説明

株式会社アキタ電子システムズにより出願された特許

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【課題】 寿命の長い高出力の白色LED照明装置を提供する。
【解決手段】 ケースの開口部に対面する配線基板に複数の発光ダイオードチップを搭載し開口部に取り付けられたレンズの外に照明光を照射する照明装置であって、配線基板は、金属板と、金属板の第1の面に設けた配線構造部で形成し、金属板の第1の面に同心円的に高さが変化しない平坦面と、平坦面対して傾斜する第1及び第2の傾斜面を設け、これらの面に対応する配線構造部の表面に発光ダイオードチップを搭載する。金属体はその外周に放熱フィンを有する。配線構造部20の表面には反射膜を形成して、発光ダイオードチップからの光をレンズ方向に反射させる。複数の発光ダイオードチップと反射光で光出力は増大する。発光ダイオードチップで発生する熱は金属体を通して外部に放散される。 (もっと読む)


【課題】 実装基板上にワイヤボンディングによって実装されたチップを有する半導体装置において、実装基板上における実装レイアウトの自由度を向上する。
【解決手段】 チップ14の主面上においては、相対的にチップ14の外周側に位置するボンディングパッド15Aの配列および相対的にチップ14の中心側に位置するボンディングパッド15Bの配列の2列をチップ14の外周に沿って配置し、これらのボンディングパッド15A、15Bは、チップ14の外周に沿った方向で互い違いに配置する。配線基板11上においては、相対的にチップ14の外周に近いボンディングパッド16Aの配列および相対的にチップ14の外周に遠いボンディングパッド16Bの配列の2列をチップ14の外周の1辺およびその1辺と対向する1辺に沿って配置し、これらのボンディングパッド16A、16Bは、チップ14の外周に沿った方向で互い違いに配置する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置製造において配線基板のクラック及び割れ発生を防止する方法の提供。
【解決手段】(a)製品形成部を整列配置した配線母基板を準備する工程、(b)各製品形成部の上面に半導体チップ11を固定する工程、(c)半導体チップ11の電極と配線をワイヤ13で接続する工程、(d)カル42、ランナー50、ゲート51及びキャビティ52と連なる樹脂経路を有するトランスファモールディング用の成形金型40を用いて、配線母基板の上面に半導体チップ11及びワイヤ13を覆う樹脂層30を形成する工程、(e)ランナー50で硬化した樹脂に外力を加えてゲートで硬化した樹脂34の境界で切断する工程、(f)配線母基板を各製品形成部の境界線で切断して製品形成部を個片化する工程を有し、工程(d)の樹脂層30の形成においては、ランナー50とゲート51との境界位置が配線母基板の周縁と投影状態で一致する状態で樹脂層30を形成する。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップの電極と配線との高精度のフリップ・チップ接続を図る。
【解決手段】 上面及び下面に所定パターンの配線を有し上面及び下面の前記配線の一部は上下面を貫通する配線で接続される配線基板と、配線基板の上面配線に半田を介して電極がフリップ・チップ接続される半導体チップと、配線基板の下面配線に重ねて形成される外部電極端子とを有する半導体装置であって、電極が接続される配線表面部分はその周囲の配線部分よりも窪みかつ窪み上の半田は他の配線表面の半田よりも厚くなっている。また、配線基板の上面と半導体チップの下面の隙間には絶縁性樹脂が充填されて封止体が形成され、封止体によって隙間が塞がれている。 (もっと読む)


【課題】 薄型の積層型半導体装置を安価に提供する。
【解決手段】 配線基板の上面には半導体チップが固定され、半導体チップの電極と配線基板の上面の配線はワイヤで接続され、配線基板の下面には電極を有し、配線基板の上面の半導体チップ及びワイヤは絶縁性樹脂からなる封止体で覆われる構造の半導体装置を積層する積層型半導体装置である。第1の半導体装置は、複数の孔を有する絶縁体からなる枠状のガイドが配線基板の上面に固定されている。孔底には配線基板の上面の配線が位置している。ガイドの内側は封止体で覆われる構造となっている。第2の半導体装置は、配線基板の下面に設けられる電極が前記孔に対面する構造となっている。第2の半導体装置は第1の半導体装置に重なり、第2の半導体装置の電極は第1の半導体装置のガイド内に入れられる半田ボールの再加熱によって孔底の配線に接続される。第1の半導体装置の下面の電極が積層型半導体装置の実装電極になる。
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【課題】 半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】 半導体装置は、第1の面に電子部品の電極に接続される電極パッドが複数設けられ、第1の面の反対面となる第2の面に電子部品の電極に接続される電極パッド及び外部電極端子が複数設けられ、外部電極端子及び電極パッドは必要に応じて配線によって電気的に接続されており、かつ第1の面の周縁には前記周縁に沿ってグランド層が設けられてなる配線基板と、配線基板の第1の面及び前記第2の面に電極を介して前記電極パッドに接続される少なくとも一つの電子部品と、配線基板の第1の面に接続される電子部品を覆うように配線基板に接着剤を介して固定される一面が開口した箱状のキャップとを有し、キャップの開口端面は前記グランド層に対面し、前記接着剤はグランド層の表面とキャップの開口端面との間に介在されている構造になっている。キャップの外周縁から配線基板の外周縁に至る距離は0・5mm以下である。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の小型・薄型化及び実装性能の向上。
【解決手段】 半導体装置は、第1の面に電極を有する半導体チップと、絶縁平板からなる第1部及びこの第1部から延在しかつ前記第1部よりも薄い第2部を有し、第1部及び第2部の第1の面は同一平面上に位置するとともに、前記第1の面は絶縁性の接着剤を介して電極の配置位置から外れた半導体チップの第1の面に接着され、第1の面の反対面となる第1部及び第2部の第2の面にはそれぞれ複数の導体層を有し、第1部の所定の導体層と第2部の所定の導体層は内部に設けられた導体を介して電気的に接続された構造からなる配線ブロックと、配線ブロックの第2部の所定の導体層と半導体チップの所定の電極とを接続する導電性のワイヤと、半導体チップの第1の面及び配線ブロックの第2部並びにワイヤを覆う絶縁性の封止体とを有し、封止体の表面は配線ブロックの第1部の第2の面よりも所定高さ低くなっている。 (もっと読む)


【課題】
大きさの違う2つの薄いベアチップがインターポーザ基板の表裏に接続されている構造において、大きいチップに割れが発生する。
【解決手段】
大きいチップのバックグラインド面にチップより線膨張係数の大きい樹脂を塗布することにより、大きいチップの割れを防止する。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップの厚さを薄くした場合でも、信頼性の高い半導体装置を与える、レジンボンド砥石およびそれを用いた半導体チップの製造方法を提供すること。
【解決手段】
[1]コバルト、鉄、マンガン、クロム、バナジウムおよびこれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも一種の磁性金属により被覆された砥粒と、樹脂とを備え、かつ、前記磁性金属により被覆された砥粒は前記樹脂中に分散されたレジンボンド砥石。
[2]上記[1]に記載のレジンボンド砥石を使用して半導体ウエハを研削する工程と、前記研削後の半導体ウエハをダイシングする工程を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の薄型化を図る。
【解決手段】半導体装置は、第1の面2aに複数の電極を有する半導体チップ2と、前記各電極に重ねて接続され半導体チップの第1の面に第1の面を対面させる電気的に独立した電極板5と、電極板と電極板との隙間及び電極板と半導体チップとの隙間を埋める絶縁体4とを有し、半導体チップ及び絶縁体並びに電極板によって六面体を形成し、六面体の上面は半導体チップの第2の面2bで形成され、六面体の各側面には半導体チップの各側面が露出し、六面体の下面には各電極板の第1の面の反対側になる第2の面5bが露出する。 (もっと読む)


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