説明

日本碍子株式会社により出願された特許

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【課題】電解質層とバリア層の界面付近における剥離の発生を抑制可能な燃料電池セルを提供する。
【解決手段】燃料電池セル1は、燃料極11と、空気極14と、ジルコニウムを含み、燃料層と空気極との間に設けられた電解質層15と、セリウムを含み、電解質層と空気極との間に設けられたバリア層13と、を備える。バリア層13は、ジルコニウム及びセリウムを含み、電解質層と接する中間層131を有する。中間層は、長径の短径に対するアスペクト比が2以上である棒状粒子を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】固体酸化物形燃料電池(SOFC)の発電部間を電気的に接続する接合体であって、接合強度が高く且つ電気的接続の信頼性が高いものを提供すること。
【解決手段】隣接する2つの横縞型SOFCセル100、100間が、金属製の接続部材300によって接合される。「接続部材300の左側端部」と、「左側のSOFCセル100に設けられた空気極60と電気的に接続されたインターコネクタ30」とが、接合材80を用いて電気的に接続するように接合され、且つ、「接続部材300の右側端部」と、「右側のSOFCセル100に設けられた燃料極20と電気的に接続されたインターコネクタ30」とが、接合材80を用いて電気的に接続するように接合されている。接合材80によって金属製の接続部材300の両端部のそれぞれと接合されるインターコネクタ30、30が、共に緻密な導電性セラミックス材料からなる。 (もっと読む)


【課題】条件の異なる複数ゾーンからなる連続乾燥炉における乾燥工程を、正確に模擬することができるバッチ炉及びバッチ炉による連続乾燥炉の模擬方法を提供する。
【解決手段】赤外線加熱装置8と熱風乾燥装置9とを備え、塗膜が形成された平面状のワークを乾燥するバッチ炉である。熱風乾燥装置9は温度条件の異なる複数の加熱手段24〜26を備え、赤外線加熱装置8の出力と使用する加熱手段とを、ワークが連続乾燥炉の各ゾーンを通過するに要する時間が経過するごとに瞬時に切り替えることにより、バッチ炉において連続乾燥炉における乾燥条件を模擬する。 (もっと読む)


【課題】燃料側電極にインターコネクタが設けられた固体酸化物形燃料電池(SOFC)であって、導電性が高いものを提供すること。
【解決手段】SOFC100の燃料側電極110には、緻密なインターコネクタ140が設けられ、インターコネクタ140の表面には、多孔質のN型半導体膜150が形成される。N型半導体膜150の表面には、P型半導体膜160が形成される。N型半導体膜をインターコネクタとP型半導体膜との間に挿入すると、そうでない場合と比べて、SOFCの導電性が向上する。 (もっと読む)


【課題】空気中の酸素を選択的に内部に導入することが可能であるとともに電解液に対する耐性の高い選択的酸素透過基体を提供する。
【解決手段】炭素を主成分とし磁性体が分散された磁性体分散層を有し、磁性体分散層が、気体を内部に導入するための気体導入面を有し、好ましくは、磁性体分散層が、多孔質炭素膜に磁性体が分散されたものであり、空気電池用正極の基材として用いることが可能であり、更に好ましくは、磁性体分散層と多孔質基材とを有する選択的酸素透過基体。 (もっと読む)


【課題】炭化水素に対して感度が大きく、選択性が高く、小型化が可能で、耐熱性及び耐久性が高い炭化水素濃度測定用センサ素子、炭化水素濃度測定装置、および炭化水素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】イオン伝導性固体電解質からなる固体電解質基板12と、固体電解質基板12上に設けられたZnO含有複酸化物からなる検知極18と、固体電解質基板12上に設けられたPt参照極15と、固体電解質基板12の温度調節をする温度調節部と、を含む炭化水素濃度計測用センサ素子11である。 (もっと読む)


【課題】燃料側電極に設けられた緻密な導電性セラミックからなるインターコネクタの表面に導電性セラミックス膜が設けられたSOFCであって、「インターコネクタと導電性セラミックス膜との界面」の接合状態に関し、剥離が発生し難いものの提供。
【解決手段】SOFC100の燃料側電極110には、ランタンクロマイト(LC)からなるインターコネクタ140が設けられ、インターコネクタの表面には導電性セラミックス膜であるP型半導体膜150が形成される。「インターコネクタとP型半導体膜とを含む断面における両者の界面に対応する線(境界線)」上において「両者が接触している複数の部分の長さ」のうちの最大値(最大接合幅)が40μm以下であると、界面における最大接合幅に対応する部分において剥離が発生し難くなる。 (もっと読む)


【課題】コストメリットがあり、かつ、特性の優れた高周波動作用の半導体素子を実現できるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】導電性を有するSiCまたはSiからなる基材の上に、絶縁性を有する第1のIII族窒化物からなる下地層をMOCVD法によって、表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有するようにかつ、表面の平均粗さが0.5μm以上1μm以下となるように、エピタキシャル形成し、下地層の上に、GaNからなるチャネル層をエピタキシャル形成し、チャネル層の上に、AlGa1−xN(0<x<1)からなる障壁層をエピタキシャル形成する。 (もっと読む)


【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。
【解決手段】 成膜面2bと加工凹部8とが設けられている基板本体1に対して、成膜面2bおよび加工凹部8を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜4A、4B、5を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶6を育成する。 (もっと読む)


【課題】サイズが小さな場合であっても、潤滑系流体を過度に加熱することなく潤滑系流体の温度を速やかに上げることが可能なヒーターを提供する。
【解決手段】ヒーター本体50、ヒーター本体50を収納するハウジング51、及びヒーター本体50とハウジング51との間の少なくとも一部に配置された樹脂材52、を備え、ヒーター本体50が、複数のセルを区画形成する隔壁を有する筒状のハニカム構造部4、及びハニカム構造部4の側面に配設された一対の電極部21を有し、ハウジング51が、ヒーター本体50の側面側を覆うようにヒーター本体50を収納し、ハニカム構造部4の隔壁が、セラミックスを主成分とする材料からなり、隔壁が通電により発熱するヒーター100。 (もっと読む)


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