説明

東京エレクトロンAT株式会社により出願された特許

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【課題】電子シェーディングによるチャージングダメージの発生を防止し,所望の高アスペクト比のコンタクトホールを形成可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】エッチング装置100の処理室102内に配置された第2電極106上にウェハWを載置した後,C48とCOとArから成る処理ガスを処理室102内に導入する。第2電極106に2つの高周波電力を印加する。第2電極106に印加される一方の高周波電力は、所定周期でオン・オフを繰り返すパルス状電力であり、他方の高周波電力は、一方の高周波電力の周波数よりも低い。処理ガスにはO2が間欠的に添加される。O2の無添加時間は、O2の添加時間よりも長い。 (もっと読む)


【目的】第1撮像手段によりプロ−ブカ−ドのプロ−ブ位置を座標として求め、退避可能なタ−ゲットにより第1撮像手段と第2撮像手段とを位置合わせして、第2撮像手段で基板の電極の位置を座標として求め、プロ−ブの位置に対する電極の位置を求めて、プロ−ブと電極との位置合わせを可能にしたプロ−ブ装置及びプロ−ブ方法を提供する。
【構成】プロ−ブカ−ド1のプロ−ブ2の位置を第1撮像手段3の撮像情報から座標として求め、この第1撮像手段3の位置と第2撮像手段4の位置とを合致させ、第2撮像手段4でウエハ5の電極5a位置を求め、プロ−ブ2の位置に対応するウエハ5の電極5aの位置を算出し、プロ−ブ2と電極5aとの位置合わせをして、ウエハ5の検査を行う。 (もっと読む)


【目的】 プローブ装置のプローブと被検査体の電極パッドとを正確に接触させて高精度な電気的測定を行うこと。
【構成】 X、Yステージ上に設けられたZ移動部6に第1撮像手段6とこの撮像手段6の合焦面に対して進退自在なターゲット63を設け、プローブカードとウエハ載置台41との間に横方向に移動自在な第2撮像手段7を設ける。先ずターゲット63により第1、第2撮像手段6、7の焦点合わせを行う。そして第2撮像手段7によりウエハW上の例えば中心及び周方向に等分された4点の合計5点の位置を認識し、更に第1撮像手段6によりプローブ針50を認識する。焦点合わせ、特定点、プローブ針の認識時の制御系上の各座標位置に基づいて電極パッドとプローブ針との位置合わせを行う。 (もっと読む)


【目的】 テストヘッド部が6軸に渡って位置調整可能なテスト装置を提供する。
【構成】 表面にチップが形成された半導体ウエハのような被検査体Wのテストを行うために、テスト装置本体2と、テストヘッド部12を有するテスト装置において、このテストヘッド部を、X軸位置調整機構36、Y軸位置調整機構44、Z軸位置調整機構26、θX軸位置調整機構46、θY軸位置調整機構40及びθZ軸位置調整機構32に連結する。そして、上記各位置調整機構の一部或いは全部を可動にする。これにより複数の軸方向における位置調整を自動的に行う。 (もっと読む)


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