松下電子工業株式会社により出願された特許

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【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 AlCu膜103Cと、厚みが0〜15nmのTi膜との反応によりAl3 Ti層103DをAlCu膜とTiN膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつAl3 Ti層形成時に発生する引張り応力を低減し、EM耐性を向上させる。その後のFSG膜104AをHDP−CVD法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を450℃以下にすることにより、FSGとAlCuの熱膨張率差に起因するAlCu膜の残留引張り応力の発生を低減し、SM耐性及びEM耐性を向上させる。さらに、FSG膜の上にSiON膜を設けることにより、FSG膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 (もっと読む)


【課題】 たとえば青色の発光チップからの青色発光と波長変換された黄緑色とを均一化して純粋な白色の発光が得られる半導体発光装置の提供。
【解決手段】 サブマウント素子1の上にフリップチップ型の発光素子2を導通搭載するとともに、この発光素子2を波長変換用の蛍光物質を含有した樹脂のパッケージ3によって封止し、発光素子2の外郭面からのパッケージ3の厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくし、発光素子の発光方向の全方位に対して蛍光物質による波長変換度を均一化する。 (もっと読む)


【課題】 データが重畳された搬送波より駆動電源を得る半導体集積回路において、得られた電源電圧が過電圧状態となった場合でも誤判別なくデータを復調することができ、また、搬送波から供給される電源を効率的に利用することができる半導体集積回路等を提供する。
【解決手段】 電源回路111として二電圧整流回路を用いるとともに、データの復調に用いる電圧値の高い側の電源(VDDH)が所定の電圧値以上にならないように制御する電圧調整回路112に、抵抗141及び容量素子142を設け、搬送波の振幅が変化することによりVDDHの電圧値が変化した場合に、基準電圧としてレギュレータ回路1121に入力される電圧値を変化させるようにする。 (もっと読む)


【課題】 多層配線構造において、エレクトロマイグレーション耐性の向上及びより一層の微細化を図る。
【解決手段】 下層配線Aは、第1のチタニウム膜102、第1の窒化チタン膜103、第1のAl−Cu膜104、第2のチタニウム膜105及び第2の窒化チタン膜106からなる。ヴィアコンタクトBは、第1の密着層109(チタニウム膜)、第2の密着層110(窒化チタン膜)及びタングステンプラグ111(タングステン膜)からなる。第2のチタニウム膜105及び第2の窒化チタン膜106には、ヴィアコンタクトBの平面形状よりも小さい開口部が形成され、ヴィアコンタクトBは開口部において第1のAl−Cu膜104と接続している。第1及び第2の密着層109、110は、側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部において、第2の窒化チタン膜106における開口部の周辺領域と接続している。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子を支持している部材が封止樹脂の裏面から露出した構造においては、耐湿性劣化という課題があった。
【解決手段】 封止樹脂より露出させる放熱部材2と、その放熱部材2を支持した吊りリード部3と、リード部4と、放熱部材2の各辺に設けられた半導体素子を支持する支持部5を有したウイング部6よりなるリードフレームであり、このリードフレームを用いることにより、放熱部材2は封止樹脂から露出させ、半導体素子を支持する支持部5は封止樹脂中に封止させることができるので、半導体素子近傍への水分の浸入を防止し、また素子/放熱部材間に封止樹脂を介在できるので、樹脂封止型半導体装置として耐湿性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 金属配線の微細化とエレクトロマイグレーションの抑制との両立を図ることができる多層配線構造を工程数の増加を招くことなく実現する。
【解決手段】 第1の金属配線13の一端部13aと第2の金属配線15の一端部15aとは第1のプラグ16を介して接続されており、第1の金属配線13の他端部13bと第3の金属配線17の一端部17aとは第2のプラグ18を介して接続されている。第1、第2及び第3の金属配線13、15、17の配線幅は、互いに等しいと共に第1及び第2のプラグ16、18の径ともほぼ等しい。第1の金属配線13の他端部13bの配線幅は、第1の金属配線13の一端部13a及び第3の金属配線17の一端部17aの配線幅よりも大きい。第2の金属配線15の一端部15aの配線幅は第1の金属配線13の一端部13aの配線幅よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】 ドライバ回路の回路構成、および伝送線路の特性インピーダンスを特定することによりバス配線系の信号伝送を高速化できる電子装置を提供する。
【解決手段】 差動相補ディジタル信号を伝達する伝送線路1と、それに整合した終端回路である終端抵抗2とからなるバス配線系に、カレントスイッチ型の差動ドライバ3を組み合わせた入出力回路を構成し、伝送線路1および終端抵抗2などを有する配線基板に、差動ドライバ3などを有する集積回路チップが搭載されて構成される電子装置であって、差動ドライバ3をカレントスイッチ型とし、かつ伝送線路1を25Ω以下の特性インピーダンスを有する線路の並列等長配線とすることで、伝送中の信号エネルギの減衰を抑え、かつ近接する伝送線路1間の電磁界干渉を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】 シャドウマスクに所定の張力を確実に印加でき、さらにシャドウマスクのしわの発生を防止できるカラー陰極線管の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 枠状に形成されたマスクフレーム2に、少なくとも1対の対向する各辺間の間隔が縮む方向に圧縮力を加え、シャドウマスク1に圧縮力と反対方向の引張力を加えた状態で、前記シャドウマスクを前記マスクフレームの上面に溶接により固着するカラー陰極線管の製造方法であって、圧縮力を加える位置が前記マスクフレームの外側面の上端部である。このことにより、同じ大きさ圧縮力を下端側に加える場合と比べて、圧縮力解除後にはシャドウマスク引張方向の反発力が確実に得られるので、シャドウマスクの引張力の低下を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード2をリードフレーム10のマウント部10aに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子1を上面にp側及びn側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子1とツェナーダイオード2のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるp側とn側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子1とツェナーダイオード2にバンプを1個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。 (もっと読む)


【課題】 カメラ一体型ビデオ等に搭載される固体撮像装置において、斜め方向から入射した光の一部が光電変換素子に入射せず、光利用効率の低下を招き、また迷光となって他の光電変換素子へ入射し、固体撮像装置の解像度を低下させるという課題を解決し、光の入射角度に影響されず、均一で高い集光率を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板11の表面に設けられた光電変換素子12の上面に第1の平坦化膜16と、カラーフィルタ層17と、第2の平坦化膜18と、凸状レンズまたはレンチキュラレンズのマイクロレンズ19とが順次形成されており、その光学ブロック21の周囲に溝20が設けられている。 (もっと読む)


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