【課題】超撥水性を備えた新規な撥水材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材と、前記基材の表面に形成された微細凹凸構造と、前記微細凹凸構造の表面を被覆する疎水性分子とを備え、前記微細凹凸構造は、複数の板状粒子の集合体からなる花弁状構造と、柱状粒子からなる柱状構造とを備え、前記基材の表面から前記柱状構造の先端までの長さが前記基材の表面から前記花弁状構造の先端までの長さより長いものからなる撥水材。このような撥水材は、基材表面に、複数の板状粒子の集合体からなる花弁状構造と、板状粒子からなる柱状構造とを備え、基材の表面から柱状構造の先端までの長さが基材の表面から花弁状構造の先端までの長さより長いものからなる微細凹凸構造を形成し、前記微細凹凸構造の表面を疎水性分子で被覆することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの少ない絶縁ゲートを備えた窒化物半導体の半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置が備える絶縁ゲートは、窒化物半導体層１上に設けられているアモルファスの酸化シリコン膜２と、酸化シリコン膜２上に設けられているゲート電極８を有している。ゲート電極８に対向する窒化物半導体層１が酸化されている。 （もっと読む）

【課題】高価で資源量の少ないＰｔの使用量が少なく、高い触媒活性を示し、しかも、低コストな燃料電池用電極触媒及びこれを用いた燃料電池を提供すること。
【解決手段】金属ホウ化物からなる担体の表面に、１〜４原子層の白金原子層を形成する。金属ホウ化物には、Ｅ_Pt≦Ｅ≦Ｅ_Pt＋０．９（ｅＶ）（Ｅは、金属ホウ化物の表面に形成された白金原子層を構成する最表面白金の電子状態である５ｄバンドの重心位置（結合エネルギー）、Ｅ_Ptは、バルクの白金を構成する最表面白金の電子状態である５ｄバンドの重心位置（結合エネルギー））の関係が成り立つものを用いる。また、前記担体の表面積に対する前記白金原子層の面積の割合（表面被覆率）は、８０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】部品点数を増加させることなく、過電流の発生を防止して直流電源をプリチャージおよび／またはディスチャージすることが可能な電源システムを提供する。
【解決手段】電力変換器５０は、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４のオンオフを切換えることによって、直流電源１０および直流電源２０を並列に充放電させる動作と、直流電源１０および直流電源２０を直列に接続して両者を共通に充放電する動作とを切換えるように構成される。制御装置４０は、直流電源２０を直流電源１０によってプリチャージまたはディスチャージする際に、直流電源１０が周期的に充放電を繰り返す一方で、直流電源２０がプリチャージ時には充電のみ、ディスチャージ時には放電のみとされ、かつ、各スイッチング周期内で直流電源１０および２０の電流が共通となる期間を有するように、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４のオンオフを制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、前方に存在する障害物を精度よく検出することができるようにする。
【解決手段】前照灯投光装置によって、光が照射される照射領域の上端部であるカットライン境界部分の明度が変化するように前方を照射する。撮像装置１２によって、自車両の前方を撮像する。カットライン検出部２０によって、撮像された画像から、高さ方向の輝度変化に基づいて、カットライン境界部分のエッジ対を検出する。障害物検出部２２によって、検出されたカットライン境界部分のエッジ対の高さ方向の幅に基づいて、自車両の前方に存在する障害物を検出する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を利用した新規な保護素子を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０の保護部３６は、配線下層１１Ｂと、配線下層１１Ｂとは異なるバンドギャップを有する配線上層１３を有している。配線上層１３は、第１部位４１と中間部位４３と第２部位４５を含んでいる。配線上層１３と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガス層が、第１部位４１と中間部位４３の間で分離されており、第２部位４５と中間部位４３の間で分離されている。第１部位４１と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ドレイン電極２１に電気的に接続されている。第２部位４５と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ソース電極２８に電気的に接続されている。中間部位４３と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ゲート電極２５に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を維持したまま、接着性を発揮し得る耐熱性接着剤を提供する。
【解決手段】ポリイミド系樹脂およびイミダゾリウムカチオンで有機化された有機化クレイを含有してなる耐熱性接着剤。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を調整可能な駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路１０は、チャージポンプ回路部１４を備えている。チャージポンプ回路部１４は、メインスイッチング素子ＳＷ１０がターンオンする遷移期間の初期段階において、キャパシタＣ１に充電された充電電圧に基づいて駆動電源１８の電圧Ｖsを昇圧して駆動電圧Ｖgprを生成する。チャージポンプ回路部１４では、指示信号Ｓ１に基づいてキャパシタＣ１に充電される充電電圧が調整可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶及びその製造方法、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス、並びに、中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶の製造に適したＳｉＣ単結晶製造用原料を提供すること。
【解決手段】｛０００１｝面に略垂直な面を成長面とする種結晶を用いて、前記成長面上にＳｉＣを成長させることにより得られる単結晶からなり、前記単結晶の成長方向に略平行に伸びる中空欠陥の密度が６００個／ｃｍ²以下であるＳｉＣ単結晶、並びに、これを用いたＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、ＳｉＣ粉末の質量の２％以上を予備昇華させることにより得られるＳｉＣ単結晶製造用原料を用いて、ａ面成長基板上に単結晶を成長させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のスイッチングによりコモンモードノイズが発生するのをより適正に抑制する。
【解決手段】スイッチング素子を含むカード状の素子部２２と、素子部２２から互いに対面した状態で延出するＰバスバ２６ｐおよびＮバスバ２６ｎと、を間に挟んで両側に配置され導体により形成された２つの冷却器３１，３２は、両バスバ２６ｐ，２６ｎの間に配置され導体により形成された板状の接続部３６によって接続されており、２つの冷却器３１，３２を接地し、両バスバ２６ｐ，２６ｎにおける素子部２２から接続部３６に対面する所定位置までのインダクタンスをそれぞれＬｐ，Ｌｎとし、両バスバ２６ｐ，２６ｎと接続部３６との間のキャパシタンスをそれぞれＣｐ，Ｃｎとしたときに、Ｌｎ・Ｃｎ−Ｌｐ・Ｃｐ＝０の関係式が成立するように両バスバ２６ｐ，２６ｎと接続部３６とを形成かつ配置する。 （もっと読む）