説明

大日本スクリーン製造株式会社により出願された特許

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【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部PCは、4つの硫酸過水処理チャンバ1と、4つのアンモニア過水処理チャンバ2とを備えている。硫酸過水処理チャンバ1内において、ウエハWに対して、SPMを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハWは、硫酸過水処理チャンバ1からアンモニア過水処理チャンバ2へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ2内において、SC1を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ2は、硫酸過水処理チャンバ1から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ2内には、SPMのミストが存在しない。 (もっと読む)


【課題】収容部材内の薬液ミストを含む雰囲気が処理室内に拡散することを防止できる、基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ2内において、ウエハWを保持するウエハ回転機構3は、カップ8内に収容された状態で設けられている。カップ8の上端部には、カーテン形成ノズル30が設けられている。また、処理チャンバ2内には、ウエハWの表面にSPMを供給するための移動ノズル14が設けられている。少なくともウエハWの表面へのSPMの供給中は、カップ8の上方に水カーテンWCが形成され、水カーテンWCによって、カップ8の内側の空間を含む水カーテンWCの内側の空間と水カーテンWCの外側の空間とが遮断される。 (もっと読む)


【課題】非塗布領域に対する流動性材料の付着を防止するマスキングテープが貼付された基板において、非塗布領域と塗布領域との間の境界におけるメニスカスの発生を容易に防止する。
【解決手段】テープ貼付装置により基板9上に貼付されたマスキングテープ1では、第1マスキングテープ11の第1下面エッジ1123が非塗布領域92と塗布領域91との間の境界920よりも非塗布領域92の内側に位置しており、第2マスキングテープ12の第1マスキングテープ11から外側へと突出する庇部120が非塗布領域92の露出領域921を覆う。これにより、基板9上に吐出された有機EL液が露出領域921に付着することが防止され、また、有機EL液が第1マスキングテープ11の側面1103に付着してメニスカスを形成することも防止される。その結果、非塗布領域92と塗布領域91との間の境界920におけるメニスカスの発生を容易に防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 スペーサ粒子を適正に配置することにより高品質な液晶表示装置を製造することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 透明基板上にインクジェット方式によりスペーサ粒子を分散させたスペーサ粒子分散液を吐出することによりスペーサ粒子を含むスペーサ領域を形成するスペーサ領域形成工程と、スペーサ領域が形成された透明基板を加熱することにより、スペーサ粒子分散液から揮発成分を蒸発させるとともに、スペーサ領域のスペーサ粒子を透明基板に固着させる乾燥工程と、スペーサ粒子が固着した透明基板を液体で洗浄することにより、スペーサ領域以外に存在するスペーサ粒子を除去する洗浄除去工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板にリンス液を供給する工程の終了後に、基板に薬液ミストが付着することを防止できる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対するレジスト剥離処理においては、処理室内において、基板にSPMが供給される。このとき、基板でのSPMの跳ね返りやSPM中の水分の蒸発などによるSPMのミストが生じ、SPMのミストが処理室内の空間に浮遊して拡散する。基板へのSPMの供給の終了後、基板にSPMを洗い流すための純水が供給される。この純水の供給と並行して、処理室内の空間に微細な水滴が噴射される。これにより、処理室内の空間に拡散したSPMのミストに微細な水滴がかかり、SPMのミストが微細な水滴に吸収され、SPMのミストが処理室内の雰囲気中から排除される。 (もっと読む)


【課題】基板の下面からエッチング液を回り込ませて基板の上面端部をベベルエッチングする技術において、エッチング幅を小さくかつ均一にする。
【解決手段】第1または第2の薬液供給源211,212から供給されるエッチング液を下面処理ノズル2から吐出するのに先立って、DIWを下面処理ノズル2から吐出させてウエハ裏面Wbに供給しておく。エッチング液の非等方的な広がりはDIWの層によって修正されるため、エッチング液の局所的な集中に起因するエッチングむらが防止される。このため、ウエハ回転速度を上げたりエッチング液の供給量を少なくすることができ、エッチング幅を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】状態遷移テストの効率的な実行を支援する状態遷移テスト支援装置を提供する。
【解決手段】状態遷移表生成部220では、内部状態とイベントとの組み合わせに対応する情報を記述するためのマトリクス状の組み合わせ情報用セルを有する状態遷移表21が生成される。状態遷移表設計支援部230では、動作特定情報入力受付部231が受け付けた情報に基づいて、状態遷移テストとして実行されるべき一連のテストケースからなるテストパスがテストパス生成部232によって生成される。テスト支援部240では、状態遷移テストの実行中、次にテストが実行されるべきテストケースに対応付けられている組み合わせ情報用セルがテストセル強調表示部242によって強調表示され、テスト結果の履歴、エラーの再現手順、進捗状況などの表示部への表示が行われる。 (もっと読む)


【課題】基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】光照射の総時間が1秒以下の光照射加熱において、ピークが発光出力LPとなる出力波形にて半導体ウェハーに光照射を行う第1段階と、そのピークが過ぎた後に発光出力LPよりも小さな発光出力にて半導体ウェハーWに追加の光照射を行う第2段階と、によって構成される2段階照射を行う。第2段階の発光出力はピーク時の発光出力LPの3分の2以下である。第1段階の光照射時間は0.1ミリセカンド以上10ミリセカンド以下であり、第2段階の光照射時間は5ミリセカンド以上である。半導体ウェハーの表面温度を概ね一定の処理温度T2に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができる。 (もっと読む)


【課題】膜厚を考慮して部分液交換を行うことにより、処理レートを一定の範囲に保持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部25は、カウンタ37で計数された基板Wの枚数のうち、厚膜のものに相当する基板Wの枚数が通常ライフカウントに達したことに基づき、部分液交換を実施しながら基板Wを処理させる。つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Wの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。 (もっと読む)


【課題】オペレータによる簡便な操作入力によって高精度かつ高効率な彩色処理を行う技術を提供する。
【解決手段】まず、線画処理装置1は、オペレータの操作入力に基づき、指定領域を設定するとともに、当該指定領域内に識別点Fを設定し、しかる後に、各識別点Fが連なる連続領域を彩色した第1・第2識別データ14Dを生成する。さらに線画処理装置1は、第2識別データ14Dで彩色されていない1以上の閉領域を抽出し、各閉領域の面積と、第2識別データ14Dで彩色されている連続領域との面積とを比較することで、1以上の各閉領域の彩色の要否を判定する。そして、線画処理装置1は、線画データ11Dについて、第2識別データ14Dの連続領域と、彩色が必要と判定された閉領域とを同じ色で彩色する。 (もっと読む)


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