【課題】 単純な回路構成を有し、調整が容易なドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】 第１の入力信号を増幅するキャリアアンプ１２と、飽和出力電力がキャリアアンプと異なり、第２の入力信号を増幅するピークアンプ２２とを有し、キャリアアンプは、第１のトランジスタと、第１のトランジスタと同一のパッケージ内に設けられた第１の内部変換回路とを含み、ピークアンプは、第２のトランジスタと、第２のトランジスタと同一のパッケージ内に設けられた第２の内部変換回路とを含み、第１及び第２の内部変換回路は、第１及び第２のトランジスタの出力インピーダンスを互いに異なる値に変換する。 （もっと読む）

【課題】電極と誘電体部との密着性を良好なものとすること。
【解決手段】本発明は、上部電極１８と、下部電極１４と、上部電極１８と下部電極１４との間に配置され、窒化シリコン又は酸化アルミニウムからなる第１の膜２２、第２の膜２４及び第３の膜２６を下部電極１４側から順に有し、第１の膜２２及び第３の膜２６は、第２の膜２４よりもシリコン組成比又はアルミニウム組成比が大きい誘電体部１６と、を備える容量素子である。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】移相量のばらつきを抑制すること。
【解決手段】第１および第２インダクタと第１キャパシタとを備えるＴ型のＬＣＬローパスフィルタと、第２および第３キャパシタと第３インダクタとを備えるＴ型のＣＬＣハイパスフィルタと、を具備し、前記ローパスフィルタと前記ハイパスフィルタとの位相差により移相を行ない、移相を行なう高周波信号の特性インピーダンスをＺ_０、前記高周波信号の角周波数をω、移相量をΔΘとしたとき、各インダクタおよびキャパシタの値を製造ばらつきによるΔΘが小さくなるように設定する移相器。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を有し、かつ反りを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、ガリウム砒素からなる半導体基板１０と、半導体基板１０上に設けられた能動層１５と、能動層１５と対向する半導体基板１０の下面に設けられた第１Ｎｉ層１２と、第１Ｎｉ層の下面に設けられたＣｕ層１４と、Ｃｕ層１４の下面に設けられた第２Ｎｉ層１６と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、良好な放熱性を確保し、かつ反りを抑制することが可能な半導体装置を提供することできる。 （もっと読む）

【課題】パターンサイズが小さく、結合強度の大きいカプラを提供すること。
【解決手段】複数の第1線路１２、１４が上下に積層されてなり、前記複数の第１線路のそれぞれ一端と他端が上下で電気的に接続された第１結合線路１０と、複数の第２線路２２、２４が上下に積層されてなり、前記複数の第２線路のそれぞれ一端と他端が上下で電気的に接続された第２結合線路２０と、を具備し、前記第１結合線路と前記第２結合線路とは、平行して配置されてなるカプラ。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性を向上させた高周波回路装置を提供する。
【解決手段】 高周波回路装置は、一端同士１３３１，１３４１が互いに離間して対向した２つの伝送線路１３３，１３４と、２つの伝送線路の一方の一端に実装され、該実装面となる下面電極３０と、該実装時に下面電極の上方に位置する上面電極３２を備えるキャパシタＣと、２つの伝送線路の対向する一端同士の間の領域に配置され、一端同士を電気的に接続する抵抗素子Ｒと、キャパシタの上面電極と２つの伝送線路の他方との間を電気的に接続する接続導体１３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層６０を形成する工程と、複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガー１４を共通に接続するゲートバスライン２６のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層６４と、一部分の領域を被覆する第２マスク層６６と、をマスクにして金属層６０をパターニングすることで、ゲートバスライン２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エッジコネクタの端子導体間にコネクタの接触子が落ち込まない構造の回路基板エッジコネクタを提供する。
【解決手段】多数の接触子が収容されたコネクタに挿抜されて電気的に接続される多数の端子導体１３が配列された回路基板エッジコネクタ１１であって、端子導体１３の側面にコネクタの接触子１７が落ち込んで接触しないように、ソルダレジスト１４が形成されている。ソルダレジスト１４は、端子導体１３の厚さ以上に形成され、また、端子導体のエッジ側先端より先まで形成され、さらに、先端側が傾斜面で形成されている。 （もっと読む）