説明

日立化成株式会社により出願された特許

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【課題】はんだ成分を自己組織化により基板の電極上に偏在させることにより、保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極上に選択的にはんだバンプ又ははんだ接合を形成できるリフローフィルムを提供し、更にこれを用いたはんだバンプ又ははんだ接合の簡便な形成方法、これにより形成されたボイドが少なく高さばらつきが少ないはんだバンプ及びはんだバンプ付き基板を提供する。
【解決手段】ポリビニルアルコールと、分子量500以下の水に溶解または分散する化合物と、分散したはんだ粒子とを含むフィルム21であって、前記分子量500以下の化合物はポリビニルアルコール100質量部に対して20〜300質量部であるリフローフィルム、および基板10の電極12面側に前記リフローフィルムを載置する工程、さらに平板12を載置する工程、加熱する工程、及び前記リフローフィルムを溶解除去する工程を含むはんだバンプ形成方法。 (もっと読む)


【課題】低熱膨張性、銅箔接着性、耐熱性、難燃性、銅付き耐熱性(T-300)、誘電特性、ドリル加工性の全てに優れる熱硬化性樹脂組成物を作製することが可能な相溶化樹脂の製造方法、当該製造方法により製造された相溶化樹脂、熱硬化性樹脂組成物、これを用いたプリプレグ及び積層板を提供する。
【解決手段】シアネート化合物と末端に水酸基を有するシロキサン樹脂及び末端にエポキシ基を有するシロキサン樹脂を特定の反応率に反応させる相溶化樹脂の製造方法、該方法により製造された相溶化樹脂、該相溶化樹脂(A)とトリメトキシシラン化合物により表面処理された溶融シリカ(B)を含有する熱硬化性樹脂組成物、これを用いたプリプレグ及び積層板である。 (もっと読む)


【課題】無機絶縁膜層等の被研磨面を、研磨傷の発生を抑え、かつ高速で研磨することが可能な研磨剤及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粒子及び媒体を含有する研磨剤であって、前記金属酸化物粒子が、金属塩、高分子化合物、及び高沸点有機溶媒を含有する混合物を加熱することにより生成する金属酸化物を焼成して得られる金属酸化物粒子を含む、研磨剤。 (もっと読む)


【課題】分散性に優れる酸化銅粒子を提供する。
【解決手段】複数の酸化銅粒子を含み、酸化銅粒子の3次元形状において、酸化銅粒子に外接する平行二平面のうち、平行二平面間距離が最大となるように選ばれる平行二平面の距離を長径とし、長径を与える平行二平面に直交し且つ酸化銅粒子に外接する平行二平面のうち、平行二平面間距離が最小となるように選ばれる平行二平面の距離を短径とし、前記長径を与える平行二平面に直交し且つ酸化銅粒子に外接する平行二平面のうち、平行二平面間距離が最大となるように選ばれる平行二平面の距離を中径とした場合に、複数の酸化銅粒子について、長径の長さの平均値が100nm以上600nm以下であり、短径の長さの平均値に対する長径の長さの平均値の比が2.9以上5.5以下であり、中径の長さの平均値に対する長径の長さの平均値の比が2.0以上である酸化銅粒子群。 (もっと読む)


【課題】高精細で低抵抗な金属銅層を精度よく形成可能な酸化銅ペースト及びこれを用いた金属銅層の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化銅ペーストを、長径の長さの平均値が100nm以上1700nm未満であり、短径の長さの平均値に対する長径の長さの平均値の比が1.2以上20以下である酸化銅粒子群と、分散媒とを含んで構成する。また該酸化銅ペーストを支持体上に付与し、導体化処理することで金属銅層を製造する。 (もっと読む)


【課題】高価な材料の使用を低減させ、製造プロセスを簡略化させ、モジュール効率を向上させ、また、一層軽量な太陽電池ユニットを与える導通材付き太陽電池セルを提供する。
【解決手段】結晶系太陽電池セルと、当該結晶系太陽電池セルの表面上に配置された導通材と、を備え、前記導通材が、高分子樹脂及び導電粒子を含んで異方導電性を有するフィルム状接着剤である、導通材付き太陽電池セル。 (もっと読む)


【課題】金属イオン吸着性と金属イオン選択性に優れるリチウムイオン二次電池用正極を提供する。
【解決手段】本発明のリチウムイオン二次電池用正極は、表面に、Si及びAlの元素モル比Si/Alが0.3以上1.0未満のアルミニウムケイ酸塩が付与されてなる。 (もっと読む)


【課題】基板間の導電接続を確実に行うことができるとともに、隣接する粒子間でのリークを防止して隣接電極間の良好な絶縁特性を得ることができる撥水性導電粒子、同撥水性導電粒子を用いてなる異方導電材料及び導電接続構造体を提供すること。
【解決手段】導電性を有する金属からなる表面を有する基材粒子2aと、基材粒子の表面上に存在する絶縁性の凸部1と、を備え、基材粒子及び凸部の少なくとも一方は、疎水基を有する化合物3と化学結合しており、下記式(1)で表される凹凸比が0.05〜0.17である、撥水性導電粒子10a。
凹凸比=T1/D1 ・・・(1)
[式中、D1は基材粒子の直径であり、T1は凸部の該基材粒子の表面からの高さである。] (もっと読む)


【課題】充分に低い接続抵抗及び充分な圧痕強度を得ることが可能な回路接続用接着剤フィルムを提供すること。
【解決手段】硬化剤を含有する接着剤成分及び導電粒子を含む導電性接着剤層と、硬化剤を含有する接着剤成分を含み導電粒子を含まない絶縁性接着剤層と、を備える回路接続用接着剤フィルムであって、導電性接着剤層の厚みは導電粒子の平均粒径の2倍以下であり、導電性接着剤層に含まれる接着剤成分が含有する硬化剤の当該接着剤成分に対する質量比が、絶縁性接着剤層に含まれる接着剤成分が含有する硬化剤の接着剤成分に対する質量比よりも少ない、回路接続用接着剤フィルム。 (もっと読む)


【課題】厚さが15〜75μmの薄い半導体チップをピックアップする場合であっても、割れ、欠け等の破損を生じることなく、従来のコレットを用いてチップを速やかにピックアップすることができる、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハの一方の面に樹脂膜を形成する工程と、半導体ウエハの他方の面に、ダイボンディングフィルムを備える粘着シートを貼り合せてダイシングを行ない、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを作製する工程と、コレットを用いてダイボンディングフィルム付き半導体チップをピックアップする工程と、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを配線基板上にダイボンディングする工程と、を含み、半導体ウエハは、厚みが15〜75μmであり、樹脂膜は、25℃における弾性率が2〜10GPaであり、膜厚が3〜20μmである、半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


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