説明

日本碍子株式会社により出願された特許

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【課題】支持基板とステンレス鋼との接続領域におけるクラックの発生を抑制可能な固体電解質型燃料電池セルを提供する。
【解決手段】固体酸化物型燃料電池セルは、燃料ガス流路を内部に有し、少なくともMgOとY23とを含む主組成物を含有する支持基板と、支持基板上に形成され、燃料極と空気極と燃料極と空気極との間に配置される固体電解質層とを有する発電部と、を備える。主組成物は、64.56モル%以上97.70モル%以下のMgOと、2.30モル%以上4.50モル%以下のY23と、0.00モル%以上30.94モル%以下のNiOと、によって構成される。支持基板が還元された場合に主組成物の固相の全体積に対するNiの体積割合は18.0体積%以下である。 (もっと読む)


【課題】微細な配線層を有するにもかかわらず、低いオープン不良率を有し、且つ高い高温高湿信頼性を有する、積層セラミック配線基板を提供する。
【解決手段】面内導体の少なくとも一部がファインライン化され、ファインライン化された面内導体の断面形状を台形とし、且つ当該台形状の断面の高さa、下底の長さc及び上底の長さd、並びに基板の主面に平行な面内において隣り合う面内導体の台形状の断面の下底の間隔bが特定の関係を満たすように構成する。 (もっと読む)


【課題】耐久性を向上可能な燃料電池セルを提供する。
【解決手段】燃料電池セル10において、ジルコニウムを含む固体電解質層12と、空気極15との間に、セリウムとジルコニウムを含むバリア層14とを備え、該バリア層14の前記空気極との接合領域Xにおけるジルコニウム濃度の最大値は、前記固体電解質層12におけるジルコニウム濃度の最大値を“1”とした場合に“0.08以上0.4以下”とする。前記接合領域Xにおけるジルコニウム濃度の最大値を“0.08以上”にすることによって、バリア層14と空気極15との界面剥離を抑制でき、最大値を“0.4以下”に規定することによって、バリア層14と空気極15との間における高抵抗層の形成を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】セル特性を向上可能な燃料電池セルを提供する。
【解決手段】燃料電池セル10は、燃料極11と、固体電解質12と、中間層13と、固体電解質層と共焼成されたバリア層14と、空気極15と、を備える。空気極15は、バリア層上に配置されており、バリア層との接合界面15aにおいて前記バリア層に接合される複数の接合部15bと、前記複数の接合部の間に設けられる複数の気孔15cと、を備え、接合界面における単位長さ当たりの前記複数の接合部15bの接合占有率は、30%〜80%に規定されている。 (もっと読む)


【課題】Sr2RuErO6やBa2RuErO6に比して出力因子の大きい熱電変換材料を提供する。
【解決手段】本発明の熱電変換材料は、(M1-xLax2Ru(Er1-yCey)O6で表されるダブルペロブスカイト型酸化物を有する。ここで、MはSr又はBaであり、x,yは0≦x<1,0≦y<1,x+y>0を満たす。このうち、xは0≦x≦0.4を満たし、yは0≦y≦0.4を満たすことが好ましい。また、MはBaであり、xはx>0を満たすことがさらに好ましい。 (もっと読む)


【課題】大型膜においても欠陥量が少なく、分離性能の高い分離膜を有するものを得るための分離膜の欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】長手方向の一方の端面から他方の端面まで形成されたセルを複数個有する多孔質のモノリス基材のセルの内壁面に成膜された分離膜の欠陥検出方法である。セルの一方に真空ポンプ25、他方に真空計26を接続してセル内を真空引きし、セル内の到達真空度を測定する。 (もっと読む)


【課題】空気中の酸素を選択的に内部に導入することが可能であるとともに電解液に対する耐性の高い選択的酸素透過基体を提供する。
【解決手段】無機骨格及び遷移金属イオン錯体を有し、酸素を選択的に透過することができる選択的酸素透過膜と、当該選択的酸素透過膜の一方の面に配設された多孔質基材とを備え、好ましくは、遷移金属イオン錯体が、無機骨格に結合しており、更に好ましくは、無機骨格を構成する材料が、シリカ、チタニア、アルミナ及びジルコニアからなる群から選択される少なくとも1種である選択的酸素透過基体。 (もっと読む)


【課題】温度変化に伴って半導体素子と基板との間に作用する熱応力を低減することができ、且つ(多層配線層を含む)基板全体として高い機械的強度(剛性)を有する積層焼結セラミック配線基板、及び当該配線基板を含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子に近い熱膨張率を有するセラミック基材11と基材11中に埋設された内層配線14とを一体的に焼結し、内層配線14における多層配線層に相当する微細な導体構造が所定の幅Wc、層内間隔Dh、及び層間間隔Dvを有するように配線基板10を構成する。これにより、半導体素子が接合された状態において基板10が温度変化に曝される際に半導体素子と基板10との間に作用する熱応力を抑制し、基板10の剛性を維持し、温度サイクル信頼性を高める。更に、基板10における内層配線14の導通不良や絶縁不良をも低減する。 (もっと読む)


【課題】透光性アルミナ基板と、この透光性アルミナ基板の表面に形成されている配線パターンとを備えている透光性配線基板において、熱サイクル印加後に配線パターンの透光性アルミナ基板への接着を維持し、かつ配線基板の透光性が得られるようにする。
【解決手段】配線基板8は、透光性アルミナ基板1の表面1aに形成されている下地層7と、この下地層7上に形成されている配線パターン2を備える。透光性アルミナ基板1の表面1aのうち配線パターン2によって被覆されていない領域5に平滑面が露出している。下地層7が、モリブデンおよびタングステンからなる群より選ばれた一種以上の金属5〜60容量%およびアルミナ95〜40容量%の組成を有するサーメットからなり、あるいは、50〜200ppmのシリカを含有するアルミナからなる。 (もっと読む)


【課題】逆方向漏れ電流が抑制されてなるとともに二次元電子ガスの移動度が高い半導体素子を提供する。
【解決手段】下地基板1の上にIII族窒化物層群を(0001)結晶面が基板面に対し略平行となるよう積層形成したエピタキシャル基板10と、ショットキー性電極9と、を備える半導体素子20において、エピタキシャル基板10が、Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1=1、z1>0)なる組成の第1のIII族窒化物からなるチャネル層3と、Inx2Aly2N(x2+y2=1、x2>0、y2>0)なる組成の第2のIII族窒化物からなる障壁層5と、GaNからなり障壁層5に隣接する中間層6aと、AlNからなり中間層に隣接するキャップ6b層と、を備え、ショットキー性電極9がキャップ層6bに接合されてなるようにする。 (もっと読む)


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