【課題】高耐力、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＰｄ及びＡｇの１種又は２種以上を、それぞれ０．１原子％以上５．０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高強度で、かつ、優れた加工性を有する銅合金、及び、この銅合金からなる銅合金塑性加工材を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、かつ、酸素量が５００原子ｐｐｍ以下とされており、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの含有量をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされている。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされている
さらに、少なくともＡｌ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｚｒの１種又は２種以上を合計で０．０１原子％以上３．０原子％以下の範囲で含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】高耐力、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらにＮｉを３．０原子％超えて２０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＣｒおよびＺｒの１種以上を、それぞれ０．００１原子％以上０．１５原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕおよび不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下である。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされている。 （もっと読む）

【課題】 高温多湿の環境下でもＡＣ耐電圧の低下を抑制することができるサージアブソーバおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 互いに間隔を空けて対向配置された一対の主放電電極部材５と、一対の主放電電極部材５の少なくとも互いの対向面を内部に放電制御ガスと共に封止するガラス製の絶縁性管７とを備え、絶縁性管７の外表面のうち少なくとも主放電電極部材５の周囲の面に、絶縁性容器のガラス材料よりもアルカリ金属の含有量が少ない又は含有しない金属酸化物膜９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＮｉ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏの１種又は２種以上を合計で０．０１原子％以上３．０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材及び電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、平均結晶粒径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。
また、中間熱処理後であって仕上加工前の銅素材における平均結晶粒径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを含有し、さらに、ＮａＦ化合物、Ｎａ_２Ｓ化合物、又はＮａ_２Ｓｅ化合物の少なくとも１種の状態でＮａが、Ｎａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｅ＋Ｎａ）×１００：０．０５〜５原子％の割合で含有され、酸素濃度が、２００〜２０００重量ｐｐｍであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下であることを特徴とする。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】家電製品等から採りだして簡易的に分解することによって得られたモータのロータアッセンブリから、容易に希土類磁石を取り出してリサイクルすることが可能になるロータ分離装置を提供する。
【解決手段】希土類磁石を有するロータ５の中心に形成された孔部５ａにシャフト２が挿入されて嵌め合いにより固定され、シャフト２の一端部にシェル４が一体的に設けられたロータアッセンブリ１からロータ５を分離する装置であり、架台１０にロータ５のシェルとの対向部をシャフトの軸線方向に支持する支持部材１８，１９と、シェル４の対向部に当接する押出プレート２０と、押出プレート２０を支持部材による支持方向と反対方向に押圧する流体圧シリンダ１６とを設け、かつロータ５と当接する支持部材１８、１９を非磁性体によって形成した。 （もっと読む）