説明

株式会社ADEKAにより出願された特許

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【課題】 耐候性の要求される用途にも十分使用できる硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 一般式(I)で表される末端不飽和ポリエーテル化合物に過酸化物を反応させることにより得られるポリエポキシポリエーテル化合物、又は該ポリエポキシポリエーテル化合物とポリアミン化合物との反応生成物と、一般式(II)又は一般式(III)で表される反応性シリコン化合物とを反応させることにより得られる反応性ケイ素基含有有機重合体100重量部に、一般式(IV)で表されるトリアジン系紫外線吸収剤0.01〜10重量部を添加してなる硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 乳化性、エマルション安定性が良好で、且つ、凝集物を減らすことのできる界面活性剤組成物を提供すること。
【解決手段】 (A)成分として、一分子中に反応性基として二重結合基を1つ以上含有する、イオン性の反応性界面活性剤100質量部に対して、(B)成分として、エタノールに不溶または微溶な窒素化合物を0.03〜1.0質量部含有することを特徴とする界面活性剤組成物。 (もっと読む)


【課題】 結晶化度や結晶化速度に優れたポリアミド樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 (A)脂肪族ポリアミド樹脂100重量部に(B)式(I)で表される化合物0.01〜10重量部を配合したことを特徴とするポリアミド樹脂組成物。
【化1】
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【課題】 結晶化速度や結晶化度に優れたポリアミド樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 (A)脂肪族ポリアミド樹脂100重量部に(B)一般式(I)で表される化合物0.01〜10重量部を配合したことを特徴とするポリアミド樹脂組成物。
【化1】
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【課題】 ピペリジル基含有率が高く、樹脂耐候性改良剤、安定剤、酸化触媒、重合禁止剤等の用途に適したピペリジル基含有化合物、該化合物の重合体及び共重合体、並びに該化合物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(I)で表されることを特徴とするピペリジル基含有化合物。
【化1】


【化2】
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【課題】 高濃度の固形分を含有することが可能であり、常温でも硬化が可能で、耐候性に優れた塗膜を形成する塗料を提供し得るエポキシ樹脂用硬化剤組成物を提供すること。
【解決手段】 (イ)下記一般式(I)で表される変性ポリアミン及び(ロ)環状ポリアミンのエポキシアダクトを主成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂硬化剤組成物。
【化1】
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【課題】本発明の目的は、自動食器洗浄機、特に非連続式の自動食器洗浄機中で、濯ぎ不良や、リン酸スケールや炭酸スケールを生成せず、洗浄時にグラス等の被洗浄物に腐食等のダメージを与えない、優れた洗浄性能を有する、有リン自動食器洗浄機用洗浄剤を提供することにある。
【解決手段】本発明の有リン自動食器洗浄機用洗浄剤は、(A)成分として、アルカリ剤20〜60質量%、(B)成分として、縮合リン酸塩1〜30質量%、及び(C)成分として、Ca(II)に対する安定度定数が、5.0以上、かつPb(II)に対する安定度定数が17.0未満のキレート剤(但し縮合リン酸塩は除く)を1〜10質量%を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】150℃以上の高温で使用するSiCなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得ること。
【解決手段】ワイドギャップ半導体素子13の外面を、シロキサン(Si−O−Si結合体)による橋かけ構造を有する1種以上のケイ素含有重合体を含有する合成高分子化合物16で被覆する。前記合成高分子化合物は、例えば、Si−R1、Si−O−R2及びSi−R3−OCOC(R4)=CH2の群から選ばれる一種または二種以上の反応基(A')を有し、Si−O−Si結合による橋かけ構造を一箇所以上有する、重量平均分子量1000以下の成分が20重量%以下のケイ素含有重合体である。 (もっと読む)


【課題】 熱可塑性樹脂を主体とする、機械的物性の改善された成型品用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 熱可塑性樹脂100質量部および下記一般式(I)で表されるエポキシ樹脂0.1〜20質量部を含有してなることを特徴とする成型品用樹脂組成物。
【化1】


(式中、nは0.1乃至30の実数を表し、R1 およびR2 は、独立的に水素原子または置換もしくは非置換の炭素原子数1乃至5のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、R3 およびR4 は、独立的に炭素原子数1乃至5のアルキル基であり、pおよびqは、独立的に0または1〜4の整数を表し、Xは水素原子またはグリシジル基を表すが、Xの20%以上はグリシジル基を表す。) (もっと読む)


【課題】 半導体装置の製造に当たってダマシン法により配線を形成する際に、剰余バリアメタル膜の除去に好ましく使用されるCMP用研磨組成物で、タンタル系バリア膜に対する高い研磨選択性および半導体材料の高い表面平坦性を有し、取扱いにも優れる研磨用スラリーを提供すること。
【解決手段】 研磨砥粒、酸化剤、有機酸、防食剤、界面活性剤、およびpH調整剤を含有してなり、pHが5〜10であることを特徴とするCMP用研磨組成物および研磨方法。 (もっと読む)


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