説明

日立電線株式会社により出願された特許

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【課題】窒化物半導体単結晶のスライス時の割れを低減でき、窒化物半導体基板の歩留を向上できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板上に気相成長により窒化物半導体単結晶を成長する成長工程と、成長した前記窒化物半導体単結晶の外周面を研削する研削工程と、前記外周面が研削された前記窒化物半導体単結晶をスライスするスライス工程とを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、前記研削工程における前記窒化物半導体単結晶の前記外周面の研削量が1.5mm以上である。 (もっと読む)


【課題】難燃性をより向上し、かつ環境に配慮した含ふっ素エラストマ被覆電線を提供する。
【解決手段】テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体100重量部に対して、三酸化アンチモンを0.5〜20重量部添加してなり、ハロゲン化合物からなる難燃剤を含まない組成物を、導体の外周に被覆層として形成したものである。 (もっと読む)


【課題】接続作業が容易で、良好な電導性を得る。
【解決手段】複数本のNbTi超電導線同士を接続するNbTi超電導線の接続方法において、各NbTi超電導線の接続部分のNbTi超電導フィラメントを露出させる工程と、露出させたNbTi超電導フィラメント露出部同士を同方向に並べて互いに重ね合わせる工程と、重ね合わせた前記NbTi超電導フィラメント露出部に金属パイプを被覆させる工程と、前記金属パイプを縮径加工して前記NbTi超電導フィラメント露出部を圧着する工程と、縮径加工した前記金属パイプを、厚さtと幅wの比がw/t≧3となるまで、前記NbTi超電導フィラメント露出部を並べた方向と直交する方向に扁平状に圧延加工する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】負極活物質層との密着性を向上させる。
【解決手段】シリコン系の負極活物質層15a(15b)及びスズ系の負極活物質層15a(15b)の担持に用いられるリチウムイオン二次電池用負極集電銅箔10であって、銅または銅合金からなる銅箔と、銅箔の少なくとも片面に粗化めっきにより付着させた粒状電着物と、を備え、粒状電着物の平均粒径は、0.4μm以上1.0μm未満であり、かつ、粒径が0.2μm以上1.5μm未満の粒状電着物の個数は、銅箔の表面積100μmあたりに150個以上650個未満である。 (もっと読む)


【課題】低抵抗(表面比抵抗が20Ω/□以下)であり、結晶性が良好(XRD半値幅が50秒以上100秒以下)な窒化物半導体テンプレート、及びそれを用いた発光ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体テンプレート10は、基板11と、基板11上にO(酸素)が添加されたO添加層としてOドープGaN層13を形成し、OドープGaN層13上にSiが添加されたSi添加層としてのSiドープGaN層14を形成してなるIII族窒化物半導体層22とを備え、III族窒化物半導体層の全体の膜厚が4μm以上10μm以下であり、SiドープGaN層14におけるSiの平均キャリア濃度が1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、リードフレーム等に用いられるCDA Alloy194の強度、導電性、耐熱性の要求特性を満足し、かつ、製造方法をより短縮できる電気・電子部品用銅合金の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、質量で、Fe1.8〜2.6%、P0.01〜0.15%、Zn0.005〜0.2%を含有し、残部がCuと不可避的不純物からなる鋳塊を熱間圧延後、第一の冷間圧延、第一の熱処理、第二の冷間圧延、第二の熱処理、第三の冷間圧延及び第三の熱処理の工程を順次経て所望の板厚まで加工し、第ニの熱処理における第一の焼鈍を650〜750℃の温度範囲に含まれる温度T℃で下式にて導かれる時間tに1〜5を乗じた時間t分で焼鈍し、第三の冷間圧延の加工度を70〜85%とする。
t1=(T+273)/{1.2×1014*exp(−25632/(T+273))} (もっと読む)


【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのHVPE装置1は、Ga(金属)7aを収容するタンク(収容部)7を上流側に有し、成長用の基板11が配置される成長部3bを下流側に有する筒状の反応炉2と、ガス導入口64aを有する上流側端部64からタンク7を経由して成長部3bに至るように配置され、上流側端部64からガスを導入してタンク7に供給し、ガスとタンク7内のGaとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部3bに供給する透光性のガス導入管60と、反応炉2内に配置され、ガス導入管60の上流側端部64を成長部3bから熱的に遮断する熱遮蔽板9A、9Bとを備え、ガス導入管60は、上流側端部64と熱遮蔽板9Bとの間で屈曲された構造を有する。 (もっと読む)


【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたCSP構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起3が形成された部分であるアウターリードとしての2つの厚肉部2A、及び2つの厚肉部2Aの間のインナーリードとしての薄肉部2Bを有するリードフレーム5Aと、ボンディングワイヤ12を介して薄肉部2Bに電気的に接続される半導体チップ11と、リードフレーム5A及び半導体チップ11を封止する樹脂パッケージ14と、を含み、リードフレーム5Aの上面及び下面の樹脂パッケージ14に接触する部分に、突起3に平行な線状の微小溝4A、4Bが形成され、微小溝4A、4Bの深さは前記突起の高さよりも小さく、2つの厚肉部2Aの一部が樹脂パッケージ14の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、高い導電性を備え、かつ、軟質材においても高い引張り強さと伸び率を有し、製造工程が単純でかつ安価である軟質希薄銅合金材料の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、及びCrからなる群から選択された添加元素を含み、残部が銅である軟質希薄銅合金に塑性加工を施し、次いで焼鈍処理を施す軟質希薄銅合金材料の製造方法であって、前記焼鈍処理を行う前の前記塑性加工における加工度が50%以上である。 (もっと読む)


【課題】円筒型スパッタリングターゲット材の外周面側から内周面側までのスパッタ速度の均一化を図る。
【解決手段】純度3N以上の無酸素銅から形成され、円筒形状を有する円筒型スパッタリングターゲット材20であって、外周面21側から内周面22側へ向けて硬さが次第に増加するとともに、外周面21側から内周面22側へ向けて(111)面の配向率が次第に増加する。 (もっと読む)


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