昭和電工株式会社により出願された特許

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【課題】発熱体を充分に放熱することができるヒートシンクを提供する。
【解決手段】 ヒートシンク1は、ベース板5と、冷却用流体Fの流れ方向に平行する2つの側壁4と、を有し、ベース板5に立設され、横断面が四角形で形成されてなる複数の第1のピンフィン2と、前記ベース板5に立設され、横断面が三角形或いは五角形で形成されてなる複数の第2のピンフィン3と、を有し、前記第1のピンフィン2及び前記第2のピンフィン3は、前記側壁4間に配置され、前記第1のピンフィン2は、角部aが上流側に位置するよう千鳥状に配置され、前記第2のピンフィン3は、前記側壁4に隣接して配置され、横断面積が前記第1のピンフィン2の横断面積よりも小さくなるよう形成される。 (もっと読む)


【課題】染み出し現象の発生を防止し、形状安定性に優れたp型オーミック電極を形成可能とした炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】p型不純物拡散領域4が形成された面上を覆う酸化膜を形成する工程と、p型不純物拡散領域4が形成された位置に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、ウェットエッチングにより酸化膜にp型不純物拡散領域4を露出させる孔部を形成する工程と、レジストパターンを除去する工程と、酸化膜の孔部が形成された位置に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンが形成された面上を覆う電極膜を形成した後、レジストパターンをリフトオフすることによって、孔部の内側に形成された電極膜と酸化膜との間に隙間を有するp型オーミック電極5を形成する工程と、p型オーミック電極5に対して熱処理を施す工程と、酸化膜を除去する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】印刷により形成された導体パターン形成用組成物(導電性インク)をパルス光照射による加熱またはマイクロ波照射による加熱で焼結する際に導体パターン内に発生する空隙を抑制する導体パターン形成方法および導体パターンを備える基板を提供する。
【解決手段】少なくとも表層に多孔質高分子樹脂層1を含む基材3表面に金属酸化物粒子と還元剤、および/または金属粒子を含む導体パターン形成用組成物(導電性インク)2を印刷し、該組成物にパルス光照射による加熱またはマイクロ波照射による加熱をすることにより前記粒子を構成する金属の焼結パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】製造工数を低減しうるオフセットフィンおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】オフセットフィン15は、波頂部24、波底部25および連結部26からなり、かつ波頂部24および波底部25が平面から見て一定幅を有する1つの真っ直ぐな帯状ゾーンZ上に並んでいる波板23を、帯状ゾーンZの幅方向に複数並べて相互に一体に連結することにより形成されたものである。隣り合う2つの波板23の波頂部24どうしおよび波底部25どうしが帯状ゾーンZの長さ方向に位置ずれしている。連続して並んだ複数の波板23の波頂部24どうしおよび波底部25どうしを連結一体化することにより、幅方向の一側縁部から他側縁部に向かって長手方向の一端部側に傾斜した線上に位置する波頂部列27と、幅方向の一側縁部から他側縁部に向かって波頂部列27と同方向に傾斜した線上に位置する波底部列28とを交互に並んで設ける。 (もっと読む)


【課題】従来より簡易に短時間で、より高分解能で、チップに個片化する前のウェハの状態で、ウェハのおもて面から、欠陥の有無を検査することが可能である炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板1と、炭化珪素基板1上に形成されたn型炭化珪素層2と、n型炭化珪素層2の表面近傍に形成されたp型不純物領域5と、p型不純物領域5及びn型炭化珪素層2上に形成された透明導電膜からなるショットキー電極11と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基材との密着性、特にスズとの密着性に優れ、かつ、電気絶縁の長期信頼性に優れ、反りの小さい表面保護膜を提供する。
【解決手段】本発明のフレキシブル回路基板保護膜の形成方法は、表面にスズメッキ層が形成された配線パターンを有するフレキシブル回路基板上に、熱硬化性組成物を塗布し加熱することにより保護膜を形成する工程を有するフレキシブル回路基板保護膜の形成方法であって、前記熱硬化性組成物が、特定のカルボキシル基含有ウレタン樹脂(A)、硬化剤(B)および酸無水物(C)を必須成分とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】保護膜及びその上に形成された電極膜が均一な膜厚で形成されていると共に光取り出し効率が高い発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、上面6a及び側面6bを有する支持構造部6と、該支持構造部6上に配置し、傾斜側面7a及び頂面7bを有するメサ型構造部7とからなり、傾斜側面7aはウェットエッチングによって形成されてなり、保護膜8は平面視して周縁領域7baの内側であってかつ光射出孔9bの周囲に配置して、化合物半導体層の表面の一部を露出する通電窓8bを有し、第1の電極膜9は通電窓8bから露出された化合物半導体層の表面に接触すると共に、上面6a上に形成された保護膜8の一部を覆い、メサ型構造部7の頂面7b上に光射出孔9bを有するように形成された連続膜であり、基板1の裏面1Aに光射出孔9bに重なる範囲内に第2の電極膜10を備えている。 (もっと読む)


【課題】従来より簡易に短時間で、より高分解能でかつチップに個片化する前のウェハの状態で、炭化珪素半導体装置の欠陥の有無を検査してその良否を判断することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板1のおもて面に炭化珪素膜2と、ショットキー電極11として透明導電膜とを順に有する炭化珪素半導体装置100の製造方法であって、炭化珪素基板の裏面に備える裏面電極10と透明導電膜との間に逆バイアス電圧を印加することによって発生する発光を透明導電膜を介して検出することによって、炭化珪素半導体装置が有する欠陥の有無を検査する検査工程を含む、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、白金等の使用量削減および腐食耐性の改善を課題としており、担持する触媒金属の活性を高めることを通じて、直接酸化型燃料電池用電極触媒における触媒金属使用量を、高い性能を保ちながら削減することができ、これにより直接酸化型燃料電池用電極触媒の低コスト化を実現することができる直接酸化型燃料電池用触媒担体の製造方法、低い触媒金属含量でも高い性能を実現することのできる直接酸化型燃料電池用触媒、ならびにその触媒の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る直接酸化型燃料電池用触媒担体の製造方法は、(a)遷移金属化合物(1)と、窒素含有有機化合物(2)と溶媒とを混合して触媒担体前駆体溶液を得る工程、(b)前記触媒担体前駆体溶液から溶媒を除去する工程、および(c)前記工程(b)で得られた固形分残渣を500〜1100℃の温度で熱処理して触媒担体を得る工程を含み、前記遷移金属化合物(1)の一部または全部が、遷移金属元素として周期表第4族または第5族の遷移金属元素M1を含む化合物であり、前記遷移金属化合物(1)および前記窒素含有有機化合物(2)の少なくとも1つが酸素原子を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面平滑性に優れた磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体、磁気記録媒体用基板の製造方法及び表面検査方法を提供する。
【解決手段】中心孔を有する円盤状の磁気記録媒体用基板であって、その主面における表面粗さは、円周方向のうねりの空間周期(L)が10〜1000μmの範囲における二乗平均平方根粗さ(Rq)で1Å以下であり、且つ、表面粗さについてスペクトル解析を行い、その空間周期(L)を横軸[μm]とし、そのパワースペクトル密度(PSD)を縦軸[k・Å・μm](kは定数)とした両対数グラフ上に表される曲線Sにおいて、空間周期(L)が10μmとなる点Aと、空間周期(L)が1000μmとなる点Bとを結ぶ線分Zの縦軸方向の成分をHとし、この線分Zに対して曲線Sの縦軸方向の成分が最大となる変位をΔHとしたときに、ΔH/H×100[%]で表される値(P)が15%以下である。 (もっと読む)


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