説明

工業技術院長により出願された特許

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【課題】 常温でガス状の脂肪族炭化水素の直接カルボニル化により、特にアルデヒドなどの有用な含酸素脂肪族化合物を効率よく製造する工業的に有利な方法を提供する。
【解決手段】 常温でガス状の脂肪族炭化水素を液化状態又は超臨界状態として用い、配位子の少なくとも1個がホスフィン化合物である遷移金属錯体の存在下に、該脂肪族炭化水素と一酸化炭素とを、光照射しながら反応させることにより、含酸素脂肪族化合物を製造する。 (もっと読む)


【課題】 芳香族炭化水素の直接カルボニル化により、アルデヒドやアルコールなどの有用な含酸素芳香族化合物を効率よく製造する工業的に有利な方法を提供する。
【解決手段】 溶媒として超臨界二酸化炭素又は液化二酸化炭素を用い、配位子の少なくとも1個がホスフィン化合物である遷移金属錯体の存在下に、芳香族炭化水素と一酸化炭素とを、光照射しながら反応させることにより、含酸素芳香族化合物を製造する。 (もっと読む)



【課題】 過酸化水素を酸化剤として用いる超臨界水連続反応による難分解性芳香族ハロゲン化物を分解するための方法及び装置の提供。
【解決手段】 水、過酸化水素及び被処理物の導入管を備えた予備加熱炉1と、それに接続する接続加熱炉2及び分解生成物取り出し管を介して圧力調整器10に連結した反応加熱炉3とが相互に連通し、直列的に配置された超臨界水連続反応装置において、被処理物導入管6の連結部近傍に温度検出器9を備え、検出した温度変化に基づき、被処理物の導入量を制御し、分解生成物取り出し管と調力調整器との間にフィルター16を介在させて粉末状物質を除去した後、圧力調整処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 薄膜形成材料の熱分解をもたらすことなく、高度な微細構造制御をもち、汚染性物質の影響を受けずに基板との密着強度が高く、耐久性が高い、より高機能な薄膜を効率良く製造することを可能とする新しい薄膜の製造方法と薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】 浮遊粉塵および/または汚染性ガスのない、清浄な密閉容器8内で表面を浄化処理した基板30を大気中に取り出すことなく真空容器3内に置き、少なくとも1種類の液体状態の薄膜形成材料を、前記薄膜形成材料の種類毎に設けた噴霧装置33の噴霧ノズルから真空容器8内に噴霧して基板30上に堆積させた後、真空容器9に移送し、基板上に堆積した薄膜形成材料の加熱処理および加圧成形処理を行い、更に、密閉容器8内で大気に曝すことなく、密封処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 受光中の蓄積電荷の放電回路の構築、コストや生産性の面での向上、および、信頼性向上を実現できる光制御用半導体装置を提供する。
【解決手段】 透明絶縁基板2に対して、発光素子L1 と対向する表面に配置される受光部となる。トランジスタT1 、光電変換素子アレイDA1 、光導電素子RA1 および抵抗性素子RA2 を備える。光電変換素子アレイDA1 がトランジスタT1 の出力電極間に、光導電素子RA1 がトランジスタT1 の制御電極と一方の出力電極とに、抵抗性素子RA2 がトランジスタT1 の制御電極と他方の出力電極とにそれぞれ接続されている。 (もっと読む)



【目的】 半導体量子ナノ構造の作製において必要になる III族原子層を正しく一原子層に規制して形成する。
【構成】 基板11をGa原子層の成長に関し相対的に高速な高速成長面部12と低速な低速成長面部13とから構成する。高速成長面部12上にてGa原子層が一層分成長する以上の量のGa原子を供給する。表面マイグレーション現象により高速成長面部12上に乗った余剰なGa原子を低速成長面部13に移行させることで高速成長面部12上にはGa原子層を一原子層分のみ、形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、ペプチド同士を直接結合させることにより新規なペプチドをブロック単位で合成する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 シアノシステイン残基を有するペプチド鎖「R1-CO-NH-C(CH2-SCN)-CO-NH-R2」にアミノ末端がフリーな別のペプチド鎖「NH2-R3」を作用させ、ペプチド鎖内のアミノ基にペプチド結合上のカルボニル炭素を求核攻撃させることにより、ペプチド間の結合反応を生じさせ、「R1-CO-NH-R3」の配列を持つペプチド鎖を合成した。 (もっと読む)


【解決手段】セラミック基板上に、厚さ1000A 以上のシリコン窒化単層膜或はシリコン酸化・窒化中間化合物単層膜よりなるバッファ層を配置し、該バッファ層の上面にはシリコン膜を配置し、該バッファ層とシリコン膜との間に有効不純物を含んだシリコン化合物膜或はシリコン膜より高融点の導電性膜からなる第3の膜を設けて上記シリコン膜を溶融・結晶化させるシリコン基体の製造方法。
【効果】薄膜電子デバイスの基板側から不純物の導入が可能となり、或はシリコン膜の裏面でコンタクトをとることができるなどデバイス製造上格別な効果をもたらす。 (もっと読む)


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