【課題】坩堝の損傷や破損を防止すると共に育成されるシリコン単結晶インゴットの単結晶化率や品質の低下を抑制しつつ、大きな塊の多結晶シリコンをリチャージすることができる多結晶シリコン原料のリチャージ方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン塊のリチャージにおいて、最初にスモールサイズ多結晶シリコン塊又はミドルサイズ多結晶シリコン塊Ｓ２である緩衝層形成多結晶シリコン塊Ｓｂが投入され、緩衝層形成多結晶シリコン塊Ｓｂが坩堝２０内のシリコン融液４０の表面４１に積層されて緩衝層５０を形成する。次いでこの緩衝層５０上に大きな大きさのラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３が投入されるので、緩衝層５０が落下するラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３の衝撃を緩衝する。 （もっと読む）

【課題】ピンホールの形成を大幅に抑制し、実質的に防止することができるシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法の多結晶シリコンの充填工程において、供給される多結晶シリコン塊Ｓとしてスモールサイズ多結晶シリコンＳ１は用いられておらず、ミドルサイズ多結晶シリコン塊Ｓ２とラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３のみが用いられている。また、多結晶シリコンの充填工程において、多結晶シリコン塊Ｓを無作為に坩堝１内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】混合するワークの切粉と未使用又は未破砕砥粒との十分な分離及び回収を実現すると共に、使用済み水溶性スラリーの状態によらず、良質な再生水溶性スラリーを安定的に生成することができる再生水溶性スラリーの生成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、遠心分離装置にて分離する前に、使用済み水溶性スラリーの温度、密度及び粘度を所定範囲となるように調整する第１工程と、調整された使用済み水溶性スラリーを遠心分離装置にて所定加速度にて分離することで、遠心分離後の再生水溶性スラリーの密度を安定的に所定範囲に調整する第２工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変形及び転位が抑制され、且つテール部が省略されたシリコン単結晶を製造し得る、シリコン単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造方法は、磁場中心Ｌ２における磁束密度が１０００ガウス以上２０００ガウス以下である水平磁場を印加しつつシリコン単結晶２の直胴部４を成長させた後、融液３２の液面に対するシリコン単結晶の相対的な引上げ速度を０ｍｍ／分にし、その後、シリコン単結晶の見かけの重量が減少するまで、その停止状態を維持し、さらに停止状態を維持して、融液に接するシリコン単結晶の成長面全体をシリコン単結晶の引上げ方向と反対方向に凸形状にした後、融液から単結晶を切り離す。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融前に原料シリコンに含まれる平均粒径が２５０μｍより小さい粒子を除く微粒子除去工程を有する。微粒子除去工程は、原料シリコンを超純水又はアルコールで洗浄処理する工程、原料シリコンを圧縮気体によりブロー処理する工程、又は原料シリコンをふるい処理する工程の少なくとも１つの工程、あるいは、複数の工程を組み合わせた工程である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいて強度及び電気抵抗を所望の強度及び電気抵抗にすることができるシリコンウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１を製造するために、中間体１０に対して、非酸化性の酸素外方拡散熱処理が行われる。この酸素外方拡散熱処理は、シリコン基板１１の表層から所望の量の酸素を中間体１０の外方に放出するための熱処理であり、この酸素外方拡散熱処理によって、シリコン基板１１の上部に酸素含有量が低い表面層３が形成される。この際、シリコン基板１１に対する熱処理は、酸化膜１２を介して行われる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造のための黒鉛ルツボであって、使用寿命の長い黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボのコーナ部にガス抜き孔が設けられていることを特徴とする。当該ガス抜き孔を通じて、石英ルツボと黒鉛ルツボとの反応により発生するガスを外に放散させて、黒鉛ルツボ表面でのＳｉＣ形成、ガス圧による石英ルツボ変形を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】次のステップを順次実施することを特徴とする：（１）ラッピング後の半導体シリコンウエーハを用意し、（２）界面活性剤で洗浄するステップと、（３）アルカリ又は酸で洗浄するステップと、（４）高純度水酸化ナトリウムでエッチングするステップ。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ用収容ケースの品質を容易に且つ短時間で評価できると共に、内部に収容される半導体ウエハの常温における保管寿命を推定することで当該収容ケースの品質を評価することが可能な半導体ウエハ用収容ケースの品質評価方法を提供する。
【解決手段】ウエハ収容ケースを所定条件で乾燥させた後、半導体ウエハを収容して、常温より高い所定温度で所定時間加熱し、該加熱されたウエハ収容ケースに収容されている半導体ウエハの品質を判定し、前記所定温度と判定された半導体ウエハの品質とに基づいてアレニウスプロットを実行し、収容ケース内の常温における水分量に基づいて、該収容ケースが吸着している水分量を算出し、アレニウスプロットとウエハ収容ケース内が吸着している水分量に基づいて、半導体ウエハの常温における保管寿命を推定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法であって、ウェハ表面粗度の改善が可能なエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法において、アルカリ溶液中に酸化性ガスをバブリングすることを特徴とする、シリコンウェハのエッチング方法を提供する。 （もっと読む）