【課題】ＨＦガス等の温度に依存して重合する処理ガスの供給量（実流量）を精度良く、且つ安定して制御することが可能な処理ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して減圧雰囲気中で所定の処理を施す処理装置４に向けて温度に依存して重合する処理ガスを流量制御しつつ供給する処理ガスの供給方法において、大気圧よりも低い供給圧力が適正動作範囲となっているダイヤフラムを有する低差圧型の質量流量制御装置３４を用いて前記処理ガスの流量を制御する。これにより、ＨＦガス等の温度に依存して重合する処理ガスの供給量（実流量）を精度良く、且つ安定して制御する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物を除去する洗浄およびろう材を除去する洗浄を施した後においても、優れた電気絶縁性を有するセラミックス回路基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板にろう材層を介して金属回路板を接合して接合体を得る接合工程と、接合体をエッチング溶液に浸漬して金属回路板の不要部分を除去してギャップを形成し回路パターンとするパターン形成工程と、回路パターンを形成した接合体を中性洗浄液に浸漬してギャップにはみ出たろう材層を覆う反応生成物を除去してろう材層を露出させる第一除去工程と、露出した前記ろう材層を除去する第二除去工程とを有するセラミックス回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】回路基板と放熱ベースとを接合するはんだ層にクラックが発生すること及び金属放熱板とアルミニウム層との界面に化合物層が形成されることを防止することにより高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属回路板が形成され、他方の面に金属放熱板が形成された回路基板であって、前記金属回路板および前記金属放熱板が銅または銅合金からなり、前記金属放熱板に接合部材層を介してアルミニウム板が接合されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】 同一基板内に、平滑な個所と規則的な凹凸が形成されている発光装置用基板とその製造方法を提供する発光装置用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】
表面に凹凸部分と平滑部分とを有する樹脂が、金属薄板上に形成された発光装置用基板であって、前記凹凸部分の凹凸は曲面形状であり、且つ、隣り合う凸部の４つの頂点を線で結んだ四角形の４辺の最短長さの辺に対する最長長さの辺の比が１．０〜１．３、隣り合う凸部の４つの頂点を直線で結んだ四角形の対向する２つの頂点同士を直線で結んだ時、２つの直線の長さの短い方の直線に対する長い方の直線の比が１．０〜２．０、隣り合う凸部の４つの頂点を直線で結んだ四角形の対向する２つの頂点同士の間隔が０．１〜１５．０μｍ、凹凸高さが０．１〜６．０μｍ、平滑部分の粗さの変位は０．１μｍ未満である発光装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】 たとえば電動車両用インバータとして高電圧、大電流動作が可能なパワー半導体モジュール（例えばＩＧＢＴモジュール）に代表される半導体装置の放熱部材や熱応力を緩和する部材等として用いられるアルミニウム部材をめっき層等を介さずに接合できるはんだを提供する。
【解決手段】 質量％でＡｇ１０％以下、Ａｌ５％以下、残部実質的にＳｎよりなるアルミニウム部材直接接合用はんだである。好ましくは、Ａｇ５％以下、Ａｌ１％以下とする。 （もっと読む）

【課題】 接着性を改善した、希土類系永久磁石に関する。
【解決手段】 積層めっき皮膜を有する希土類系永久磁石であって、めっき皮膜の最表層が膜厚０．１μm以上３μｍ以下のＳｎＣｕ合金めっき皮膜であり、前記ＳｎＣｕ合金めっき皮膜の組成は、Ｓｎが３５ｍａｓｓ％以上５５ｍａｓｓ％以下で残部が実質的にＣｕである。本希土類系永久磁石を用いて作成した接合構造体はシリコーン系接着剤との組み合わせにおいて、良好な初期接着強度を持ち、耐湿性試験後においても接着強度の低下が少ない。 （もっと読む）

【課題】 放熱部材接合面側の熱応力を緩和し、高い放熱特性と冷熱サイクルに対する高い耐久性を兼ね備える半導体基板及び半導体モジュールを得る。
【解決手段】 一方の面が半導体部品搭載面となり、他方の面が放熱部材接合面となるセラミックス基板およびこれを用いた半導体モジュールであって、放熱部材接合面には、基板側から銅層、Ｓｎ−Ａｇ−Ａｌ系、はんだ接合層、アルミニウム層を形成したものである。好ましくは、はんだ接合層は、質量％でＡｇ１０％以下、Ａｌ５％以下、残部実質的にＳｎのはんだが接合された層とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板と放熱ベースとを接合するはんだ層にクラックが発生すること及び金属放熱板とアルミニウム層との界面に化合物層が形成されることを防止することにより高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属回路板が形成され、他方の面に金属放熱板が形成された回路基板であって、前記金属回路板および前記金属放熱板が銅または銅合金であり、前記金属放熱板の表面に溶射によりアルミニウム層が形成されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】広帯域化が可能で、各バンド内において良好な利得と放射特性が得られるアンテナ装置を省スペースで実現し、その周波数調整を容易に行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】端部１２０ａに給電部を設けた主面導体部１２０と、主面導体部１２０と接合された基体１１０を備えたアンテナ装置１００であって、給電部１２１ａと裏面導体部１６０ａａとが容量結合するように、主面導体部１２０はループ状になして裏面導体部１６０ａａとで第１のアンテナ部αを形成し、追加導体１６０ｂａと主面導体部１２０とでモノポール状の第２のアンテナ部βを形成するので、第１のアンテナ部α、第２のアンテナ部βは、それぞれ独立して経路長を変更することができる。従って、第１のアンテナ部αと第２のアンテナ部β、どちらか一方の周波数調整でも、容易に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 真空再溶解を行って得られるマルエージング鋼帯中に残留する、非金属介在物の大きさを効果的に小さくした新規のマルエージング鋼を提供する。
【解決手段】 真空再溶解用の消耗電極を製造し、該消耗電極を用いて、真空再溶解を行うＴｉを含有するマルエージング鋼の製造方法において、前記消耗電極はＣａを５ｐｐｍ以上含有するマルエージング鋼の製造方法であり、少なくともＣａ：１５ｐｐｍ未満（０は含まず）、酸素：１０ｐｐｍ未満、窒素：１５ｐｐｍ未満、Ｔｉ：２．０％以下（０は含まず）を含有したマルエージング鋼であって、組織中の１０μｍ以上の酸化物系非金属介在物の総個数に対して、前記酸化物系非金属介在物中の金属元素のうち、Ａｌを８５ｍａｓｓ％以上含む１０μｍ以上の酸化物系非金属介在物が７０％未満であるマルエージング鋼である。 （もっと読む）