【課題】
超接合ウエハの作製に有利で、かつトレンチゲート構造の作製にも有利な面方位を備えた構成とすること。
【解決手段】
（１００）面を表面とするＮ型半導体基板１に、＜００１＞方向に伸び、かつ（０１０）面と（０−１０）面を側面とする第１のトレンチ２を複数形成し、このトレンチ２をＰ型エピタキシャル層３で埋めることにより、超接合ウエハを作製する。この超接合ウエハに、＜００１＞方向に伸びる第２のトレンチ４を形成し、このトレンチ４をゲート絶縁膜５およびゲート電極６で埋めることにより、トレンチゲート構造を有する半導体素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】製造時におけるはんだ付け工程を簡略化でき、外部端子の接合精度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁基板４上に形成された回路パターンを構成する金属層５に穴５ａを形成し、この穴５ａに外部端子２０を圧入することによって、外部端子２０が金属層５に接続されており、外部端子２０と穴５ａとの接触部５ｂにおける、外部端子２０と直交する方向の断面において、外部端子２０が、穴５ａの内周に対し４０％以上接触している。 （もっと読む）

【課題】 過酷な環境条件で太陽電池セルの脱落を防止する。
【解決手段】 本発明のある実施形態の太陽電池モジュール１０００は、可撓性を有する太陽電池セル１０、透光性の耐熱繊維シート２０、および内部押さえ部材１００を備えている。耐熱繊維シートは、太陽電池セルの受光面１６の少なくともその一部を覆い、太陽電池セルに重なっている。内部押さえ部材は、太陽電池セルの非発電表面１４において、太陽電池セル１０と耐熱繊維シート２０とを互いに留めており、太陽電池モジュール１０００は熱可塑性樹脂３０により封止されている。本発明の別の実施形態においては、外部押さえ部材２００による太陽電池モジュール２０００の設置手法も提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成によって櫛歯電極間に精度よく段差構造が形成され、かつ、全体の小型化を可能とするマイクロスキャナを提供すること。
【解決手段】反射ミラー（１０）の自由端に形成された第１の櫛歯電極（１３ａ，１３ｂ）と、第１の櫛歯電極（１３ａ，１３ｂ）と対向し互いの櫛歯が交互に噛み合うように配置された第２の櫛歯電極（１５ａ，１５ｂ）と、第２の櫛歯電極（１５ａ，１５ｂ）と梁（１８）を介して結合された接触部（１９）と、接触部（１９）の上部または下部の少なくとも一方と向かい合う位置に固定配置された電極部（２０）と、を有し、接触部（１９）と電極部（２０）との間に静電引力を発生させて、接触部（１９）を変位させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】渦電流の発生等による加熱及び振動を防止しつつ、製造コストの低減化を図ることができるインバータ装置を提供すること。
【解決手段】底部にキャスタ１０ａを有するインバータスタック１０と、このインバータスタック１０を正面側より進入させて収納する配電盤５０とを備えたインバータ装置において、インバータスタック１０は、自身の出力端子と、配電盤５０を構成し、かつ負荷に接続された出力電線５５が取り付けられた出力中継端子５３とを連結する出力中継バー７３と、底部を構成し、かつ複数のフレーム材２１が直方体の各辺を成す態様で連結されてなる下部フレーム２０とを有し、下部フレーム２０は、出力中継バー７３に貫通される四周枠の一辺を構成するフレーム材２１が非磁性体より形成されて成るものである。 （もっと読む）

【課題】基板劈開およびメタル膜分断が確実に行え、短時間でチップ分割が可能な半導体基板のエキスパンド装置およびエキスパンド処理方法を提供する。
【解決手段】テープ拡張ステージ１１の上面側には、拡張保持リング９と、その内側でそれぞれ異なる径の円環をなす複数のリング部材Ｒ１〜Ｒｎとが配置されている。リング部材Ｒ１〜Ｒｎは同心円の円筒状に分割され、押圧球面１１ａを構成するものであって、最外環に位置するものリング部材Ｒ１とし、リング部材Ｒ２，…Ｒｎ−１がそれぞれ順次内側に配置され、中心部に位置するｎ番目のリング部材をＲｎとする。これらのリング部材Ｒ１〜Ｒｎの上下位置をそれぞれ独自に決めることによって、押圧球面１１ａの曲率が調整される。 （もっと読む）

【課題】試料ガスが低濃度の場合にも高精度の測定が可能な赤外線ガス分析計の提供。
【解決手段】本発明は、赤外線光源１からの赤外光の光路上に配置され試料ガスが流通される試料セル３と、試料セル３を透過した赤外光の光路上に配置される赤外線検出器４と、を備える。赤外線検出器４は、受光室４１、４２、圧力センサ４３、および光学フィルタ４４、４５を備える。受光室４１、４２のそれぞれには、被検出成分ガスの赤外線吸収波長と少なくとも一部が重なる赤外線吸収波長を有するガスが封入されている。圧力センサ４３は、受光室４１と受光室４２とにおける赤外光の吸収量の差を検出する。光学フィルタ４４、４５は、受光室４１、４２に封入されているガスの赤外線吸収帯のうちの予め定めた異なる一部をそれぞれ反射する。また、光学フィルタ４４、４５は、受光室４１よりも後段側の位置にそれぞれ配置されている。 （もっと読む）

【課題】インバータスタックを配電盤から簡単に取り外すことが可能なインバータ装置を提供すること。
【解決手段】底部にキャスタ１０ａを有するインバータスタック１０と、このインバータスタック１０を正面側より進入させて収納する配電盤５０とを備えたインバータ装置において、配電盤５０は、インバータスタック１０を収納する収納底部に該インバータスタック１０の進入方向に沿って延在する態様で設けられた出力中継端子５３を備え、出力中継端子５３は、背面側端部５３１に負荷に接続された出力電線５５が取り付けられ、かつ正面側端部５３２がインバータスタック１０の出力端子に連結されるとともにインバータスタック１０の底部より下方に突出する出力中継バー７３と締結部材Ｔを介して締結されるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ^-型ドリフト領域１となる半導体基板のおもて面には、トレンチＩＧＢＴのおもて面素子構造が設けられている。半導体基板のおもて面の表面には、コンタクトホール１１を有する層間絶縁膜７が設けられている。コンタクトホール１１は、層間絶縁膜７の、金属電極層層間絶縁膜７との界面８側の表面層に設けられた第１開口部１２と、第１開口部１２の半導体基板側に連結された第２開口部１３とからなる。第１開口部１２は、層間絶縁膜７と金属電極層８との界面側の、トレンチＩＧＢＴのトレンチ６が並ぶ方向の第１開口幅ｗ１が、半導体基板側のトレンチ６が並ぶ方向の第２開口幅ｗ２よりも広くなっている。金属電極層８は、コンタクトホール１１を介して、ｐ型チャネル領域４およびｎ⁺型ソース領域５と接続されている。 （もっと読む）