説明

株式会社東芝により出願された特許

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【課題】 より短時間で非水電解液を含浸させることが可能な二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 電池ケースと、前記電池ケースの内部に収納され正負の電極板にセパレータを挟んだ電極板群とを有し、前記電極板群に非水電解液が含浸されている二次電池の製造方法であって、前記電池ケース内を、前記非水電解液に対するOstwald溶解度係数が2.0以上の気体へと置換する工程と、前記気体へと置換された前記電池ケース内を減圧する工程と、減圧された前記電池ケース内へと前記非水電解液を注液する工程とを含むことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】組電池監視装置の起動待ち時間を削減して使い勝手を向上する。
【解決手段】実施形態の蓄電池装置は、複数の組電池群と、組電池群のそれぞれに対応し、対応する組電池群の監視を行うとともに、信号線で直列接続された複数の監視装置と、複数の監視装置の制御及び管理を行う管理装置と、を備えている。そして、監視装置の識別符号取得手段は、管理装置により起動が指示されると、監視装置同士を識別する識別符号を管理装置から取得し、信号出力手段は、識別符号の取得が完了した時点で、次段の監視装置における識別符号取得手段の動作開始を促す信号を信号線を介して出力する。 (もっと読む)


【課題】ユーザの意図を反映して燃料電池発電システムの動作音を的確に排除可能であり、所望のタイミングと設定内容で優れた静粛性を発揮することが可能な燃料電池発電システムとその制御方法を提供する。
【解決手段】燃料電池発電ユニット1には、燃料電池発電ユニット1の起動禁止時間帯を設定するリモコン17が設けられている。燃料電池発電ユニット1の発電制御装置11は、リモコン17が設定した起動禁止時間帯内であれば、燃料電池スタック4を停止状態のまま維持する静粛モードで燃料電池スタック4を制御するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】 溝パターン内への絶縁層や配線層等の埋め込みを簡易に行うことができ、工程短縮やコスト低減をはかる。
【解決手段】 基板10の表面に形成された溝内に溶媒を埋め込むための基板処理方法であって、基板10の表面上に溶媒42を供給しながら、基板10の表面に弾性材料で形成された溶媒保持材22を接触させた状態で、基板10の表面と溶媒保持材22とが摺動するように、基板10及び前記溶媒保持材22をそれぞれ回転させる。 (もっと読む)


【課題】配線電極間の双方向の電流値、書き込み及び消去の電圧値、および記憶保持時間が制御容易なメモリ装置を提供する。
【解決手段】微結晶である第1の導電性微粒子を含む微結晶層22と、微結晶層22を挟むトンネル絶縁膜21、23とを有する第1の二重トンネル接合構造と、微結晶である第2の導電性微粒子を含む微結晶層26と、微結晶層26を挟むトンネル絶縁膜25、27とを有する第2の二重トンネル接合構造と、第1の二重トンネル接合構造と第2の二重トンネル接合構造との間に配置され、情報電荷を蓄積する電荷蓄積層と、第1の二重トンネル接合構造、電荷蓄積層、及び第2の二重トンネル接合構造を挟む第1、第2の導電層とを備える。第1の導電性微粒子の平均粒径は、第2の導電性微粒子の平均粒径と異なっている。 (もっと読む)


【課題】振動低減及び騒音低減を実現する静止誘導電器を提供することである。
【解決手段】実施形態の静止誘導電器は、機器本体が絶縁媒体とともに、上部タンクと下部タンクとを有するタンクに収納される。前記上部タンクには、下部タンク側の縁に沿い、前記上部タンク外側の水平方向に向かって上部タンク接合部材が設けられる。前記下部タンクには、上部タンク側の縁に沿い、前記下部タンク外側の水平方向に向かって下部タンク接合部材が設けられ、前記上部タンク接合部材と連結される。
前記上部タンク接合部材と前記下部タンク接合部材の間には、第1異種材料が挟み込まれ、この第1異種材料は前記上部タンク接合部材及び前記下部タンク接合部材とは異なるヤング率を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハと半導体製造装置のホルダとをシリコン酸化膜を介して接触させた場合に、半導体ウエハとホルダとの貼り付きが抑制された半導体装置およびこの半導体装置を製造可能とする半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】
この半導体製造装置は、反応容器となるチャンバー120と、半導体ウエハにDCSガスを提供するシャワーヘッド130と、半導体ウエハに熱を加えるヒーター150と、載置面13に半導体ウエハ200が接触して支持される載置部11と、この載置部11を囲む周縁部12と、載置面13に部分的に設けられ、シリコン樹脂を主成分とする支持部材14と、を有するウエハホルダ110を少なくとも備える。この支持部材14は、SiとOとを主成分とする。 (もっと読む)


【課題】
アバランシェ耐量の増大と、オン抵抗の低減とを兼ね備えた半導体装置を提供することである。
【解決手段】
実施形態の半導体装置は、第1半導体層を含む半導体基板と、前記半導体基板内に設けられた複数の第2半導体層と、前記半導体基板の一方の表面側に設けられた複数の第3半導体層と、前記第3半導体層の表面に選択的に形成された第4半導体層と、前記第4半導体層の表面側に設けられた制御電極と、前記第1半導体層の他方の表面に設けられた第6半導体層とを有するMOSと、前記半導体基板の一方の表面側に設けられた第5半導体層と、前記第1半導体層と、前記第2半導体層と、前記第6半導体層を含んで構成され、前記第5半導体層に接続するクランプ電極に接続された第1ダイオードと、前記制御電極に接続された第7半導体層を含んで構成され、前記第1ダイオードと逆直列になるように前記クランプ電極に接続された第2ダイオードとを有する。 (もっと読む)


【課題】
実施形態は、ゲート配線の抵抗が増大することを防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、第1領域及び第2領域の半導体素子を形成するために、半導体基板、前記半導体基板上の第1絶縁膜、前記第1絶縁膜上の電荷蓄積層を積層し、所望のトレンチを形成する工程と、前記トレンチに素子分離膜を形成する工程と、前記素子分離膜及び前記電荷蓄積層上にストッパー膜30を形成する工程と、前記第2領域を第2絶縁膜で被膜し、前記第1領域の前記ストッパー膜30と前記素子分離膜をエッチバックする工程と、前記エッチバックされた素子分離膜、前記電荷蓄積層、第2領域の前記ストッパー膜30上に第3絶縁膜を介して配線を形成する工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 エアギャップ形状を容易に制御することが可能な半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】 本発明では、半導体基板1上に所定の間隔でライン2とスペース3が交互に配置されたライン・アンド・スペース構造体を形成する工程と、前記ラインの上面及び前記スペースの上面を連続して覆う第1の絶縁膜5を形成する工程と、前記スペース上方の前記第1の絶縁膜の一部をエッチングし、開口部6を形成する工程と、前記第1の絶縁膜及び前記開口部を連続して覆う第2の絶縁膜7を形成し、前記スペースと前記開口部による中空部を形成する工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。 (もっと読む)


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