説明

三菱電線工業株式会社により出願された特許

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【目的】 エピタキシャル層表面に析出するSi結晶を選択的にエッチング除去できるSiドープ半導体エピタキシャル成長基板の表面処理方法を提供すること。
【構成】 Siドープ半導体エピタキシャル成長基板を強アルカリ液中に浸漬して、エピタキシャル層表面に析出したSi結晶をエッチング除去することを特徴とする。
【効果】 エピタキシャル層表面に山脈状に析出したSi結晶を選択的にエッチング除去できる。したがって、高価な機器の使用を不要にできる。また、エピ層表面からSi結晶を機械的に削り取らないので、エピ層表面を傷つけることがなく、ウエハーを割る不良原因を排除できて、生産における歩留りが向上する。 (もっと読む)


【目的】 暖房、融雪、凍結防止等の加温機能を有する床または路面におけるランニングコストの低減を図る。
【構成】 基礎材層の上面に熱媒循環用パイプまたは発熱体を敷設し、更にこの上に表面材層を設けてなる床または路面構造において、パラフィン類100重量部と炭化水素系有機高分子5〜30重量部とが機械的手段により混合されてなる蓄熱材部を前記パイプまたは発熱体よりの熱にて蓄熱可能な部位に設けたことを特徴とする床または路面構造。 (もっと読む)



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