イビデン株式会社により出願された特許

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【課題】電子部品内蔵基板の反りを抑制する。あるいは、半導体チップ占有率の高い電子部品内蔵基板を製造する。
【解決手段】電子部品内蔵基板の製造方法が、樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層に形成された収容部に電子部品が配置されてなる部品内蔵部と、を有する第1基板を準備することと、開口部を有する第2基板を準備することと、第1基板から部品内蔵部を含む基板片を切り出すことと、切り出された基板片を第2基板の開口部内に配置し、固定することと、を含む。 (もっと読む)


【課題】従来法と比較して簡易に多孔性ポリイミドからなるリチウムイオン電池用セパレータを製造することが出来る方法を提供すること。
【解決手段】1)ポリアミド酸相とシリカ相とが共有結合によって一体となった分子構造を呈する有機−無機ポリマーハイブリッドIを準備し、2)有機−無機ポリマーハイブリッドIのポリアミド酸相をイミド化して、ポリイミド相とシリカ相とが共有結合によって一体となった分子構造を呈する有機−無機ポリマーハイブリッドIIとし、3)有機−無機ポリマーハイブリッドIIよりシリカ相を除去することにより、多孔性ポリイミドからなるリチウムイオン電池用セパレータとする。 (もっと読む)


【課題】効果的なシャットダウン特性を発現する新規なリチウムイオン電池用セパレータを提供すること。
【解決手段】多孔性ポリイミドI(例えば、直鎖状の多孔性ポリイミド)からなる一又は二以上の層と、かかる多孔性ポリイミドIより高いガラス転移温度を有する多孔性ポリイミドII(例えば、部分的に直鎖部を有する多分岐状の多孔性ポリイミド)からなる一又は二以上の層とを積層形成せしめて、リチウムイオン電池用セパレータを構成した。 (もっと読む)


【課題】 ロジックチップとメモリチップとを実装しながら、メモリチップで誤動作を生じさせない電子部品及びその製造方法を提供することにある
【解決手段】 放熱部材300がロジックチップ90A及びメモリチップ90B上に取り付けられる。放熱部材300には、メモリチップ90Bの上面と当接する部位に開口308が設けられている。このため、ロジックチップ90Aからの熱が放熱部材300を介してメモリチップ90Bへ伝わり難いため、ロジックチップからの熱的影響でメモリチップが誤動作し難くなる。 (もっと読む)


【課題】 高い信頼性を有する半導体実装部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第2基板300が、上方へ突き出る第2接続導体332Pを備える。第1基板500が、上方へ突き出る第1接続導体872Pを備える。例えば半導体実装部材を外部基板に実装する際に生じる応力を、第1接続導体332Pで第1基板側へ逃がすと共に、第2接続導体872Pで第2基板側へ逃がし、靱性が高く脆い半導体素子90へ加わる応力を緩和することができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子を内蔵するプリント配線板を複数保持しながら平坦性を高め得る多数個取り基板を提供する。
【解決手段】 マトリクス状のプリント配線板10を保持するフレーム部80に、I字状のスリット82が各プリント配線板の切断箇所の延長上に設けられている。これにより、内蔵したICチップとプリント配線板との熱膨張率差による応力をスリットで逃がし、反りを防ぎ多数個取り基板を平坦に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】 保持力が低下しにくいマット材を提供する。
【解決手段】 ガラス繊維を含むマット材であって、上記ガラス繊維は、SiOを52〜66重量%、Alを9〜26重量%、CaOを15〜27重量%、MgOを0〜9重量%、TiOを0〜4重量%、ZnOを0〜5重量%、並びに、NaO及びKOを総和で0〜2重量%含み、Bを実質的に含まないことを特徴とするマット材。 (もっと読む)


【課題】本発明は、打ち抜いた金属箔への糊残りの発生が抑制された打ち抜き加工品の製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔10の一面に合成樹脂シート21上にポリウレタン系樹脂100重量部と、燐酸エステル0.1〜3重量部とを含む易剥離接着剤層22が積層一体化されてなる転写用フィルム20をその易剥離接着剤層21によって剥離可能に貼着させ、且つ上記金属箔10の他面に接着フィルム30が貼着一体化されてなる積層体を用意した後、上記金属箔10をその他面側から所望形状に打ち抜き、しかる後、上記接着フィルム30上に基板を貼着一体化した上で、上記転写用フィルム20を打ち抜いた上記金属箔10から剥離、除去することを特徴とする打ち抜き加工品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】導体層とフィルド導体との間のシーム発生を抑制する。又は、小さな環境負荷又は低コストで良質の給電層を得る。又は、高い生産性でフィルド導体を形成する。
【解決手段】配線板の製造方法が、絶縁層と該絶縁層上に形成されている導体層とを有する基材を準備することと、導体層上及び絶縁層上に層間絶縁層を形成することと、層間絶縁層上に金属箔を形成することと、層間絶縁層及び金属箔に、導体層を底とする有底孔を形成することと、有底孔の壁面に給電層を形成することと、給電層が形成された基材を、めっき金属のイオンを含む溶液に浸し、めっき金属を析出させる析出電圧とめっき金属を分離させる分離電圧とを交互に印加しながら、有底孔をめっき金属で充填することと、を含み、給電層は、めっき金属よりも溶液に溶けにくい材料からなり、分離電圧は、めっき金属が溶液に溶け、且つ、給電層が溶液に溶けない範囲に設定される。 (もっと読む)


【課題】強度ばらつきが小さく、気孔の少ない高強度のC/C複合材を得る。
【解決手段】炭素繊維と、疎水性バインダ粉末と、水とを含むスラリーを調整する工程と、前記スラリーに凝集材を添加して、前記スラリーを凝集させる凝集工程と、前記凝集工程得られたスラリーを、開口を有する型に供給して、前記スラリーから抄造体を得る抄造工程と、前記抄造体を加圧しつつ樹脂を熱硬化させ、成形体を得る成形工程と、前記成形体を焼成する焼成工程と、を含むC/C複合材の製造方法。 (もっと読む)


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