切り出された基板片10aを第2基板2000の開口部R10内に配置し、固定すること(ステップS31、S32)と、
を含む。
【0101】
基板片10aを切断することで熱応力が解放される。そのため、切断後に基板片10aを固定した配線板4000(電子部品内蔵基板)には応力が生じにくくなると考えられる。その結果、配線板4000の反りが抑制されると考えられる。また、配線板4000が反りにくくなることで、配線板4000に部品を表面実装する場合の実装信頼性が向上すると考えられる。
【0102】
基板片10aを切り出す前に予め第1基板1000に熱処理しておくことで、開口部R10内に基板片10aを固定した後の加熱によって、配線板4000(電子部品内蔵基板)に応力が生じにくくなると考えられる。その結果、配線板4000の反りが抑制されると考えられる。また、配線板4000が反りにくくなることで、配線板4000に部品を表面実装する場合の実装信頼性が向上すると考えられる。
【0103】
本実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法では、第2基板2000が、電子部品を有していない。基板が反る原因の1つは、樹脂絶縁層に内蔵される電子部品の熱膨張係数と樹脂絶縁層の熱膨張係数との差が大きいことにあると考えられるが、第2基板2000が電子部品を有していなければ、電子部品に起因する反りは生じない。したがって、第2基板2000が電子部品を有していないことで、第2基板2000の反り、ひいては配線板4000(電子部品内蔵基板)の反りが抑制されると考えられる。
【0104】
上記製造方法により製造される本実施形態の配線板4000(電子部品内蔵基板)は、図23に示すように、複数の開口部R10が形成された第2基板2000と、第2基板2000とは別に製造され、開口部R10の各々に固定された複数の基板片10a(半導体チップ内蔵基板片)と、を有する。
【0105】
本実施形態では、配線板4000(電子部品内蔵基板)の半導体チップ占有率が、面積比で10%以上である。
【0106】
図24に、基板片の切り出し及び別の基板への移し替えを行わずに、1つの基板で製造された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率と反り量との関係を示す。図24中、データW1は、半導体チップ占有率4.2%の電子部品内蔵基板の反り量を示し、データW2は、半導体チップ占有率9.4%の電子部品内蔵基板の反り量を示し、データW3は、半導体チップ占有率16.6%の電子部品内蔵基板の反り量を示している。
【0107】
図24に示すように、電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率が高くなるほど電子部品内蔵基板の反り量が大きくなる。特に、電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率が面積比で10%以上になると、反りが大きくなり、十分な実装信頼性を確保するのは困難になる。この点、本実施形態の製造方法では、半導体チップ占有率が面積比で10%未満である第1基板1000に部品内蔵部10を形成した後、その部品内蔵部10を含む基板片10aを切り出して、その基板片10aを別の基板(第2基板2000)の開口部R10内に配置し、固定することで、半導体チップ占有率が面積比で10%以上である電子部品内蔵基板(配線板4000)を製造している。このため、半導体チップ占有率が高くて反り易い電子部品内蔵基板についても、これを高い歩留まりで製造することが可能になる。
【0108】
本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば以下のように変形して実施することもできる。
【0109】
接着剤2000bは、例えば図25A又は図25Bに示すように、開口部R10における第2基板2000と基板片10aとの隙間の所定の部分のみに形成してもよい。図25Aの例では、基板片10aの対向する辺に、接着剤2000bが形成され、図25Bの例では、基板片10aの四隅に、接着剤2000bが形成される。
【0110】
基板片10aの固定方法は接着剤2000bに限られず、例えば開口部R10のクリアランス(例えば図21に示す寸法d11、d12)を略0μmにして、摩擦力で基板片10aを固定してもよい。特に、第2基板2000及び基板片10aがそれぞれリジッド基板であれば、摩擦力で固定し易い。
【0111】
また、例えば図26に示すように、基板片10aが爪部10b(凸部)を有し、第2基板2000の開口部R10が、爪部10bと係合し得る爪受け部10c(凹部)を有していてもよい。この場合、爪部10bと爪受け部10cとを結合させることで、基板片10aを開口部R10内に固定することができる。爪部10bと爪受け部10cとは、摩擦力で結合させてもよいし、接着剤で結合させてもよい。また、爪部10bの一部を細くして、弱い力で容易に切断できるようにしておけば、基板片10aを第2基板2000から切り離すのが容易になる。
【0112】
部品内蔵部10、開口部R10、及び電子部品200の数は任意である。また、1つの部品内蔵部10が複数(例えば2つ)の電子部品を内蔵していてもよい。また、図27に示すように、第2基板2000に形成された1つの開口部R10に、複数(例えば2つ)の基板片10aが収容されてもよい。
【0113】
開口部R10、基板片10a、並びに第1基板1000におけるスルーホール300a、アライメントマークM1、及び各層のビアホールの平面形状(X−Y平面)は任意である。これらの平面形状は、例えば図28Aに示すように、真円であってもよく、また、例えば図28Bに示すように、正四角形であってもよい。また、これらの平面形状は、例えば正六角形や正八角形等の他の正多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。ただし、熱応力の集中を防止する上では、角が丸みを帯びていた方が好ましい。
【0114】
また、上記平面形状は、楕円であってもよく、長方形や三角形等であってもよい。さらに、図28C又は図28Dに示すように、十字形又は正多角星形など、中心から放射状に広がる形を、上記平面形状としてもよい。
【0115】
第1基板1000におけるスルーホール及び各層のビアホールの断面形状(X−Z平面、Y−Z平面)も任意である。
【0116】
第1基板1000(特に、部品内蔵部10)の構造は、図3に示したものに限られない。例えば部品内蔵部は、図29(図3に対応した断面図)に示すような構造であってもよい。
【0117】
図29の例では、絶縁層100(コア基板)が、複数の絶縁層(例えば絶縁層100a、100b)から構成されている。絶縁層100a、100bはそれぞれ、例えば硬化したプリプレグからなる。また、導体層110、120はそれぞれ、例えば下層から上層に向かって、銅箔、銅の無電解めっき(化学銅)、及び銅の電解めっき(電気銅)が、この順で積層された3層構造からなる。こうした導体層110、120はそれぞれ、例えばサブトラクティブ法により形成することができる。
【0118】
図29の例では、スルーホール導体300bは、コンフォーマル導体である。スルーホール300aにおいて、スルーホール導体300bの内側には、例えば絶縁体300dが充填される。絶縁体300dは、例えばプレスにより絶縁層101、102から流出した樹脂から構成される。
【0119】
図29の例では、開口部R10には、絶縁体101aに加えて、接着剤101bが充填される。絶縁体101aは、例えばプレスにより絶縁層100a、100bから流出した樹脂から構成される。また、接着剤101bは、例えば電子部品200をキャリア上に固定するために用いられる。
【0120】
図29の例では、接着剤101b上に、導体パターン302a、302bが形成されている。導体パターン302a、302bは、例えば導体層302と同じ層(略同じZ座標)になる。導体パターン302a、302bはそれぞれ、接着剤101bに形成されたビア導体301bを介して、電子部品200の電極210、220に電気的に接続されるとともに、絶縁層102に形成されたビア導体323bを介して、導体層120に電気的に接続される。
【0121】
開口部R10は、第2基板2000を貫通する孔に限られず、例えば図30に示すように、第2基板2000を貫通しない孔であってもよい。また、開口部R10は、溝、切欠、又は切れ目等の開口部であってもよい。
【0122】
開口部R10の壁面は、主面に略直交するものに限定されず、例えば図31Aに示すように、テーパした面であってもよい。この場合、開口部R10の開口面積の大きい側(例えばZ1側)から接着剤2000bを注入し易くなる。また、例えば図31Bに示すように、開口部R10の壁面に対応させて、基板片10aの側面も、テーパした面にしてもよい。
【0123】
第1基板1000(ひいては、部品内蔵部10)の厚さと第2基板2000の厚さとが略同じであることは必須ではない。第1基板1000が第2基板2000よりも薄くてもよいし、第1基板1000が第2基板2000よりも厚くてもよい。
【0124】
その他の点についても、配線板4000(図22A及び図22B)の構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【0125】
第1基板1000は、ソルダーレジストを有していてもよい。また、ソルダーレジストは、部品内蔵部10にのみ、選択的に形成されてもよい。
【0126】
電解めっきのためのシード層は、無電解めっき膜(化学銅)に限られず任意である。例えば化学銅に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。
【0127】
第1基板1000は、メタルコア基板であってもよい。例えば強度向上又は放熱性向上などの目的で、第1基板1000の絶縁層100(コア基板)に金属板を内蔵させてもよい。
【0128】
第1基板1000のビルドアップ層の数は任意である。また、第1基板1000の絶縁層100(コア基板)の表裏で、ビルドアップ層の数が異なっていてもよい。例えば第1基板1000は、コア表裏面の一方のみに導体(導体層)を有する片面配線板であってもよい。ただし、応力を緩和するためには、コア基板の表裏で、ビルドアップ層の数を同じにして、表裏の対称性を高めることが好ましいと考えられる。
【0129】
第1基板1000における各導体層の構造は任意であり、例えば金属箔と無電解めっき膜と電解めっき膜との3層構造であっても、金属箔又は無電解めっき膜と電解めっき膜との2層構造であっても、金属箔と無電解めっき膜又は電解めっき膜との2層構造であってもよい。また、各フィルド導体の構造も任意であり、例えばシード層(例えば無電解めっき膜)と電解めっきとの2層構造であっても、無電解めっきのみからなる構造であってもよい。
【0130】
第1基板1000における各ビア導体は、フィルド導体に限られず、コンフォーマル導体であってもよい。
【0131】
第2基板2000は、電子部品を内蔵しないビルドアッププリント配線板であってもよい。また、第2基板2000は、電子部品を内蔵していてもよい。また、第2基板2000は、金属板であってもよい。
【0132】
上記実施形態の工程は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に内容及び順序を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【0133】
図32に示すように、開口部を有する第2基板を準備することが、第2基板を準備すること(図32のステップS21)と、第2基板に開口部を形成すること(図32のステップS22)と、開口部の形成後、第2基板の反り軽減のため、第2基板の端部を切り落とすこと(図32のステップS23)と、を含んでいてもよい。
【0134】
具体的には、図32のステップS21では、例えば図33A及び図33Bに示すように、例えば絶縁層400と、絶縁層400上に形成された導体パターン2000aと、から構成される第2基板2000を準備する。
【0135】
導体パターン2000aは、例えば絶縁層400の第7面F7上に形成される。導体パターン2000aの形状は、例えば絶縁層400の外形に即したリング状であり、導体パターン2000aは、例えば絶縁層400の縁部(例えば全周)の表面に形成される。導体パターン2000aは、表裏面の一方のみに形成されていてもよいし、表裏面の両方に形成されていてもよい。導体パターン2000aは、例えば銅箔からなる。ただしこれに限られず、導体パターン2000aの材質は任意である。
【0136】
続けて、図32のステップS22では、図34に示すように、例えばUV(紫外線)レーザにより、第2基板2000に開口部R10を形成する。これにより、開口部R10を有する第2基板2000が得られる。
【0137】
続けて、図32のステップS23では、第2基板2000の反り軽減のため、例えば超音波カッタにより、第2基板2000の端部(詳しくは、図34中の部分R11)をカットする。これにより、例えば図35に示すように、第2基板2000の縁部(導体パターン2000a)が、第2基板2000の四隅にのみ残る。
【0138】
なお、縁部のカット態様は任意である。例えば対向する二辺に第2基板2000の縁部(導体パターン2000a)を残してもよい。
【0139】
本実施形態の製造方法では、図32のステップS21で準備される第2基板2000の縁部には導体パターン2000aが形成されており、開口部R10の形成(図32のステップS22)後に、その縁部を含む第2基板2000の端部(例えば図34に示される部分R11)を切り落とす。開口部R10の形成後、第2基板2000から縁部の導体パターン2000aを切り離すことで、第2基板2000の反りを軽減し易くなる。また、必要に応じて、開口部R10の形成後、プレス等によって、第2基板2000を平らにしてもよい。
【0140】
また、図32のステップS11で準備される第1基板1000の縁部(例えば全周)の表面に、第1基板1000の外形に即したリング状の導体パターンが形成されていてもよい。この導体パターンは、表裏面の一方のみに形成されていてもよいし、表裏面の両方に形成されていてもよい。
【0141】
縁部の導体パターン(補強パターン)は、最外層の導体層に形成してもよいし、内層の導体層に形成してもよい。
【0142】
例えば、必要がなければ、検査(例えば図1のステップS12)等を割愛してもよい。
【0143】
絶縁層101、102をCステージまで硬化させるための熱処理は、例えば検査(図1のステップS12)の後、基板片10aの切り出し(図1のステップS13)の前に行うようにしてもよい。
【0144】
また、例えば第1基板1000の製造プロセスにおいては、熱処理により、絶縁層101、102をBステージまで硬化させるにとどめ、基板片10aを切り出した後に、熱処理により、絶縁層101、102をCステージまで硬化させてもよい。
【0145】
第1基板1000における各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ(SAP)法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか1つ、又はこれらの2以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。また、第1基板1000における各絶縁層(層間絶縁層)の形成方法も任意である。
【0146】
第1基板1000又は第2基板2000の加工方法は任意である。各基板の加工方法は、レーザでも、湿式又は乾式のエッチングでもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましい。
【0147】
上記実施形態及びその変形例は、任意に組み合わせることができる。また、第1基板1000の製造方法として示した上記各方法を、第2基板2000の製造に適用してもよい。
【0148】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【符号の説明】
【0149】
10 部品内蔵部
10a 基板片
10b 爪部
10c 爪受け部
100 絶縁層
100a 絶縁層
100b 絶縁層
101 絶縁層
101a 絶縁体
101b 接着剤
102 絶縁層
110、120 導体層
110a 導体パターン
110b 突起部
110c 空隙
200 電子部品
210、220 電極
300a スルーホール
300b スルーホール導体
300c 括れ部
300d 絶縁体
301、302 導体層
301b ビア導体
302a、302b 導体パターン
311a、312a、322a ビアホール
311b、312b、322b、323b ビア導体
400 絶縁層
1000 第1基板
2000 第2基板
2000a 導体パターン
2000b 接着剤
3000 両面銅張積層板
4000 配線板
3001、3002 銅箔
3003、3004 孔
3005 めっき
3006 キャリア
3007、3008 無電解めっき膜
3009、3010 レジスト
3009a、3010a 開口部
4000 配線板(電子部品内蔵基板)
4001 PETフィルム
M1 アライメントマーク
R1 収容部
R10 開口部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂絶縁層と、該樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第1基板を準備することと、
開口部を有する第2基板を準備することと、
前記第1基板から前記部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、
前記切り出された基板片を前記第2基板の前記開口部内に配置し、固定することと、
を含む、
ことを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項2】
前記準備される第1基板の半導体チップ占有率は、前記第2基板の全ての前記開口部内に前記基板片が配置された電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率よりも低い、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項3】
前記準備される第1基板の半導体チップ占有率は、面積比で10%未満であり、
前記電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率は、面積比で10%以上である、
ことを特徴とする請求項2に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項4】
前記準備される第2基板は、半導体チップを有していない、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項5】
前記第1基板の準備では、前記樹脂絶縁層をBステージ又はCステージまで硬化させる、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項6】
前記第1基板の準備では、前記樹脂絶縁層をCステージまで硬化させる、
ことを特徴とする請求項5に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項7】
前記第1基板に、前記部品内蔵部の位置を示すアライメントマークを形成することを含む、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項8】
前記開口部を有する第2基板を準備することは、
第2基板を準備することと、
前記第2基板に開口部を形成することと、
前記開口部の形成後、前記第2基板の反り軽減のため、前記第2基板の端部を切り落とすことと、
を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項9】
前記第2基板の縁部には導体パターンが形成されており、
前記切り落とされる前記第2基板の端部は、前記導体パターンが形成されている前記縁部を含む、
ことを特徴とする請求項8に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項10】
前記開口部は、前記第2基板を貫通する孔である、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項11】
前記電子部品は、半導体チップである、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項12】
前記第1基板は、リジッド配線板である、
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項13】
前記第1基板は、ビルドアッププリント配線板である、
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項14】
前記開口部内に配置された前記基板片を接着剤により固定する、
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項15】
前記第1基板は、前記部品内蔵部を複数有し、
前記基板片の配置に先立って、前記部品内蔵部の各々について良否判断を行うことを含み、
前記基板片の配置では、前記良否判断により良品と判断された部品内蔵部を含む基板片のみを前記開口部内に配置する、
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項16】
複数の開口部が形成された基板と、
前記基板とは別に製造され、前記複数の開口部の各々に固定された複数の半導体チップ内蔵基板片と、
を有する、
ことを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項17】
前記電子部品内蔵基板の半導体チップ占有率は、面積比で10%以上である、
ことを特徴とする請求項16に記載の電子部品内蔵基板。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4A】
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【図4B】
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【図4C】
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【図4D】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12A】
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【図12B】
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【図12C】
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【図13】
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【図14A】
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【図14B】
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【図15A】
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【図15B】
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【図15C】
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【図15D】
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【図16】
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【図17】
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【図18A】
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【図18B】
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【図19A】
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【図19B】
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【図20A】
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【図20B】
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【図21】
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【図22A】
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【図22B】
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【図23】
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【図24】
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【図25A】
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【図25B】
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【図26】
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【図27】
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【図28A】
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【図28B】
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【図28C】
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【図28D】
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【図29】
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【図30】
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【図31A】
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【図31B】
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【図32】
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【図33A】
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【図33B】
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【図34】
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【図35】
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【公開番号】特開2013−115136(P2013−115136A)
【公開日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−258035(P2011−258035)
【出願日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【出願人】(000000158)イビデン株式会社 (856)
【Fターム(参考)】