説明

株式会社日立国際電気により出願された特許

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【課題】 FDD方式及びTDD方式のいずれの通信方式にも適用することができ、有効データ区間を精度良く反映した遅延調整を実現する歪補償装置を提供する。
【解決手段】 歪補償装置は、歪補償部1が送信信号に歪補償テーブルを用いて歪補償を行い、遅延調整部2が歪補償前の送信信号と歪補償後の送信信号の帰還信号との遅延を調整し、誤差演算部3が遅延調整された送信信号と帰還信号との遅延誤差が小さくなるように歪補償テーブルを更新する。そして、有効データ区間イネーブル生成部5が送信信号に含まれる制御信号を用いて送信信号中に送信データが存在する区間(有効データ区間)を示す信号を生成し、遅延調整部2が上記の遅延調整を有効データ区間で行なう。 (もっと読む)


【課題】装置の動作の詳細を把握することが可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システムを構成する基板処理装置において、基板処理装置内部において発生する事象を外部に出力し、外部接続装置により事象に時刻を付して記録、加工、編集、表示することにより、基板処理装置の生産性向上手法の方向を指標すると共に、実施施策の効果が確認できる外部接続装置を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】 PA増幅部の非線形歪を小さくし、且つ、電力効率の高いET電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 ET電力増幅装置は、増幅対象の入力信号を電源電圧によって増幅するPA増幅部201と、入力信号の振幅を検出し、振幅−電源電圧特性に基づいた制御信号を出力する電源制御部202と、制御信号に応じた電源電圧をPA増幅部に供給するPA電源部203と、を備え、振幅−電源電圧特性は、振幅に対して電源電圧を線形とし且つ当該電源電圧に下限を設定した振幅−電源電圧特性である。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むこと。
【解決手段】高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザン(HMDS)含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法、及びそれを実現する基板処理装置である。 (もっと読む)


【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】光を用いて基板を処理する基板処理装置において、処理基板の大型化に対応することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ基板を載置した状態で水平回転する基板載置部と、基板載置部に載置された基板に対向するように前記処理室外に設けられ処理室内へ光を照射する発光部と、処理室と発光部の間に設けられ処理室と発光部を隔てる仕切り部と、処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理室内の雰囲気を排気する排気部とを備えた基板処理装置において、仕切り部は、発光部から処理室内へ照射される光を透過する複数の透過窓と、該透過窓と透過窓との間に設けられ透過窓を固定する窓固定部とを備え、複数の透過窓のうち少なくとも1つの透過窓の面積は、基板の面積よりも小さくなるよう構成する。 (もっと読む)


【課題】 伝達遅延や特定の端末へのトラフィック負荷の集中を防ぐことができ、システム全体を効率よく運用することができる無線センサーネットワークシステムを提供する。
【解決手段】 センサー端末が、第1の送信出力で既存のノードを介して管理端末に加入要求を送信し、管理端末が、加入要求の受信経路上のノードのトラフィック負荷を算出し、ホップ数とトラフィック負荷が共に許容範囲内ならば、当該センサー端末の通信経路を当該受信経路とし、ホップ数と負荷の少なくとも一方が許容範囲外であれば、センサー端末に、第1よりも大きい第2の送信出力で、管理端末又はトラフィック負荷の小さい特定のノードに直接接続する指示を出力して通信経路を再構築し、センサー端末が、当該指示を受信した場合には、管理端末宛のデータ送信時に、第2の送信出力で管理端末又は特定のノードに送信する無線センサーネットワークシステムとしている。 (もっと読む)


【課題】インピーダンス整合までの時間を短縮でき、処理効率を向上できるプラズマ生成用電源装置を提供する。
【解決手段】所定周波数の基準信号を生成する基準信号生成部と、基準信号を増幅し高周波電力信号を生成する電力増幅部と、高周波電力信号に含まれる進行波電力と反射波電力とを検出する検出部と、基準信号の周波数を変化させ電力増幅部での増幅度を変化させる制御部とを備えるプラズマ生成用電源装置において、第1の時間において基準信号を第1の周波数に固定して反射波電力が第1の電力値以下となるよう制御し、その後の第2の時間において、反射波電力が第2の電力値以下になるように基準信号の周波数を掃引するプラズマ生成動作を行うとともに、第1の周波数、第1の時間、第2の時間の最適値を見出すプラズマ生成パラメータ設定動作を行う。 (もっと読む)


【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 (もっと読む)


【課題】制御パラメータの測定値が、その基準値に対して偏差の上限値を超えた場合と偏差の下限値を超えた場合とで、状況に応じたエラー処理を選択できる。
【解決手段】基板を処理する基板処理室と、記憶部と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置において、記憶部は、プロセスレシピを記憶するプロセスレシピ記憶部と、制御パラメータの基準値を記憶する制御パラメータ記憶部と、制御パラメータの基準値に対する上限偏差値と下限偏差値を記憶するアラーム値記憶部とを備え、制御部は、プロセスレシピ記憶部に記憶したプロセスレシピを実行するプロセスレシピ実行部と、制御パラメータの測定値がアラーム値記憶部に記憶された上限偏差値と下限偏差値を超えたか否か判断し、上限偏差値を超えた場合と下限偏差値を超えた場合とで、異なる処理を実施するエラー処理部とを備える。 (もっと読む)


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