【課題】結露等によって被水した場合でも、アルミニウム電線の電食の発生を防止して、アルミニウム電線と銅端子のような異種金属からなる電線と端子を、低コストで安定した電気的特性を維持して接続することができる端子構造、電線と端子の接続部および接続方法を提供する
【解決手段】
導体の絶縁被覆部および導体部を、前記導体とは異種金属の端子の一部で圧着する導体と端子の接続方法において、粘度が１０００ｍｓ・ａから３８０００ｍＰａ・ｓの範囲内にある樹脂材を調製し、前記樹脂材を前記導体部に塗布し、前記導体部を前記端子の一部に位置合わせを行い前記導体と前記端子を圧着接続し、前記樹脂材を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】ミリ波領域以上の高周波領域の電磁波を低損失で伝送できる導波路構造体及び導波路を提供する。
【解決手段】導波路構造体１００は、断面が正方形の四角柱の形状を有する誘電体の線材１０１を組み合わせて構成されており、ウッドパイル構造となっている。このような周期構造の構造体は、ホトニック結晶構造となっており、ホトニックバンドギャップを形成することにより所定波数の電磁波透過させない。導波路構造体１００は、誘電体の線材１０１のみで形成され、導体損失のない導波路を形成するのに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】保護膜に起因する応力を低減して、素子寿命の長い面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。そして、抵抗率が１０⁵ Ω・ｃｍ² 以上の高抵抗半導体層からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面上に誘電体膜を形成した後に熱処理を行う工程を有する場合であっても、熱処理による悪影響を低減できる半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体層を含む半導体光デバイスの製造方法は、半導体積層構造１０表面の第１の領域に第１の誘電体膜を形成し、半導体積層構造１０表面の第２の領域に、第１の誘電体膜よりも高い密度を有する第２の誘電体膜を形成し、第２の誘電体膜下部の半導体層の熱処理によるバンドギャップの変化量が、第１の誘電体膜下部の半導体層の熱処理によるバンドギャップの変化量よりも大きくなる温度領域で熱処理を施して、第１の誘電体膜下部の半導体積層構造１０に窓領域２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】あらゆる種類の光ファイバに対応が可能で、その光ファイバの波長分散値の長手方向での分布特性を精度良く測定できるようにする。
【解決手段】直線偏光したプローブパルス光と、プローブ光とは異なる波長を有し偏波状態が一致するポンプパルス光とを被測定光ファイバ５に入射させ、レーリー散乱により生じる前記プローブパルス光の後方散乱光の強度振動、もしくは非線形現象により生じるアイドラー光の後方散乱光の強度振動の少なくとも一方を測定し、該測定した強度振動の瞬時周波数を求め、前記被測定光ファイバ５の長手方向における前記ポンプ光の強度振動に対する前記瞬時周波数の依存性を求め、該瞬時周波数の依存性から位相不整合条件と非線形定数とのファイバ長手方向変化量を求め、当該変化量に基づいて波長分散値及び非線形定数の少なくとも一方に対するファイバ長手方向の分布を特定する。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性と低摩擦係数を両立し、かつ、はんだ濡れ性が良好なコネクタ用金属材料を提供する。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金の母材上にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎまたはＳｎ合金層がこの順で形成され、前記ＳｎまたはＳｎ合金層の平均厚さが０．００１〜０．０５μｍであるコネクタ用金属材料。 （もっと読む）

【課題】ダイバーシティを構成する送受信用アンテナと受信用アンテナとの間で高いアイソレーションを有する統合アンテナを提供する。
【解決手段】電話用基板１２０は、第１の地板１０２の対向する２つの端辺に近接して平行に配置された２つのアンテナ素子形成部１２１、１２２が基板主部１２３の左右両端に形成されている。電話用アンテナ１１０は、アンテナ素子形成部１２１に形成された送受信用アンテナ１１１と、アンテナ素子形成部１２２に形成された受信用アンテナ１１２とで構成されている。また、基板主部１２３には、第１の地板１０２とは非接触に第２の地板１２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを実現できる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窓領域を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、ｐ−コンタクト層１８表面のうち非窓領域に対応する領域に第１の誘電体膜を形成する第１の誘電体膜形成工程と、ｐ−コンタクト層１８表面のうち窓領域に対応する領域に、熱処理が行なわれた場合に直下の半導体層内部の不純物を拡散させる作用を有する第２の誘電体膜を形成する第２の誘電体膜形成工程と、第２の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物を第１の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物よりも多く拡散させて、第２の誘電体膜下部の半導体層の少なくとも一部領域が混晶化した窓領域を形成する熱処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ動作を達成し、十分なチャネル電流が得られ、かつ、しきい値電圧制御が容易な窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＧａＮ層１０とＡｌＧａＮ層１１のヘテロ接合界面をチャネルとする電界効果トランジスタにおいて、負の電荷を有する第三の層４０をゲート電極３４下のゲート絶縁膜３１中に設けるとともに、ヘテロ接合を形成する窒化物半導体内にフッ素イオンＦ⁻等の負のイオン４１を注入する。第三の層４０はＣｌ⁻等の負のイオンが注入される。ゲート絶縁膜３１中およびＡｌＧａＮ層１１中に適量の負のイオンを注入することにより、しきい値電圧が上がりノーマリオフ動作を確実に達成するとともに、十分なチャネル電流が得られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、合金の組成や析出物を変えることなく、耐疲労特性の優れた銅合金材を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＥＢＳＤ法で測定されるＣｕｂｅ方位｛００１｝＜１００＞の面積率が５〜５０％である集合組織を有し、かつ平均結晶粒径が１５μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする疲労特性に優れた銅合金材。 （もっと読む）