【課題】六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなり、ｍ面である表面を有する下地結晶１０の前記表面上に、前記下地結晶１０のｃ軸に沿って延びる複数のストライプ２２を含むマスク２０を形成する工程と、前記マスク２２が形成された前記表面の上にＧａＮ系半導体結晶３０をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の製造方法において、ＧａＮ系半導体結晶３０は下地結晶１０の露出面１５から成長し始め、マスク２０と略同じ厚さのＧａＮ系半導体結晶膜４０がまず形成される。更にＧａＮ系半導体結晶３０を成長させ続けると、ＧａＮ系半導体結晶膜４０の上に六角棒状ＧａＮ系半導体結晶３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】輝度が高く、且つ表示不良を起こし難い着色樹脂組成物、カラーフィルタ、液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）臭素化亜鉛フタロシアニン顔料、（Ｂ）黄色顔料、（Ｃ）バインダー樹脂、及び（Ｄ）溶剤を含有する着色樹脂組成物であって、該（Ｂ）黄色顔料として、特定のアゾバルビツール酸のニッケル錯体類からなる顔料Ｙ及びＣ．Ｉ．ピグメントイエロー１３８を含有し、該顔料Ｙ及びＣ．Ｉ．ピグメントイエロー１３８の合計の含有量が、全（Ｂ）黄色顔料に対して、９０重量％以上であり、該顔料ＹとＣ．Ｉ．ピグメントイエロー１３８の含有比率が、１：４〜３：２であることを特徴とする、着色樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】層状リチウムニッケルマンガン複合酸化物、それを用いたリチウム二次電池用正極材料およびリチウム二次電池を提供する。
【解決手段】層状リチウムニッケルマンガン複合酸化物において、ニッケル及びマンガンサイトの一部が他の置換元素Ｑで置換されており、球状であることを特徴とする下記一般式（Ｉ）で表される菱面体晶の層状リチウムニッケルマンガン複合酸化物。
Ｌｉ_ＸＮｉ_ＹＭｎ_ＺＱ_{（１−Ｙ−Ｚ）}Ｏ_２ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、Ｘは０＜Ｘ≦１．２の範囲の数を表す。Ｙ及びＺは、０．９≦Ｙ／Ｚ≦１．２、及び、０＜（１−Ｙ−Ｚ）≦０．２５の関係を満たす。ＱはＡｌ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｇ、及びＣａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素である。） （もっと読む）

【課題】高い感度を有し、且つ、使用環境の湿度変化に対する感度の変動が少なく、太陽電池、電子ペーパー、電子写真感光体等の材料として好適に用いることのできる、優れたフタロシアニン結晶を提供する。
【解決手段】フタロシアニン結晶前駆体を芳香族アルデヒド化合物に接触させることにより結晶型を変換する工程を経て得られるフタロシアニン結晶である。 （もっと読む）

【課題】酸触媒を用いて１,４−ブタンジオールからＴＨＦを製造する方法において、反
応速度の低下、固形副生物の生成量を低減し、安定的に高い生産性が得られる工業的に有利なＴＨＦの製造方法を提供する。
【解決手段】ガンマブチロラクトンを含む原料１，４−ブタンジオールを反応槽に供給し、１，４−ブタンジオールに溶解可能なｐＫａが４以下の均一系酸触媒の存在下で脱水環化反応を行うことによりテトラヒドロフランを生成するテトラヒドロフランの製造方法であって、該反応槽内のテトラヒドロフラン、ガンマブチロラクトン及び水を含むガスを熱交換器に導入し、該熱交換器の出口から凝縮液を得るにあたり、該原料1，4−ブタンジオール中のガンマブチロラクトンの濃度に対する該濃縮液中のガンマブチロラクトンの濃度の比率が２０〜１００％であるテトラヒドロフランの製造方法。 （もっと読む）

【課題】メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体からなる活性層に積層されたｎ型またはｐ型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも２層の第１メタル層と、該第１メタル層と交互に積層された第２メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第２メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第２メタル層以外の第２メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第２メタル層を構成する第２メタル材料は該第１メタル層を構成する第１メタル材料よりも導電率は低いが該第１メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性の向上と高温保存特性の劣化を抑制する非水系電解液と、この非水系電解液を用いた非水系電解液電池を提供する。
【解決手段】以下の化合物含有する非水系電解液及び該電解液を有する非水電解液電池。（Ａ）下記一般式（１）で表されるホスファゼン類、及び、（Ｂ）分子内に少なくとも１以上のイソシアネート基を有する化合物


（上記一般式（１）中、Ｘ^１〜Ｘ^６は各々独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアリールオキシ基の群から選ばれる少なくとも１種を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】粗１，４−ブタンジオール中のテトラヒドロフランの発生も抑制でき、且つ２−（４−ヒドロキシブトキシ）−テトラヒドロフランの濃度も低減できる工業的に有利な精製１，４−ブタンジオールを製造する方法を提供する。
【解決手段】２−（４−ヒドロキシブトキシ）−テトラヒドロフランを０．０１〜０．５重量％含み、且つ１重量％〜２５重量％の水分を含有する粗１，４−ブタンジオールを、アミンの存在下で８０℃以上に加熱して、精製された１，４−ブタンジオールを得る、１，４ブタンジオールの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＴＨＦ製造用原料として優れた高品質の１，４ＢＧを安定的に製造するための工業的に有利な１，４−ブタンジオールの製造方法を提供する。
【解決手段】１，４−ブタンジオールを７０．０重量％以上、９９．４重量％未満含有するｐＨ７．０１以上の粗１，４−ブタンジオールを酸と接触させ、得られる粗１，４−ブタンジオール含有液を蒸留することによりｐＨ５．５以上６．９９以下の精製１，４−ブタンジオールを得ることを特徴とする１，４−ブタンジオールの製造方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥集合領域を含むｃ−ＧａＮ基板を用いて低コストで製造することのできる窒化物系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】一部に欠陥集合領域を含むｃ−ＧａＮ基板上に窒化物半導体膜がエピタキシャル成長しており、該窒化物半導体膜には該ｃ−ＧａＮ基板側からｎ型層、発光層、ｐ型層をこの順に含むメサが形成されており、該欠陥集合領域の影響により該窒化物半導体膜の表面に形成された平坦性低下領域が該メサの上面に含まれており、該メサ上には該平坦性低下領域の少なくとも一部を覆う電極が形成されている、窒化物系発光ダイオード素子が提供される。 （もっと読む）