説明

日本碍子株式会社により出願された特許

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【課題】炉内温度の上昇を抑制しながら、分子間の水素結合を切断する能力に優れる近赤外線を集中的に放射し、水または樹脂バインダーを含有する未焼成セラミックを効率よく乾燥することができるセラミック乾燥炉を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック乾燥炉は、3.5μm以下の電磁波の吸収スペクトルを持ち、水素結合を有する水または樹脂バインダーを含有する未焼成セラミックを乾燥させるための炉である。炉体10の内部に未焼成セラミックの搬送手段11と赤外線ヒーター12とを備える。赤外線ヒーター12は、フィラメント15の外周が3.5μm以上の赤外線を吸収する複数の管によって覆われ、これらの複数の管の間に赤外線ヒーターの表面温度の上昇を抑制する冷却用流体の流路を形成した構造を有する。 (もっと読む)


【課題】排ガス浄化用の触媒担体として好適に用いられるハニカム構造体を提供する。
【解決手段】セル2を区画形成する隔壁1に、気孔径が14μm未満の小気孔16と、気孔径が14μm以上の大気孔15と、が形成され、隔壁1の気孔率が50〜70%であり、且つ、隔壁1の大気孔15の気孔率が30%以上であり、大気孔15の総容積に対する、小気孔16の総容積の比率が20%以上であり、隔壁1の気孔径分布を示すグラフにおいて、大気孔15の最大ピーク値における気孔径が、20〜200μmであり、且つ、小気孔16の最大ピーク値における気孔径が、0.1〜8μmであり、更に、大気孔15の気孔率の値(%)を、隔壁1の厚さの値(μm)で除した値が、0.2以上であるハニカム構造体100。 (もっと読む)


【課題】ハニカム触媒体に熱が加えられた際に、触媒が活性化する温度まで素早く昇温するハニカム触媒体を提供する。
【解決手段】気孔率が50%以上で且つ隔壁断面における平均気孔径が20μm以上の筒状のハニカム構造体50と、SCR触媒60と、を備え、SCR触媒60が、ハニカム構造体50の隔壁1の気孔15の内部に所定量充填されるとともに、SCR触媒60が、隔壁1の表面全域を覆うように配設され、隔壁1の表面全域を覆うように配設されたSCR触媒60による層61の厚さが、20μm以上であるハニカム触媒体100。 (もっと読む)


【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のn型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、n型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を0.05mol%以上、0.5mol%以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を0.1 mol%以上、3.0mol%以下とした。 (もっと読む)


【課題】金具部を防食処理することによって寿命延伸を図ることができるがいしを提供する。
【解決手段】溶融亜鉛めっき層7は、がいしの金具部3A,3Bの腐食を防止する金属めっき層である。腐食防止層8は、金具部3A,3Bの溶融亜鉛めっき層7の表面に塗布されて、この溶融亜鉛めっき層7の表面に密着しこの溶融亜鉛めっき層7の腐食を防止する塗膜である。腐食防止層8は、錆層に容易に浸透して錆層を固着化する錆転換型の防食塗料を塗布して形成されるプライマ層である。耐候性向上層9は、腐食防止層8の表面に塗布されて、高電圧下で導電性を有するとともにこの腐食防止層8の耐候性を向上させる塗膜である。耐候性向上層9は、塗膜表面の硬度(機械的強度)を向上させて傷つき防止効果を図るトップコート層である。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、触媒を担持した後でも圧力損失が増加しにくいウォールフロー型排ガス浄化フィルタを提供する。
【解決手段】排ガス浄化フィルタは、多孔質セラミックからなる隔壁12を有するハニカム構造体と、所定のセルの一方の開口端部と残余のセルの他方の開口端部とに配設された目封止部と、を備える。排ガス浄化フィルタは、隔壁12の表面に平行な任意の断面の10mmの範囲において、1/3mm×1/3mmの領域ごとに平均細孔径を求めた場合に、平均細孔径が15μm以上である大細孔領域が0.1mm以上存在し、平均細孔径が8μm以下である小細孔領域が、0.1mm以上存在する。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、ワイドバンドギャップ材料を用いて電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれの、少なくとも第1半導体層と接合する部分が、所定の半導体材料を用いて正孔を多数キャリアとするように構成されてなる第2半導体層であり、第1半導体層と第2半導体層との接合部においてはP−N接合が形成されてなる、ようにした。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれと第1半導体層との接合部がそれぞれ第1と第2の接合部からなり、第1接合部は、第1半導体層と接続する単位アノード部部分が正孔が多数キャリアの第2半導体層であるP−N接合部であり、第2接合部は、第1半導体層と接続する単位アノード部部分が金属によって構成されたショットキー接合部である、ようにした。 (もっと読む)


【課題】支持基板と発電部との界面付近におけるクラックの発生を抑制可能な固体電解質型燃料電池セルを提供する。
【解決手段】固体酸化物型燃料電池セルは、燃料ガス流路を内部に有し、少なくともMgOとY23とを含む主組成物を含有する支持基板と、支持基板上に形成され、燃料極と空気極と燃料極と空気極との間に配置される固体電解質層とを有する発電部と、を備える。主組成物は、84.5モル%以上95.5モル%以下のMgOと、4.5モル%以上9.5モル%以下のY23と、0モル%以上11.0モル%以下のNiOと、によって構成される。 (もっと読む)


【課題】支持基板とステンレス鋼との接続領域におけるクラックの発生を抑制可能な固体電解質型燃料電池セルを提供する。
【解決手段】固体酸化物型燃料電池セルは、燃料ガス流路を内部に有し、少なくともMgOとY23とを含む主組成物を含有する支持基板と、支持基板上に形成され、燃料極と空気極と燃料極と空気極との間に配置される固体電解質層とを有する発電部と、を備える。主組成物は、64.56モル%以上97.70モル%以下のMgOと、2.30モル%以上4.50モル%以下のY23と、0.00モル%以上30.94モル%以下のNiOと、によって構成される。支持基板が還元された場合に主組成物の固相の全体積に対するNiの体積割合は18.0体積%以下である。 (もっと読む)


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