【課題】電界放出特性にすぐれる二層ナノチューブを高い選択性と収率にて製造するための触媒とその方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、鉄、コバルト及びニッケルから選ばれる少なくとも１種の遷移金属元素１モル部に対して、亜鉛、銅及びスズから選ばれる少なくとも１種の典型元素０．０１〜５モル部及び硫黄０．０１〜５モル部からなる二層カーボンナノチューブを製造するための触媒が提供される。また、本発明によれば、上記触媒を炭素と共に水素及び炭化水素から選ばれる少なくとも１種と不活性ガスとからなる雰囲気中で蒸発させた後、凝縮させることを特徴とする二層カーボンナノチューブの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ディジタル情報へのアクセスコントロールを行なうディジタル情報管理装置を得る。
【解決手段】 暗号化されたディジタル情報を、管理センタより入手した復号用暗号鍵を用いて復号する復号手段と、前記復号手段により復号されたディジタル情報を、前記管理センタより入手した暗号化用暗号鍵を用いて再暗号化する暗号化手段を備えるとともに、前記復号手段において前記管理センタから入手した復号用暗号鍵を用いて復号されたディジタル情報は、前記暗号化手段において、前記管理センタから入手した前記復号用暗号鍵とは異なる暗号化用暗号鍵を用いて再暗号化するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、フッ素含有物からフッ素をフッ化カルシウムとして回収する際、ケイ素化合物の混入をできるだけ低くした状態で回収するフッ素含有物からのフッ素回収方法及びフッ素回収装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、フッ素含有物に酸性物質を添加し、加熱することにより留出するフッ素化合物を、冷却することによって、又は水、アルカリ溶液、カルシウム化合物の溶液若しくはカルシウム化合物の懸濁液に吸収させることによって、フッ素をフッ素化合物として回収することを特徴とするフッ素含有物からのフッ素回収方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】 高いエミッション特性をもつ電子源の製造に適するＣＮＴペーストを提供すること。
【解決手段】 ビスマス（Ｂｉ）などの金属を成分とする金属セッケン（ナフテン酸ビスマス（III）トルエン溶液など）を含有する接着剤をビヒクル中に添加して、このビヒクルにカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を分散させてペーストとする。ビヒクルの有機溶剤としては、テルペン系溶剤であるp-メンタン-1,8-ジオールアセテート系溶剤を用いる。電子放出源の作製に際しては、基板１１上にＩＴＯ膜１２を成膜し、このＩＴＯ膜１２をフォトリソグラフィにより所望の形状にパターニングしてカソード電極１２とする。カソード電極１２の上に、スクリーン印刷法により本発明のＣＮＴペースト層を印刷し、このＣＮＴペーストをエミッションチップ１３とするための焼成および表面活性化が施される。 （もっと読む）

【課題】 安定して製造することができる高抵抗率のＳｉＣ単結晶とこのＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】 タングステン、ニオブおよびモリブデンの群から選択された少なくとも１種類の金属を含有するＳｉＣ単結晶である。ここで、ＳｉＣ単結晶中におけるこれらの金属の含有量が１×１０¹⁴個／ｃｍ³以上１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であることが好ましい。さらに、このＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板である。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶とＳｉＣ基板を提供し、高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶を安定して製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 アクセプタとしての機能を有する第１ドーパントと、ドナーとしての機能を有する第２ドーパントとを含むＳｉＣ単結晶であって、第１ドーパントの含有量が５×１０¹⁵個／ｃｍ³以上であり、第２ドーパントの含有量が５×１０¹⁵個／ｃｍ³以上であって、第１ドーパントの含有量が第２ドーパントの含有量よりも多いＳｉＣ単結晶である。炭素と珪素とを含む材料中に金属ホウ化物を混合して原料を作製する工程と、原料を気化させる工程と、炭素と珪素とホウ素と窒素とを含む混合ガスを生成する工程と、混合ガスを種結晶基板の表面上で再結晶させてホウ素と窒素とを含む炭化珪素単結晶を種結晶基板の表面上に成長させる工程とを含む、炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ結晶中における結晶欠陥の増加を抑制しつつ、ＳｉＣ結晶上への絶縁膜形成速度を改善した絶縁膜形成方法と、この方法を用いて形成された絶縁膜を含むＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ結晶１上への絶縁膜の形成方法であって、ＳｉＣ結晶１上にＳｉ膜２を形成する工程と、Ｓｉ膜２を酸化または窒化することによりＳｉを含む絶縁膜を形成する工程と、を含む絶縁膜の形成方法である。また、この絶縁膜形成方法を用いた炭化珪素半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 効率的に高抵抗率のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られた高抵抗率のＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】 シリコンを含む材料と炭素を含む材料とから炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法であって、シリコンを含む材料および炭素を含む材料の少なくとも一方に遷移金属を添加する工程と、シリコンを含む材料および炭素を含む材料を加熱してシリコンと炭素とを含むガスを生成する工程と、シリコンと炭素とを再結晶させる工程とを含む炭化珪素単結晶の製造方法である。また、この製造方法により得られたＳｉＣ単結晶を所定の厚みに切断して得られたＳｉＣ基板である。 （もっと読む）

【課題】 大口径で高品質のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られたＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣウエハを提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ基板１の周縁領域１５の一部を切除または溝切りする工程と、切除または溝切り後の基板を種基板としてこの種基板の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させる工程とを含むＳｉＣ単結晶の製造方法である。また、このＳｉＣ単結晶の製造方法により得られたＳｉＣ単結晶からなり、小傾角粒界の数が１０本以下であるＳｉＣウエハである。 （もっと読む）