説明

ミツミ電機株式会社により出願された特許

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【課題】温度依存性に対する製造ばらつきの影響を低減し半導体基板上に搭載できる温度検知装置を提供する。
【解決手段】周囲温度に応じて印加電圧が変化する第1の温度検出素子D1と、Tr2及びTr3からなり定電流源DTr1から第1の温度検出素子D1に供給される電流に応じた電流を出力する第1のカレントミラー回路と、周囲温度に応じて印加電圧が変化する第2の温度検出素子D2と、Tr2及びTr3からなる第1のカレントミラー回路から第1の抵抗R1を通して第2の温度検出素子D2に供給される電流に応じた電流を生成するTr4及びTr5からなる第2のカレントミラー回路と、Tr4及びTr5からなる第2のカレントミラー回路で生成された電流に応じた電圧を発生する第2の抵抗R2と、第1の温度検出素子D1の印加電圧と第2の抵抗R2の印加電圧との差を検出する温度検知回路111とで構成する。 (もっと読む)


【課題】入出力端子間に設けられたMOSトランジスタを制御することにより出力電圧を制御する電源装置に関し、逆流電流を大幅に低減することができる電源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、入出力端子(T1、T2)間にソース−ドレインが接続された出力制御トランジスタ(Tr1)を制御することにより出力電圧を制御する電源装置において、出力制御トランジスタ(Tr1)のバックゲートの電圧を制御することにより出力制御トランジスタ(Tr1)の逆流を防止する出力制御トランジスタ逆流防止回路(113)と、出力制御トランジスタ(Tr1)の周辺トランジスタ(Tr2、Tr13〜Tr15、Tr21)のバックゲート電圧を制御することにより周辺トランジスタ(Tr2、Tr13〜Tr15、Tr21)の逆流を防止する周辺トランジスタ逆流防止回路(114、115)を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】回路形成領域に配線を形成する際に成膜する金属膜を半導体基板の非回路形成領域に残して、回路形成領域と非回路形成領域との間の段差を低減した半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の外周部の膜剥がれを防止して、半導体集積回路の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属膜20上を覆うと共に、非回路形成領域Bに対応する金属膜20のうち、半導体基板11の外周部に位置する金属膜20を露出するようにポジ型レジスト膜24を形成後、非回路形成領域Bに対応する金属膜20上に、ポジ型レジスト膜24と重なるようにネガ型レジスト膜25を形成し、その後、露光及び現像処理されたポジ型レジスト膜24をマスクとして、金属膜20をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】受信放送を記憶装置などの記憶するための情報処理装置及び映像受信装置に関し、処理装置で使用できないインタフェースを他のインタフェースを用いて処理装置で使用可能とした情報処理装置及び映像受信装置に関する。
【解決手段】本発明は、情報処理装置であり、データ処理を行う処理装置と、処理装置と第1のインタフェースとの通信をコントロールする第1のインタフェースコントローラと、第2のインタフェースと第1のインタフェースとを相互に変換し、第1のインタフェースコントローラを介して第2のインタフェースと処理装置との通信を可能とするブリッジ回路とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電子機器の電源ボタンの部分の静電耐圧を上げることを目的とする。
【解決手段】電源ボタン11は、電源ボタン本体11aと、四角の帯形状のフランジ部11bとを有し、このフランジ部11bのX2側に電源ボタン本体11aの周面に沿う溝部11cが形成してある形状である。フロントパネル12は、その開口12aの縁に沿って、X1方向に突き出た、四角枠形状の囲いリブ部12bを有する形状である。溝部11cと囲いリブ部12bとが嵌合しており、隙間15は長い距離L2を有し、静電耐圧は高くなる。 (もっと読む)


【課題】電圧制御発振回路、及び、その調整方法に関し、制御電圧に対する周波数の変化量を精度よく調整できる電圧制御発振回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、制御電圧に応じて容量成分が制御される可変容量素子と、可変容量素子に直列に接続された直列容量素子と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続された並列容量素子と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続され、誘導成分を構成する誘導素子とを有する電圧制御発振回路において、直列容量素子及び並列容量素子は、各々その容量成分を切り換え可能な構成されており、直列容量素子の容量成分及び並列容量素子の容量成分を切り換えることにより、制御電圧に対する発振周波数の変化量が調整されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光学手段の反射又は透過のための端面における散乱損失を低減するとともに、この端面を容易且つ低コストに作成することである。
【解決手段】光学装置としての光導波路ケーブル2は、光導波路としてのコア層231,232と、コア層231,232を覆うクラッド層21,22と、を光学手段として備え、コア層231,232及びクラッド層21,22は、光を反射するための加工面としてのダイシング面241を有し、ダイシング面241上に平滑化膜242を備える。 (もっと読む)


【課題】 入力電圧をリアクトルに間歇的に印加して電流を流し、リアクトルからの出力を複数の出力端子に時分割で振り分けて複数の電圧出力を行う多出力型DC/DCコンバータにおいて、負荷の変動によって出力電圧が所望の電位から大きくずれるのを防止し、安定した直流電圧を出力できるようにする。
【解決手段】 各出力ごとに出力電圧検出手段(AMP1,AMP2)と比較回路(PWMコンパレータCMP1,CMP2)を有する多出力型DC/DCコンバータ(10)において、比較回路の出力を監視して早いものの出力を選択してリアクトルに流れる電流の経路を切り替えるスイッチ回路のオン、オフ制御信号を生成させる出力選択回路(12)を設けるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体装置を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージと、プローブピンをクリーニングするクリーニングステージとを備えた検査装置を用いた半導体装置の検査方法に関し、半導体装置の電気的検査を精度良く行うことを課題とする。
【解決手段】半導体装置用ステージ17の上面17A及び/またはクリーニングステージ23の上面23Aの所定の場所の鉛直方向の第1の位置に対する半導体装置用ステージ17の上面17A及び/またはクリーニングステージ23の上面23Aの他の場所の鉛直方向の第2の位置のずれ量を検出するずれ量検出手段35により検出されたずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ17の上面17A及び/またはクリーニングステージ23の上面23Aが略水平となるように調整した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ダイアフラムと、ダイアフラムに形成された抵抗体を有する圧力検出素子とを備えた半導体圧力センサーの製造方法に関し、ダイアフラムに印加された圧力を精度よく検出することを課題とする。
【解決手段】半導体基板11に形成されたダイアフラム12と、ダイアフラム12に形成された抵抗体18を有し、抵抗体18の抵抗値の変化に基づいて、ダイアフラム12に印加された圧力を検出する圧力検出素子13とを備えた半導体圧力センサー10の製造方法であって、半導体基板11の裏面11B側から半導体基板11をエッチングして、ダイアフラム12を形成後に、半導体基板11の表面11A側に圧力検出素子13を形成した。 (もっと読む)


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