【課題】簡易な制御によりチョーク吸引を行いつつも、インク消費を低減することができる。
【解決手段】制御部４５は、インクジェットヘッド１９にキャップ２９を密着させた後、インク供給制御弁２７を閉止させ、三方弁４１を大気開放側に切り換えさせた後、ダイアフラムポンプ３９を作動させ、三方弁４１をキャップ２９側に切り換えさせてキャップ２９内を減圧させる。この状態でインク供給制御弁２７を開放させると、インクが気泡とともにキャップ２９内に一気に排出される。これらの一連の動作は、インク供給制御弁２７及び三方弁４１及びダイアフラムポンプ３９の動作タイミングで主として構成されるので、簡単にチョーク吸引を行わせることができる。また、インクの排出後の所定時間Ｔ１後にインク供給制御弁２７を閉止させるので、無駄なインクの排出を抑制でき、インク消費を低減できる。 （もっと読む）

【課題】複数個のモータによるインクジェットヘッド保持部の昇降を確実に行って、インクジェットヘッド保持部の破損を未然に防ぐことができる。
【解決手段】制御部４１が２個のモータ２７を操作してインクジェットヘッド保持部２１を昇降させる際に、監視部４３は各スリットセンサ３５の信号を監視する。監視部４３は、各スリットセンサ３５の信号に基づいて、２個のモータ２７の回転が同期していることと、２個のモータ２７の回転方向が一致していることとを監視する。したがって、それらに異常が生じた場合には、インクジェットヘッド保持部２１にねじれが生じたことを示すので、各モータ２７の回転を停止させる等の措置をとることができる。その結果、インクジェットヘッド保持部２１の破損を未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】塵ＰおよびレジストＲを基板Ｗの周縁部Ｅから同時に除去する。
【解決手段】基板Ｗの周縁部Ｅに液状の被覆剤Ｃを塗布して、基板Ｗの周縁部Ｅに付着した塵Ｐを液状の被覆剤Ｃによって覆う。そして、基板周縁部Ｅに付着した塵Ｐを覆う被覆剤Ｃを硬化させることで、当該塵Ｐを硬化された被覆剤Ｃの内部に捕捉する。したがって、被覆剤Ｃを基板Ｗの周縁部Ｅから除去することで、基板Ｗの周縁部Ｅから塵Ｐを除去することができる。さらに、基板Ｗの周縁部Ｅに被覆剤Ｃを塗布した後に、基板表面ＷfにフォトレジストＲを塗布するため、基板Ｗの周縁部Ｅでは、フォトレジストＲは被覆剤Ｃの上に塗布される。したがって、基板Ｗの周縁部Ｅから被覆剤Ｃを除去した際には、被覆剤Ｃの上に塗布されたフォトレジストＲも被覆剤Ｃとともに基板Ｗの周縁部Ｅから除去される。こうして、塵ＰおよびフォトレジストＲを基板Ｗの周縁部Ｅから同時に除去できる。 （もっと読む）

【課題】ラスタライズ処理中にＲＩＰ装置の記憶部の空き容量が不足することを防止する。
【解決手段】画像処理システム３の制御装置１は、画像データを複数のタスクに分割して複数のＲＩＰ装置２に割り当てる。画像処理システム３では、未割当タスクのラスタライズ処理が終了して処理済みデータが生成されたと仮定した場合に、当該未割当タスクの処理済みデータを格納するために使用されると予想されるＲＩＰ装置２の記憶部２１の使用量である予想未割当使用量、および、ＲＩＰ装置２の割当済みタスクのラスタライズ処理が全て終了した時点における記憶部２１の空き容量の予測値である予測空き容量が求められる。そして、予想未割当使用量が予測空き容量よりも小さい場合に未割当タスクがＲＩＰ装置２に割り当てられる。これにより、当該タスクのラスタライズ処理中に、ＲＩＰ装置２の記憶部２１の空き容量が不足することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】版胴に形成された凹部から印刷対象物上に転写された塗布液のプロファイルをコントロールできる技術を提供する。
【解決手段】グラビア印刷に用いられる版胴１を製造する製版装置２においては、まず、円周側面に被削層１２が形成された版胴材１０を準備する。続いて、被削層１２に回転する工具３１を当接させて被削層１２を切削あるいは研削して、被削層１２に、非平坦な底面１３２と底面１３２の周縁に連なる側壁１３１とを備える凹部１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ノズルディスペンス法で電極を作製する際に用いるのに適しており、高アスペクト比の線状活物質部を形成可能なノズルディスペンス用活物質インクを提供する。
【解決手段】活物質、バインダ、導電材及び分散媒を含み、１００ｓ^−１のせん断速度で４８．９Ｐａ・ｓ以下、０．０１ｓ^−１のせん断速度で４０６０Ｐａ・ｓ以上のせん断粘度を有すること、を特徴とするノズルディスペンス用活物質インク。 （もっと読む）

【課題】基板にフラッシュ光を照射して均一に加熱することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】冷却プレート７２に載置された支持リング７１によって半導体ウェハーＷの周縁部下面が支持される。半導体ウェハーＷは、レジスト膜１１が形成された表面を下面に向けて支持リング７１に支持される。支持リング７１は、炭化ケイ素などのフラッシュ光に対して不透明な材質にて形成される。支持リング７１に支持された半導体ウェハーＷの上面（裏面）にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光が照射される。フラッシュ光照射によって急激に昇温した裏面から表面に熱伝導が生じ、レジスト膜１１が加熱される
。また、支持リング７１によってフラッシュ光が半導体ウェハーＷの表面の周縁部に回り込むのを防止することができ、半導体ウェハーＷを均一に加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】 重量が大きく反りが大きい基板に対して塗布液を塗布する場合においても、装置コストを増大させることなく、短い処理時間で精度よく塗布液を塗布することが可能な塗布装置を提供する。
【解決手段】 基板は、基板搬送機構１４によりステージ１２上に搬送されて、その保持面３０に吸着保持される。そして、ステージ１２上に吸着保持された基板の表面に、スリットノズル４１における塗布液吐出用スリットを近接させた状態で、スリットノズル４１を基板に対して移動させることにより、基板の表面に塗布液を塗布する。しかる後、塗布液が塗布された基板は、基板搬送機構１５によりステージ上から搬出される。 （もっと読む）

【課題】容量維持率が低下させることなく単位面積当たりの容量（Ａｈ／ｃｍ^２）を向上させ得る電極の製造方法を提供する。
【解決手段】集電体及び前記集電体上に設けられた複数本の凸状の線状活物質部で形成された活物質層を有する電極の製造方法であって、（１）集電体の面上に幅Ｗ及び高さＨ_１〜ｎ（ｎは２以上の整数）を有する複数本の略平行な凸状の線状活物質部を間隔Ｓで形成して得た電極と、対極と、電解質層と、を積層した構造を有するテストセルｎ個を作製するテストセル作製工程と、（２）工程（１）で作製した前記テストセルｎ個の容量維持率を測定し、最も高い容量維持率を有するテストセルの線状活物質部の高さを最適高さＨｘと決定する最適高さ決定工程と、（３）集電体の面上に幅Ｗ及び高さＨｘを有する複数本の略平行な凸状の線状活物質部を形成して電極を作製する電極作製工程と、を有する電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】少ない薬液で、かつ短時間で基板上の膜を良好にエッチングする。
【解決手段】フェムト秒レーザービームＬＢを膜Ｆの加工対象部位に照射し、フェムト秒レーザービームＬＢが照射された表面領域に凹凸形状を有する加工部ＷＲを形成する。この基板Ｗ上のレーザー処理済膜Ｆの表面に薬液が供給されてエッチング処理が実行される。このとき、加工部ＷＲの表面は凹凸形状を有しているため、薬液の接液面積が増大し、その結果、レーザー加工処理が施されていない場合に比べ、エッチング処理に要する時間および薬液量を削減することができる。 （もっと読む）