説明

大日本スクリーン製造株式会社により出願された特許

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【課題】シリサイドの横方向への異常成長を防止しつつ、シリサイド形成を行うことができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハーWのソース・ドレイン領域にシリコンなどのイオンを注入し、そのイオン注入領域150を非晶質化する。非晶質化されたイオン注入領域150にニッケル膜158を成膜する。ニッケル膜158が成膜された半導体ウェハーWにフラッシュランプから第1照射を行ってその表面温度を予備加熱温度T1から目標温度T2にまで1ミリ秒以上20ミリ秒以下にて昇温する。続いて、フラッシュランプから第2照射を行って半導体ウェハーWの表面温度を目標温度T2から±25℃以内の範囲内に1ミリ秒以上100ミリ秒以下維持する。これにより、ニッケルシリサイドが縦方向に優先的に成長する。 (もっと読む)


【課題】フラッシュ加熱処理時における薄膜の過度の加熱を抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】表面に二酸化ケイ素の基材を形成し、さらにその上にアモルファスシリコンの薄膜を形成した半導体ウェハーWをチャンバー6内に搬入する。フラッシュランプFLへの電力供給回路には絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が接続されており、そのIGBTによってフラッシュランプFLへの通電時間を0.01ミリ秒以上1ミリ秒以下とすることにより、フラッシュ光照射時間を0.01ミリ秒以上1ミリ秒以下としている。顕著に短いフラッシュ光照射時間にてフラッシュ加熱処理を行うため、アモルファスシリコンの薄膜が過度に加熱されることは抑制され、当該薄膜が剥離するなどの弊害が防止される。 (もっと読む)


【課題】パターンが形成された基板表面に粘着部材を当接させた後で当該粘着部材を剥ぎ取って基板表面から付着物を除去する基板処理技術において、優れた付着物の除去率およびダメージ抑制性能を安定的に得る。
【解決手段】基板Wの表面Wfに対する粘着テープTによる貼り剥がし洗浄を行う前に、基板Wのノッチ位置を検出し、そのノッチ検出時点でのパターンの向きに基づいて基板Wを回転させてパターンの向きが剥離方向Xと平行となるように、パターンの向きと剥離方向との相対的な方向関係を適正化する。そして、洗浄ヘッド7がノッチ検出位置P2から(−X)方向に移動して粘着テープTによる貼り剥がし洗浄が実行される。 (もっと読む)


【課題】 時間や天候に係わらず、携帯型電子機器等に電源を供給して、使用しまたは充電することができ、容易に携帯できる携帯用の電源装置等を提供する。
【解決手段】 システム手帳1には、リフィル4とともに、リフィル型電源5が綴じこまれている。リフィル型電源5の本体5aには、その一側縁部に、バインダー部2の綴り輪2bに綴じこんで保持するための保持部5bが形成される。リフィル型電源5の本体5aは、扁平形状の二次電池6と、前記二次電池6を充電する充電回路7と、前記二次電池6の電圧を出力する出力回路8とを、図示しない樹脂製のプリント基板に組みつけてなる電源ユニット9を備え、さらに充電端子11と出力端子12を備える。使用者は、リフィル型電源5の二次電池6を充電しておき、電子機器の内蔵電池が消耗したときに出力端子12に接続して電子機器を駆動または充電する。 (もっと読む)


【課題】インクジェットプリンタにおいて、短い駆動周期にて質の高いドットを形成する。
【解決手段】インクジェットプリンタでは、画像記録中において、記録用紙上に大ドットを形成する際に、駆動信号として、基本波形70から第2吐出パルス721および第1吐出パルス713が選択される。中ドットを形成する際に、第1微振動パルス711および第1吐出パルス713が選択される。小ドットを形成する際に、第3吐出パルス722が選択される。液滴の非吐出時に、第2微振動パルス712が選択される。これにより、第1微振動パルス711の波形を調整することにより、第1吐出パルス713を大ドットおよび中ドットの形成に用いて駆動周期を短くしつつ、各サイズのドットを高い質にて形成することができる。 (もっと読む)


【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置1では、二酸化炭素溶解ユニット62により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部6により、SPM液よりも比抵抗が大きい除電液が基板9上に供給され、基板9の上面91全体が除電液にてパドルされることにより、基板9が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部3により基板9上にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、SPM処理の際に、基板9からSPM液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板9の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板9の損傷が生じない範囲で、基板9の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル15からの液滴が基板Wの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Wの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板W上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 (もっと読む)


【課題】描画処理の実行前に、互いに異なる2つのRIPパラメータ各々に基づくRIP展開によって生成された、図形の描画に供される2つの画像データの差分を見落とすことなく速やかに確認できる技術を提供する。
【解決手段】画像処理装置2は、設計データD0が表す所定の処理領域を設定する処理領域設定部25と、指定パラメータPa1と基準パラメータPa2とのそれぞれを用いて、処理領域の表示倍率に応じた解像度で、処理領域に対応する設計データD0をRIP展開する表示用RIP展開部26とを備える。指定パラメータPa1に基づくRIP展開によって得られた指定画像D21と、基準パラメータPa2に基づくRIP展開によって得られた基準画像D22との差分Sが抽出され、その差分Sを視覚的に強調した態様で処理領域表示画面81に指定画像D21と基準画像D22とが表示される。 (もっと読む)


【課題】画像の特徴量に基づき分類を行う画像分類装置および画像分類方法において、簡便な方法で、分類結果の確からしさに関する情報を提示することのできる技術を提供する。
【解決手段】任意の分類アルゴリズムによりカテゴリAに分類された欠陥画像Xを算出対象として、その分類結果の確度を算出する。複数種の特徴量V1〜V8のそれぞれに対して、当該分類カテゴリに属する典型的な画像が有する値の範囲を典型範囲として求めておく。算出対象画像Xを表す各特徴量のうち、その値が典型範囲内にあるものに投票を行い、特徴量の種類数に対する得票数の比を確度として出力する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に対して光ビームを照射して描画する描画装置およびその焦点調整方法において、収束光学系の経時変化に対応することができ、しかも描画時の基板表面に収束光学系の焦点位置を適正に調整することのできる技術を提供する。
【解決手段】観察光学系80のダミー基板801と観察用カメラ803とを一体的に昇降可能とする。ダミー基板801の上面801aをステージ10上の基板Wの表面Sと略同一の高さに設定し、観察用カメラ803により観察されるダミー基板上面801aでの描画光学像が最も小さくなるように、光学ヘッド40aのフォーカシングレンズ431の位置を調整する。このときの光学ヘッド431とダミー基板上面801aとの距離を基準距離として、オートフォーカス部441,442によるオートフォーカス動作を実行する。 (もっと読む)


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