【課題】環境にやさしく容易に多孔質物を製造可能な多孔質物、絶縁電線及び同軸ケーブルの製造方法を提供する。
【解決手段】導体の外周に、液状架橋硬化型樹脂組成物に予め吸水し膨潤した吸水性ポリマーが分散された含水吸水性ポリマー含有樹脂組成物を被覆して絶縁層を形成し、この絶縁層を架橋することにより前記含水吸水性ポリマー含有樹脂組成物を硬化させ、さらに加熱することにより、前記吸水性ポリマーの水分を除去して前記絶縁層の中に空孔を形成する工程を含み、前記吸水性ポリマーの吸水前の平均粒子径が１０μｍ以下で、吸水後の吸水量が１０〜１００ｇ／ｇであり、前記含水吸水性ポリマー含有樹脂組成物中の含水率が２５〜６５％である絶縁電線の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超電導臨界電流密度Ｊｃ値を向上しつつ、伸線加工中の断線率の低減を図る。
【解決手段】Ｔａ不純物が、２５００ｐｐｍ以下に管理されたＮｂＴｉ合金において、Ｔｉ濃度が４８．５ｗｔ％以上４９．８ｗｔ％以下である。前記ＮｂＴｉ合金を用いて、Ｎｂバリア層を安定化銅との間に設けた超電導用ＮｂＴｉ線材において、前記ＮｂＴｉ合金のＴｉ濃度が、４８．５ｗｔ％以上４９．８ｗｔ％以下でであり、磁場４Ｔ〜８Ｔで用いられる超電導用ＮｂＴｉ線材。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材に貼り付け後の銅箔の変色を生じない耐熱性に優れた粗化箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧延銅箔１０に粗化めっき層１１を形成し、樹脂基材と貼り合わせる粗化めっき層１１と反対側の圧延銅箔１０の表面に、ニッケルめっき層又はニッケルとコバルトの合金めっき層１４を有する防錆処理層１３を施した粗化箔において、防錆処理層１３のＳ含有量が１ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下としたものである。 （もっと読む）

【課題】リング型ネットワークシステムにおいて、通信障害が発生しているポートを省電力モードに移行させ、無駄な電力を削減することができる技術を提供する。
【解決手段】通信障害が発生した場合、リングノード１２ｂは、マスターノード１２ａに向けてリンクダウンフレームを送信する。リンクダウンフレームは、リングノード１２ｃ、リングノード１２ｄ、リングノード１２ｅを経由してマスターノード１２ａに送信される。マスターノード１２ａは、リンクダウンフレームを受信したことを契機として、リングノード１２ｂに向けて送信パワー断フレームＦ３を送信する。送信パワー断フレームＦ３は、リングノード１２ｅ、リングノード１２ｄ、リングノード１２ｃを経由してリングノード１２ｂに送信される。リングノード１２ｂは、送信パワー断フレームＦ３を受信したことを契機として、通信障害が発生している側のリングポート１６ｒを省電力モードに移行させる。 （もっと読む）

【課題】安価な基板を用いた簡便な片面配線基板の構造を採りつつ、放熱特性を良好に保つ。
【解決手段】波長が４５０ｎｍの光に対し、少なくとも第１主面１０ａの全反射率が８０％以上であり、５０ｍｍ以下の曲率半径で折り曲げ可能な電気的絶縁基板１０と、電気的絶縁基板１０を貫通するビアホール１３内に充填された金属材からなる金属充填部３０と、電気的絶縁基板１０の第１主面１０ａ側に設けられ、電気的絶縁基板１０と共に一部が電気的絶縁基板１０の第２主面１０ｂ側へと折り曲げられている銅配線パターン２０ｐと、第１主面１０ａ側の金属充填部３０上に搭載され、第１主面１０ａ側の銅配線パターン２０ｐにボンディング接続された発光素子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットにおいて、従来問題になっていたスパッタリング時の放電やスパッタ膜の濃度分布不均一性という問題を解決する品質の高いＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットは、Ｇａ濃度が、２７．４重量％以上３２重量％以下であり、不可避的空隙を含み、残部がＣｕからなるスパッタリングターゲットであり、凝固方向と平行な面において、不可避的空隙のうち５０μｍ以上の空隙の面積率が、０．０５％以下である。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続時の接続不良を低減し、パワー半導体素子を歩留りよく接続することができる接続材料付き半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料１の表面に設けられた電極２となる金属層と、前記金属層の表面であって前記半導体材料の表面に接する面とは異なる面上に設けられた、前記金属層を被接続部材に接続させるための接続金属層５と、を備え、前記接続金属層５は、Ａｌ濃度が０ｍａｓｓ％より大きく１０ｍａｓｓ％以下であるＺｎ−Ａｌ合金、またはＺｎとＡｌとを積層させて形成された積層体からなるものである。 （もっと読む）

【課題】反り量の少ない窒化物半導体ウエハを得る。
【解決手段】サファイア基板に窒化物半導体薄膜結晶層と、その上にボイドを含む金属窒化膜とが設けられてなるボイド形成基板上に窒化物半導体厚膜結晶層を形成した後、前記ボイド形成基板を除去する窒化物半導体ウエハの製造法において、前記サファイア基板の裏面に、サファイアの熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料からなる反り相殺層を形成し、前記窒化物半導体厚膜結晶層の成長温度下で、熱膨張係数の差によって前記反り相殺層を形成したボイド形成基板を、前記金属窒化膜が形成される面から見て凸状に反らせ、前記凸状に反らせたボイド形成基板の上に前記窒化物半導体厚膜結晶層を凸状に成長させ、成長終了後、前記成長温度から常温に戻る際に、前記ボイド形成基板の平らな形状への復元とともに前記窒化物半導体厚膜結晶層の凸状から平らな形状への戻りが、前記窒化物半導体厚膜結晶層の半導体極性面から見た凹状の反りを相殺する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）