説明

株式会社荏原製作所により出願された特許

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【課題】研磨加工後の半導体基板から残渣を効率良く除去できる洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る洗浄方法は、回転するロールブラシにより半導体基板上の残渣を洗浄する洗浄方法であって、ロールブラシを7.35kPa以下の第1の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第1の洗浄工程と、ロールブラシを7.35kPaよりも高い第2の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第2の洗浄工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ポンプを引き上げることなくポンプを据え付けた状態で中間軸受を容易に交換することができる立軸ポンプを提供する。
【解決手段】立軸ポンプは、羽根車10と、羽根車10が収容されるガイドケーシング1と、ガイドケーシング1を吊下げる吊下管3と、吊下管3の上端に接続される吐出曲管4と、吐出曲管4および吊下管3を通って延びる回転軸6と、吐出曲管4の上部に配置された外軸受11と、羽根車10の下方に配置された水中軸受12と、外軸受11と水中軸受12との間に配置された中間軸受31と、中間軸受31が収容され、開口した上端部を有する軸受ケーシング35とを備え、中間軸受31は、回転軸6の軸方向に沿って分割可能な複数の分割体から構成されている。 (もっと読む)


【課題】渦電流センサの発振周波数、内部回路の増幅度および励磁電圧を上昇させることなく、半導体ウエハ等の基板上の金属薄膜(または導電性薄膜)を検出することができる渦電流センサを提供する。
【解決手段】金属膜(または導電性膜)mfが形成された基板の近傍に配置されるセンサコイル60を備えた渦電流センサであって、センサコイル60は、前記信号源に接続された発振コイル62と、金属膜または導電性膜mfに形成される渦電流を検出する検出コイル63と、検出コイル63に直列に接続されるバランスコイル64とを有し、検出コイル63は、列を基板に対して垂直方向、層を基板に対して平行方向と定義したときに、線材又は導電体を1列複数層に巻いたコイルからなる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成、低コストで且つ確実に気密性を保持できる樹脂モールドロータ、該樹脂モールドロータを用いたキャンドモータ、及び該キャンドモータとポンプを一体化したキャンドモータポンプを提供すること。
【解決手段】磁石(永久磁石9)と、複数の鋼板を積層して構成され磁石を備えたロータ10と、ロータ10を装着し外部へ動力を伝達する主軸7とを備え、主軸7のロータ端面から軸方向所定寸法離れた位置の外周に溝を形成して負荷側溝部7−1、反負荷側溝部7−2を設け、ロータ10の外周及び該ロータから溝部までの主軸7の外周に樹脂モールド11を形成して樹脂モールドロータとした。 (もっと読む)


【課題】基板の中心部および周縁部を含む全面において、精度の高い膜厚データを取得することができるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】ポリッシング装置は、基板Wの表面を研磨パッド22に対して押圧するトップリング24と、光源16a,16bからの光を基板Wの表面に照射し、基板Wからの反射光を受光する第一の光学ヘッド13Aおよび第二の光学ヘッド13Bと、反射光の各波長での強度を測定する分光器14a,14bと、反射光の強度と波長との関係を示すスペクトルを生成する処理部15とを備える。第一の光学ヘッド13Aは、トップリング24に保持された基板Wの中心に対向するように配置され、第二の光学ヘッド13Bは、トップリング24に保持された基板Wの周縁部に対向するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】断熱圧縮された高圧冷媒が超臨界状態となる超臨界サイクルヒートポンプ装置において、放熱器において加熱される被加熱流体を冷却することにより、ヒートポンプの性能向上を図ることができ、ヒートポンプを停止させることなく連続運転が可能な超臨界サイクルヒートポンプ装置を提供する。
【解決手段】冷媒14を断熱圧縮する圧縮機1と、断熱圧縮された冷媒11を冷却する放熱器2と、高圧の冷媒12を断熱膨張させて低圧にする膨張弁3と、断熱膨張して低圧低温になった冷媒13を蒸発させる蒸発器4とを備え、断熱圧縮された高圧冷媒が超臨界状態となる超臨界サイクルヒートポンプ装置において、放熱器2において冷媒との熱交換により加熱される被加熱流体を放熱器2に導入する前に冷却するようにした。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比が高く、埋込み深さの深いビアの内部に、ボトムアップ成長を促進させながら、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に効率よく埋込むことができるようにする。
【解決手段】ビアが形成された基板の表面とアノードとを互いに対向させつつ、めっき槽内のめっき液中に基板とアノードとを浸漬させて配置し、前記基板と前記アノードとの間に、電流値を一定としためっき電流を、供給と停止とを断続的に繰返しながら、めっき電流が流れる時間の占める割合がめっきの進行に伴って大きくなるように変化させて、前記ビア内にめっき金属を埋込む。 (もっと読む)


【課題】高スループットを実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板Wを保持する上下動可能なトップリング31Aを有する研磨部と、トップリング31Aと基板Wの受け渡しを行う上下動可能な搬送ステージを有する搬送機構6と、トップリング31Aと搬送ステージとの間に配置されたリテーナリングステーション143とを備える。トップリング31Aは、トップリング本体38と、トップリング本体38に対して相対的に上下動可能なリテーナリング40とを有する。リテーナリングステーション143は、リテーナリング40を押し上げる複数の押し上げ機構144を有している。 (もっと読む)


【課題】横軸ポンプの始動に要する時間を短縮することで、排水運転を迅速に開始でき、信頼性、安全性を高め、且つ、経済性の良いポンプ設備を提供すること。
【解決手段】横軸ポンプ10を有するポンプ設備1であって、横軸ポンプ10を始動する際に該横軸ポンプ10のケーシング11内を水で満たす満水操作を行う真空ポンプ20を備えるとともに、横軸ポンプ10のケーシング内の水位を検知する水位検知器13を設け、真空ポンプ20で横軸ポンプの満水操作を行う際、水位検知器13にて横軸ポンプのケーシング内の水位が満水前の所定水位に達したことを検知したら、横軸ポンプを運転する制御手段を設けた。 (もっと読む)


【課題】たとえ銅シード層に比べて誘電率の低いRu等からなる補助金属層に覆われたビアホールや、Ru等からなる補助金属層が一部に露出したビアホールであっても、ビアホールの内部に、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面にビアホールが形成された基板を前処理液に浸漬させて前処理を行い、基板とアノードとの間に電圧を印加することなく、基板をめっき液に浸漬させてビアホール内の前処理液をめっき液に置換し、基板とアノードとの間に印加される電圧を、ビアホール内にめっき金属を埋込むのに適した電流が基板とアノードとの間を安定して流れるのに必要な電圧または該電圧より高い電圧に制御して第1段電気めっきを行い、基板とアノードとの間を流れる電流を、ビアホール内にめっき金属を埋込むのに適した電流に制御して第2段電気めっきを行う。 (もっと読む)


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