説明

株式会社明電舎により出願された特許

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【課題】無効電力補償の容量不足を起こすことなく、しかも無効電力制御装置の運転台数の変更にも同等の応答性を持たせることができる。
【解決手段】電圧指令値演算部10は、定常時は系統電圧に一致した電圧指令値(Vs_rms_ref)を出力することで系統電圧との偏差を0にして無効電力補償量を0に制御しておき、系統電圧が変動したときに電圧指令値の出力を単位時間当たり所定の増減量を有して系統電圧に追従変化させることで系統電圧との偏差に応じた無効電力補償量に制御し、最終的には系統電圧検出値に一致した電圧指令値を出力する。
台数制御部20は、交直変換装置(無効電力制御装置)の運転台数の変更に比例して無効電力補償指令値を調節することで、電圧変動補償の制御パラメータの変更を不要にして、電圧変動補償に安定した応答性を得る。 (もっと読む)


【課題】多重構成されたマトリックスコンバータ装置では、マトリックスコンバータの電圧利用率0.866倍を超えた高電圧で、且つ電圧利用率が改善されたもの、及び出力高調波低減されたものが要望されている。
【解決手段】、各マトリックスコンバータに出力変圧器を接続してその2次側を直列に接続する。算出された各マトリックスコンバータの出力電圧指令値の大,中,小の判別値と、電源電圧、単位入力電流指令の大,中,小の判別値を、マトリックスコンバータ毎のデューティ演算部に入力してデューティ比を演算し、デューティ比に基づいて各双方向スイッチのスイッチングパターンを生成する。 (もっと読む)


【課題】周期外乱オブザーバによるトルクリプル抑制制御では、経年変化によるプラントの変動や、プラント特性の変動等を考慮する必要があるため、同定モデル誤差に対するロバスト性の向上が求められている。
【解決手段】周期外乱の周波数成分が描くベクトル軌跡の位相を演算して位相補正量を演算する位相補正量演算部と、周期外乱の周波数成分が描くベクトル軌跡の進行速度を算出して閾値と比較しながらゲイン補正量を算出するゲイン補正量演算部と、位相補正量とゲイン補正量を乗算してシステム同定モデル補正値を算出し、この補正値に基づいて周期外乱オブザーバ部のシステム同定モデルを補正する回転ベクトル算出部を設けたものである。 (もっと読む)


【課題】制御における応答性の向上と、スイッチング素子のエネルギー損失および発熱の抑制とを両立させたチョッパ装置を提供する。
【解決手段】複数のチョッパ部10A,10Bのうち少なくとも一つを、その他のチョッパ部10Aと比較して高いキャリア周波数に設定した高キャリア周波数チョッパ部10Bとし、この高キャリア周波数チョッパ部10Bの制御周期をその他のチョッパ部10Aと比較して短く設定する。前記その他のチョッパ部10Aより、電流指令値Iref*の定常成分である電流を出力し、前記高キャリア周波数チョッパ部10Bにより、チョッパ装置の電流指令値Iref*と前記その他のチョッパ装置10Bの電流との偏差電流I2ref*を出力する。 (もっと読む)


【課題】過去のトロリ線データと現在のトロリ線データとで走行位置を正確に一致させることを可能としたトロリ線データ比較装置を提供する。
【解決手段】車両の屋根上に配置されて鉛直上方のトロリ線を撮影するラインセンサカメラ2と、ラインセンサカメラ2から入力される映像信号を収録する画像録画部と、画像録画部から現在のトロリ線画像を入力するラインセンサ画像入力部5a、現在のトロリ線画像からトロリ線の摩耗及び偏位を抽出する摩耗・偏位抽出部5b、過去のトロリ線画像と現在のトロリ線画像とから車両の偏位の位置ずれ量を検出する偏位位置ずれ検出部5c、及び位置ずれ量を現在のトロリ線画像に反映し、過去のトロリ線画像と比較する摩耗量比較部5dを備える画像処理部とから構成した。 (もっと読む)


【課題】構造を簡素化し、ステータへの供給磁束を増加する。
【解決手段】第1のクローポール鉄心20と第2のクローポール鉄心30との間の環形状の空洞に、回転軸方向に磁化した円環状の永久磁石40を嵌合・固定している。これにより、爪部22,32がN極またはS極となる。さらに、爪部22,32の先端に、径方向に磁化された永久磁石50,60を備えることにより、漏れ磁束の低減を図っている。 (もっと読む)


【課題】圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールを構成する構成部材間にかかる圧接力の変化を低減する。
【解決手段】半導体モジュール1は、半導体素子2a,2b、AC電極端子3、DC電極端子4,5、放熱器6を備える。放熱器6は、蓋部材8と、この蓋部材8と対向して設けられるヒートシンク9と、ばね10より構成される。蓋部材8とヒートシンク9とを対向して設けることにより、冷媒路12を形成し、この冷媒路12中であって、半導体素子2a(若しくは、半導体素子2b)の電極面の垂直方向延長上にばね10を設ける。ばね10により、AC電極端子3(若しくは、DC電極端子4,5)が半導体素子2a(若しくは、半導体素子2b)方向に押圧される。 (もっと読む)


【課題】蓄電体における過放電の検出および警報の消費電力を抑制し、蓄電体を過放電から効果的に保護する。
【解決手段】電圧検出器S1により蓄電体Cの電圧を検出し、通常時は蓄電体Cの静電エネルギーをコンデンサC3に充電し、前記電圧検出部S1が過放電を検出した際は、コンデンサC3に充電された静電エネルギーを短時間放電する。この時、コンデンサC3から放電された電流は絶縁素子PC1の一次側に印加され、絶縁素子PC1の2次側がオンとなった際に、蓄電体Cと絶縁素子PC1の2次側との閉回路が形成される。そして、蓄電体Cからの電流が継電器RY1のコイルに励磁され、その継電器RY1の接点がオンに切り替わると、警報出力端子AL1,AL2間が導通する。そして、この継電器RY1の切替後はオン状態が機械的に保持される。 (もっと読む)


【課題】プリパルス電圧の低減を確実、容易にする。
【解決手段】パルス発生回路1はコンデンサC0から高圧パルス電流を発生させてコンデンサC1を充電する。磁気パルス圧縮回路2は、可飽和リアクトルSR2の飽和でコンデンサC1からコンデンサC2に圧縮パルス電流として転送し、可飽和リアクトルSR3の飽和でコンデンサC2からピーキングコンデンサCPに圧縮パルス電流として転送する。プリパルス補償電圧生成回路は、前段の磁気パルス圧縮回路からピーキングコンデンサに転送されるパルスに含まれるプリパルス電圧と逆極性で、かつ同じタイミングのプリパルス補償電圧を、コンデンサC1−3から可飽和リアクトルSR2−2とパルストランスPTAとダイオードD1で取り出し、このプリパルス補償電圧をピーキングコンデンサCP―3に印加することで、プリパルス電圧を相殺する。 (もっと読む)


【課題】圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールの温度変化による半導体モジュールを構成する構成部材間にかかる圧接力の変化を低減する。
【解決手段】半導体素子2a〜2dと、半導体素子2a〜2dの電極層のいずれかと電気的に接続されるAC電極端子3及びDC電極端子4,5と、を備えた半導体モジュール1において、AC電極端子3とDC電極端子間4,5にスペーサ6を設ける。スペーサ6は、半導体素子2a〜2dの近傍に設ける。スペーサ6は、金属からなるスペーサ本体の表面を絶縁被覆することで構成される。スペーサ6を構成する金属材料として、半導体素子2a〜2dの積層部の平均熱膨張係数と略等しい熱膨張係数を有する金属材料を用いる。 (もっと読む)


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