【課題】レーザ光の照射による熱影響を原因とする錆の発生と、レーザ光の照射により溶融した金属の硬化収縮を原因とする転がり軸受の位置ずれの発生を減少させる。
【解決手段】転がり軸受５Ｂの内輪２内面２ａをシャフト６の外面に嵌合し、周方向の複数箇所に対して順次レーザ光を照射して転がり軸受５Ｂの内輪２における軸方向の周縁部とシャフト６の外面とを複数の溶接部によって溶接し、互いに隣接する溶接部となる溶接箇所Ｗを連続する順序で溶接することなく全ての溶接部を形成する転がり軸受装置１の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電源セルの異常な電圧低下を検知するとともに、この電圧低下が復旧している場合には発電を再開させ合理的で安定的な電力供給を実現し得る電源装置を提供する。
【解決手段】 複数の電源セルを電気的に独立させて構成した組電源と、電源セルの端子間を切換素子で選択的に接続することにより各電源セルを任意に接続する切換器３と、電源セルの端子間の電位差をそれぞれ検出する電圧検出器４と、電圧検出器が検出した前記電位差をそれぞれ表わす電圧信号に基づき電源セルの発電電圧が設定電圧以下になった場合には当該電源セルを切り離して電力の供給を休止させるとともに、切り離された電源セルにおける休止時間が所定時間以上となった場合に電力の供給を休止させていた電源セルからの電力の供給を再開させるように制御信号で切換器を制御して切換素子のＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する制御器５とを有する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ表面から離れた高さ位置に電子部品を保持できるとともに、その高さ位置の位置決め精度が良い電子部品パッケージおよび電子部品パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁材料からなる第一の基板２と、該第一の基板２の上下何れか一方の面より予め定めた深さに形成され開口部よりも底面部の方が小さくなるように形成された凹部３と、前記第一の基板２を上下に貫通し、一端が前記凹部３の側壁より露出するとともに、他端が前記第一の基板２の前記一方の面と対向する面に露出した導電材料からなる貫通電極４と、該貫通電極４の前記一端の上面に電気的に接続され、前記凹部３に収容されるように配置された電子部品６と、前記第一の基板２の前記一方の面側に接続され前記凹部３を外部の雰囲気と接触しないように封止する第二の基板８と、を備えたことを特徴とする電子部品パッケージ１とする。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動による発振周波数の変動を抑え、安定して発振する発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置において、水晶振動子を接続する入出力端子に有する静電保護回路のＮＭＯＳトランジスタのドレインを接地電位に接続し、ゲートとソースと基板は水晶振動子の入出力端子を接続し、さらに接地電位と電源間に静電保護回路を備えることにより、電源電圧の変動による水晶発振回路の寄生容量値は変化せず、発振周波数の変動を抑え、安定して発振できる。 （もっと読む）

【課題】低消費電流を実現できる定電圧回路及びそれを用いた水晶発振回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路１０に温度特性調整素子を備えることにより、定電圧の温度変化に対して負となる傾きと、水晶発振回路２０における発振可能な最低動作電圧の温度変化に対して負となる傾きとの差を極小にできるので、水晶発振回路２０の消費電流を小さくでき、さらに定電圧回路１０で生成する定電流を小さくすることにより、定電圧回路１０の消費電流を小さくでき、発振装置１００全体の消費電流を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えながらゲート酸化膜の信頼性を落とさずに、オン抵抗の増大を抑制しつつＣｇｄを低下させることが可能なトレンチゲート型の半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】低濃度ドレイン領域である第１導電型の第１の半導体層の上に設けられたトレンチの内壁面にゲート絶縁膜を設け、ゲート絶縁膜を介してトレンチの底部に第１導電型の第２の半導体層を設け、第２の半導体層の上部に第２導電型の第３の半導体層を設け、トレンチ周辺の第１の半導体層の上に、第１の半導体層との底部における境界の位置が第２と第３の半導体層との境界の位置と略同一となるようにボディ領域となる第２導電型の半導体層を設けた半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】圧電振動片に対して高速かつ低温で絶縁膜を形成することが可能であり、また圧電振動片の側面に絶縁膜を形成することが可能な、圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電振動片２を実装領域Ｐにおいてマウントする工程の前に、圧電振動片２における実装領域Ｐおよび振動領域Ｒの表面に、クロムからなる下地金属層１８ａ及び金からなる仕上金属層１８ｂを積層状態で形成する工程（Ａ）と、仕上金属層１８ｂを振動領域Ｒで剥離する工程（Ｅ）と、仕上金属層１８ｂを剥離した後の下地金属層１８ａの上層に絶縁膜材料を含有した溶液をスプレー塗布する工程と、塗布した溶液を乾燥させて振動領域Ｒに絶縁膜３４を形成する工程（Ｆ）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、磁気センサ装置内部の各構成素子が発するノイズや外来ノイズによる磁界強度の検出または解除のばらつきを抑制し、高精度な磁気読み取りを可能にする。
【解決手段】磁電変換素子に印加される磁界強度に応じて論理出力を行う磁気センサ装置で、磁電変換素子の出力を増幅した信号を入力し、比較した結果を出力する比較器と、比較器の出力信号を演算処理する論理回路で構成される。論理回路は磁界強度の変化によって論理出力に変化が生じる場合のみ、連続した複数回の論理出力の照合判定を行う。こうして、消費電力を抑えつつ、装置内部の各構成素子が発するノイズや外来ノイズによる磁界強度の検出または解除の判定ばらつきを低減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動によるバラつき要因が少ない基準電圧回路の提供。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート端子が第１のＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続され、第１のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有する第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値の差に基づく電流を流すカレントミラー回路と、カレントミラー回路の電流を流す第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有し、カレントミラー回路の電流を流す第４のＭＯＳトランジスタを備え、第３のＭＯＳトランジスタと第４のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値の差に基づく定電圧を基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】被検体の観察面の微細な凹凸による光の散乱を簡単に抑制し、被検体の内部を観察できる内部状態観察方法を提供する。
【解決手段】光を用いてランバード原石５１（被検体）の内部を観察する内部状態観察方法であって、ランバード原石５１の観察面５７に、光透過性を有するフィルム６０を貼り付けるフィルム貼付工程と、ランバード原石５１の表面に光を照射しつつ、観察面５７からフィルム６０を介してランバード原石５１の内部を観察する内部観察工程と、を備え、フィルム６０は、平坦に形成された最外層６１と、最外層６１の一方面側に形成され、観察面５７に自己吸着する自己吸着層６２と、を備え、自己吸着層６２の厚さは、観察面５７の表面粗さにおける最大高さよりも厚く形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）