説明

新日鉄住金化学株式会社により出願された特許

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【課題】新規な難燃性エポキシ樹脂の提供。
【解決手段】下記一般式(1)[式中、Xは水素原子又は一般式2を表し、nは0または1を表し、そしてR1及びR2は炭素数1から6の炭化水素基を表し、同一であっても異なっていてもよく、またはリン原子と共に環状になっていてもよく、前記一般式2においては、Aは炭素数6から20のアリーレン基及び/またはトリイル基を表わす]で示されるリン化合物と、シアヌル酸とエポキシ樹脂(a)とを反応して得られるリン及び窒素を分子内に含有するエポキシ樹脂(A)。
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【課題】簡易な方法で、所望の微細孔、特にナノメータオーダの微細孔を有する金属多孔質体を提供する。
【解決手段】平均粒子径が50nm〜1μmの範囲内にある第1の金属粒子と、第2の金属材料を含有する金属粒子の平均粒子径が5nm〜500nmの範囲内にあり、第1の金属粒子の平均粒子径以下である第2の金属粒子とを準備する。次いで、前記第1の金属粒子及び前記第2の金属粒子を混合して混合物を得るとともに、前記第2の金属粒子を溶融させ、得られた溶融物によって前記第1の金属粒子を結合し、金属多孔質体を製造する。 (もっと読む)


【課題】表面に機能層を設ける際に使用する高密着性透明フィルムを、簡易な製造プロセスにて、品質均一性が優れ、低製造コスト、高製品歩留まりで製造する。
【解決手段】光硬化性を有するかご型シルセスキオキサン樹脂を含有する光硬化性樹脂組成物を、透明ベースフィルム上に一定厚さにて流延し、その上に透明カバーフィルムを圧着した後、紫外線を照射し、光硬化性樹脂組成物を硬化反応率75〜90%の範囲に硬化後、透明ベースフィルム及び透明カバーフィルムを剥離除去することにより高密着性透明フィルムを製造する。 (もっと読む)


【課題】極性溶媒に分散安定な錫微粒子の製造方法、およびそれを用いた錫インクを提供する。
【解決手段】アルコール中に溶解させたロジンを塩化錫水溶液中で共存させて懸濁液とした後、この懸濁液を還元処理してロジンで被覆した錫微粒子を析出させることを特徴とする錫微粒子の製造方法であり、また、前記錫微粒子が析出した還元処理液を極性溶媒に置換した後、23℃における粘度を5〜1000mPa・sに調製したことを特徴とするインクジェット用錫インクである。 (もっと読む)


【課題】絶縁層の厚みが比較的厚い場合でも、熱伝導特性や耐熱性に優れ、金属積層体の反りが小さく、加工性、ハンドリング性にも優れた熱伝導性ポリイミド−金属基板を提供する。
【解決手段】熱伝導性ポリイミド−金属基板は、金属層と金属層に積層された絶縁層とを備える。絶縁層は、ポリイミド樹脂中に球状及び板状の熱伝導性フィラーを含有するとともに、全熱伝導性フィラーの含有量が45〜70vol%の範囲内であるフィラー高密度含有ポリイミド樹脂層を有する。ポリイミド樹脂は、ジアミン成分として4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを全ジアミン成分に対して50mol%以上用いて合成され、かつ、そのガラス転移温度が250℃以上である熱可塑性樹脂であり、フィラー高密度含有ポリイミド樹脂層における全熱伝導性フィラーに対する板状フィラーの体積比率が25〜75vol%の範囲内である。 (もっと読む)


【課題】硬化性官能基及び芳香環を含有するかご型シルセスキオキサン骨格を有するかご型シルセスキオキサン共重合体、並びに、その製造方法であって、前記かご型シルセスキオキサン共重合体の構造を容易に制御することができる製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(1):[RSiO3/2[RSiO3/2[RSiO3/2・・(1){式(1)中、Rは、不飽和結合含有基を示し、Rは、エポキシ基含有基を示す}で表されるかご型シルセスキオキサン樹脂(A)と、芳香族ジオール化合物(B)とを、第三アミン化合物、第四アンモニウム化合物、第三ホスフィン化合物及び第四ホスホニウム化合物からなる群より選択される少なくとも一種の重合触媒(C)の存在下において、100〜140℃の温度条件で重合反応せしめてかご型シルセスキオキサン共重合体を得ることを特徴とするかご型シルセスキオキサン共重合体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ポリイミド-金属張積層板が本来有する寸法安定性に加え、耐熱性に優れ、特に加熱加圧側の層間に生じるマイクロボイドを抑制した接着信頼性にも優れた金属張積層体を提供する。
【解決手段】ポリイミド-金属張積層板において、金属箔と接するポリイミド層(i)のガラス転移温度が300℃以上で、金属箔の粗化処理面が、(a)表面粗さ(Rz)0.5〜4μm、(b)粗化処理面の表層部は多数の微細突起形状をとり、その一の突起物における根本部分の幅Lに対する突起高さHの比で表されるアスペクト比(H/L)が1.5〜5の範囲で、その突起高さが1〜3μmの範囲である突起形状の割合が全突起形状の数に対して50%以下、かつ(c)突起物間の深さが0.5μm以上で、隣接突起物間距離が0.001〜1μmの範囲にある隙間の存在割合が、全突起形状数の50%以下とする。 (もっと読む)


【課題】熱伝導特性に優れ、実用的な金属層と絶縁層との接着強度を有し、優れた耐熱性を備えるだけでなく、金属積層体の反りも小さく、加工性、ハンドリング性にも優れた熱伝導性ポリイミド−金属基板を提供する。
【解決手段】熱伝導性ポリイミド−金属基板は、金属層と、金属層に積層された絶縁層と、を備える。絶縁層は、ポリイミド樹脂中に熱伝導性フィラーを40〜70vol%の範囲内で含有するフィラー高密度含有ポリイミド樹脂層を有する。このポリイミド樹脂は、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを50mol%以上用いて合成され、かつ、そのガラス転移点が250℃以上である熱可塑性ポリイミド樹脂である。フィラー高密度含有ポリイミド樹脂層における熱伝導性フィラーの80vol%以上が、平均粒径が5μm以下の球状フィラーである。 (もっと読む)


【課題】可撓性回路基板において配線を形成した場合にも、曲率半径の小さな繰り返し屈曲を伴うような過酷な使用条件下で優れた耐久性を示す銅箔、銅張積層板、可撓性回路基板、及び銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】Mnを0.001質量%以上0.4質量%以下含有し、不可避不純物と残部のCuとを有した銅箔であり、銅の単位格子の基本結晶軸<100>が、該銅箔の厚さ方向と箔面内に存在するある一方向との2つの直交軸に対して、それぞれ方位差15°以内の優先配向領域が面積率で60%以上を占める銅箔、これを用いた銅張積層板及び可撓性回路基板、並びに銅張積層板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】1分子中に炭素−炭素2重結合基とエポキシ基とを有しており、ポリマーを製造する際において反応や構造を容易に制御することができるかご型シルセスキオキサン樹脂及び該かご型シルセスキオキサン樹脂を高収率で製造する方法を提供すること。
【解決手段】不飽和基を含む基R含有シラン(1):RSiX・・・(1){Xは加水分解性基を示す。}で表わされるケイ素化合物(a)、下記一般式(5):RSiX・・・(5){式(5)中、Rは、エポキシ基を含む基、Xは加水分解性基を示す。}で表わされるケイ素化合物(c)を、水と有機極性溶媒と有機非極性溶媒とからなる混合溶媒及び塩基性触媒存在下で加水分解せしめると共に縮合せしめてかご型シルセスキオキサン樹脂を得、前記加水分解反応工程後に90℃を超えて加熱する工程を備えないことを特徴とするかご型シルセスキオキサン樹脂の製造方法。 (もっと読む)


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