【課題】接着剤層が薄い（１０μｍ以下）場合であっても、センサ認識性が良好であり、生産性や検査精度が良好であるウエハ加工用テープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、長尺の離型フィルム１１と、接着剤層１２と、放射線硬化型の第１粘着フィルム１３と、非放射線硬化型の第２粘着フィルム１４とを備えている。接着剤層１２は、離型フィルム１１上に設けられ、半導体ウエハの形状に対応したラベル形状を有している。第１粘着フィルム１３は、接着剤層１２上に設けられ、該接着剤層１２と同一の形状を有している。第２粘着フィルム１４は、ラベル部１４ａと周辺部１４ｂとから構成される。ラベル部１４ａは、ラベル形状積層体１５を覆い、且つ、ラベル形状積層体１５の周囲で離型フィルム１１に接触するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】紫外域から近赤外域における反射率が良好で、かつワイヤボンディング性が良好であり、耐食性に優れるリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームは、導電性基体上にロジウムまたはロジウム合金からなる反射層の上層に、金またはパラジウムまたは白金またはこれらの合金のいずれかで形成された最表層を少なくともワイヤボンディングが施される箇所に有している。最表層の厚さは、０．００１〜０．０５μｍとすることで、光の反射率に優れ、耐食性も良好であり、よりワイヤボンディング性の信頼性を高められた光半導体装置用リードフレームを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】エキスパンド工程において、半導体ウエハの分断時のチップ反りを低減し、ピックアップ工程でのチップ反りによるチップ認識不良を低減することが可能な半導体ウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】裏面がウエハ加工用テープに貼合されており、チップ単位にダイシングあるいは切断の起点が形成された半導体ウエハのパターン面に、表面保護テープを貼合する工程を備えることを特徴とする半導体ウエハの加工方法を用いる。その後、前記ウエハ加工用テープの下面より突き上げ部材を上昇させることで、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすとともに、前記半導体ウエハを半導体チップに分断するエキスパンド工程と、を備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
高湿度状態や水浸状態においても伝送ロスが増加しにくい光ファイバ心線を提供する。
【解決手段】
本発明の光ファイバ着色心線２２は、少なくとも軟質層と硬質層との２層の被覆層により被覆されたガラス光ファイバからなる光ファイバ素線１４に着色層を塗布してなる光ファイバ着色心線２２であって、光ファイバ着色心線２２の着色層を塗布した後の被覆層と着色層を塗布する前の光ファイバ素線１４の被覆層との熱膨張係数の比が０．８７以上である。また、本発明の光ファイバテープ心線３２は、光ファイバ着色心線２２を複数本平面状に並べ、テープ樹脂により一括被覆してなる光ファイバ心線３２であって、光ファイバ着色心線２２の着色層を塗布した後の被覆層と着色層を塗布する前の光ファイバ素線の被覆層との熱膨張係数の比が０．９０以上である。 （もっと読む）

【課題】冗長化の管理が可能な加入者宅側光回線終端装置、該加入者宅側光回線終端装置を接続する光伝送システム、加入者宅側光回線終端装置を２以上接続して冗長化可能なスイッチ、及びそれぞれの通信制御方法を提供する。
【解決手段】ＯＬＴ１１０とＯＮＵ１０５との間の通信がＰＯＮ識別子で管理され、ＯＮＵ１０５とスイッチ１０との間がタグで管理されることから、スイッチ１０に２つのＯＮＵ１０５−１、２が接続されてしまうと、ＯＬＴ１１０とスイッチ１０との間で、通信ラインの選択を適切に行うことができなくなる。そこで、ＰＯＮ識別子とタグとを相互に関連付ける変換テーブルを事前に作成し、これをＯＮＵ１０５とスイッチ１０に持たせるようにしている。 （もっと読む）

【課題】繰り返すせん断応力に対してもめっきの密着性に優れ、スイッチの寿命が改善された銀被覆ステンレス条及びこれを用いたスイッチを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材の表面の少なくとも一部にニッケル、コバルト、ニッケル合金、コバルト合金のいずれかの下地層が形成され、その上層に銀または銀合金層を形成した銀被覆ステンレス条であって、銀または銀合金層と下地層の中間に厚さが０．０５μｍ〜２．０μｍの銅または銅合金層を設けた可動接点用銀被覆ステンレス条及びこれを用いたスイッチ。 （もっと読む）

【課題】離型フィルム上に接着剤層及び粘着フィルムを有するウエハ加工用テープをロール状に巻き取った場合に、接着剤層への転写跡の発生を充分に抑制することができるウエハ加工用テープ体を提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ体６０は、長尺の離型フィルム５１と、前記離型フィルム５１の第１の面上に設けられた所定の平面形状を有する接着剤層５２と、前記接着剤層５２を覆い、且つ、前記接着剤層５２の周囲で前記離型フィルム５１に接触するように設けられた所定の平面形状を有するラベル部と、前記ラベル部の外側を囲むような周辺部とを有する粘着フィルム５３とを有するウエハ加工用テープ５０を円筒状のコア１に巻き取ったウエハ加工用テープ体６０であって、前記コア１の円筒両端部の円筒直径が円筒中央部の直径よりも大きい太径部３を有する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ動作を可能にし、かつしきい値電圧を自由に制御出来るＧａＮ系ＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐ−ＧａＮからなる電子走行層１３とゲート電極１８との間にゲート絶縁膜１５が形成されたＧａＮ系ＭＯＳＦＥＴ１０である。ゲート電極１８は、ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる。ゲート電極１８は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる第１のゲート層１９と、この上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなる第２のゲート層２０と、この上に形成された金属層（ＡｕＧｅ／Ａｕ電極）２１とを有する。ＡｌＧａＩｎＰ混晶の混晶比を変化させることにより、しきい値電圧を制御することが出来る。 （もっと読む）

【課題】組み立てが容易で、部品点数を低減でき、機械的強度に優れた小型化・軽量化されたバッテリ冷却装置を提供することを目的とする。
【解決手段】縁部が曲げられた一対の板と、前記一対の板に挟持されたヒートパイプと、前記一対の板上に載置されたバッテリモジュールとを備えたバッテリパックが、前記曲げられた縁部により、側面が形成されるように積重されたことを特徴とするバッテリ冷却装置である。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）