【課題】反り量が小さく、ヒートシンクとの接合が容易なパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の両面に、それぞれろう材を介在させて回路層用金属板およびこの回路層用金属板よりも厚い放熱層用金属板を厚さ方向に積層してなる基板積層体を形成し、この基板積層体を、カーボン製板材からなる厚さ０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の第１挟装体と、厚さ０．２ｍｍ以上４．０ｍｍ以下のグラファイトシートおよびこのグラファイトシートを挟んで積層された厚さ０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の２枚のカーボン板からなる板状の第２挟装体とにより挟み、これらを加熱しながら積層方向に加圧することにより、前記基板積層体における前記セラミックス基板と各金属板とをろう付するパワーモジュール用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｚｎ系合金において、結晶粒を確実に微細化することができ、機械的特性及び鋳造性に特に優れた銅合金、及び、この銅合金からなる鋳造品を提供する。
【解決手段】Ｃｕ；６０質量％以上９０質量％以下、Ｐ；０．００１質量％以上０．５質量％以下、Ｓ；１質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下、Ｚｒ；１０質量ｐｐｍ以上２０００質量ｐｐｍ以下、Ｍｇ；５質量ｐｐｍ以上２０００質量ｐｐｍ以下、を含み、残部がＺｎと不可避不純物とからなる組成を有するとともに、ＺｒとＭｇの質量比Ｚｒ／Ｍｇが、０．０５≦Ｚｒ／Ｍｇ≦５．０の範囲内とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速重切削、高速断続切削ですぐれた耐剥離性、耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がＴｉ化合物層、上部層がα型Ａｌ_２Ｏ_３層からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる表面被覆切削工具であって、下部層直上のＡｌ_２Ｏ_３結晶粒の３０から７０％は（１１−２０）配向Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒からなり、上部層の全Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の４５％以上は、（０００１）配向Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒からなり、さらに好ましくは、下部層の最表面層は、５００ｎｍまでの深さ領域にわたってのみ０．５から３原子％の酸素を含有する酸素含有ＴｉＣＮ層からなり、また、下部層最表面層の酸素含有ＴｉＣＮ結晶粒数と、下部層と上部層の界面におけるＡｌ_２Ｏ_３結晶粒数との比の値が０．０１から０．５である表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール用基板１１と、金属層１４側に接合されてパワーモジュール用基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７とが直接接合されており、回路層１３の厚さＡと金属層１４の厚さＢとの比率Ｂ／Ａが、２．１６７≦Ｂ／Ａ≦２０の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、Ｃｕ：０．１〜２．５原子％、Ｓｂ：０．１〜１．５原子％、Ｇａ：０．５〜３原子％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機ＥＬ素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機ＥＬ層を含む電界発光層が積層される有機ＥＬ素子用の反射電極膜として好適である。 （もっと読む）

【課題】製品内部における引け巣、面引け及び湯境の発生を抑制でき、寸法精度及び強度が確保された鋳物製品を製造する鋳物製品の製造方法を提供する。
【解決手段】鋳造用金型装置２０に金属溶湯を供給して凝固させる工程を備え、鋳造用金型装置２０には、製品成形部２１と、製品成形部２１の下方側から溶湯を供給する湯道部２２と、が設けられ、湯道部２２には、製品成形部２１と湯道部２２とが接する接続部２６の水平投影面の面積よりも水平断面積の大きい湯溜り部２３が形成されており、湯溜り部２３は、接続部２６の直上に位置する製品成形部２１の領域の体積に対して１００％以上５００％以下の容量を有するとともに、湯溜り部２３の上端から下方に向って接続部２６の直上に位置する製品成形部２１の最小高さ以上の高さ範囲においては、水平断面の断面積が接続部２６の水平投影面の面積の１００％以上２００％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】 省スペース化が可能であると共に、アンテナ間の相互結合を低減することができるアンテナ装置を提供すること。
【解決手段】 回路基板本体２と、回路基板本体２の表面に互いに離間して設けられ第１アンテナ部３Ａ及び第２アンテナ部３Ｂと、回路基板本体２の表面に形成され中間領域ＧＮＤ１と両側領域ＧＮＤ２とを有したグランド面ＧＮＤと、第１アンテナ部３Ａ及び第２アンテナ部３Ｂに設けられた一対のアンテナ側給電点ＦＰ１と中間領域ＧＮＤ１に設けられた一対の回路側給電点ＦＰ２とを接続する一対の同軸ケーブル４とを備え、同軸ケーブル４が、アンテナ側給電点ＦＰ１からグランドパターン６の直上を避け両側領域の直上を通って中間領域に設けられた回路側給電点ＦＰ２に配線されている。 （もっと読む）

【課題】製品内部におけるマイクロシュリンケージの発生位置を制御し、高応力負荷部における強度を確保することができる鋳物製品の製造方法及び鋳物製品、並びに、この鋳物製品の製造方法に用いられる鋳造用金型装置を提供する。
【解決手段】鋳造用金型装置２０に金属溶湯を供給して鋳物製品を成形する鋳物製品の製造方法であって、鋳造用金型装置２０には、製品成形部２１と、製品成形部２１に連設された冷却フィン成形部２５とが設けられおり、製品成形部２１及び冷却フィン成形部２５に前記金属溶湯を供給し、冷却フィン成形部２５において冷却フィン部を形成し、製品成形部２１のうち前記冷却フィン部が形成された領域を優先的に凝固させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 省スペース化が可能であると共に、アンテナ間の相互結合を低減することができるアンテナ装置を提供すること。
【解決手段】 回路基板本体２と、互いに離間して設けられ前記離間する方向Ｘに対して直交する方向Ｙであって同一方向に向けて延在する第１アンテナ部３Ａ及び第２アンテナ部３Ｂと、回路基板本体２に形成されたグランド面ＧＮＤと、一対の同軸ケーブル４とを備え、第１アンテナ部及び第２アンテナ部が、アンテナ基板５と、アンテナ基板に形成されたグランドパターン６及びアンテナエレメント７とを備え、グランド面が、一対のアンテナエレメントの近傍まで形成された一対の両側領域ＧＮＤ２と、互いに対向配置された一対のグランドパターンの中間部分であってグランドパターンに対してグランド面非形成領域２ａを介して離間して形成された中間領域ＧＮＤ１とを有している。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型２の内側に設けられた内層シリカ層３と、内層シリカ層３の内側に設けられ、０．２〜４．０μｍの窒化ケイ素粉末４１を７５〜９０重量％含有するとともに残部が１０〜６０００ｐｐｍのナトリウムを含有するシリカ６から構成される混合体素地層４０を少なくとも１層含む窒化ケイ素コーティング層４と、窒化ケイ素コーティング層４の表面に設けられたバリウムコーティング層５と、を備えることを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）