説明

大日本スクリーン製造株式会社により出願された特許

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【課題】ステージの移動に伴って生じる振動に起因する処理精度の低下を適切に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】描画装置1は、基板Wを水平姿勢で保持するステージ10と、ステージ10に保持された基板Wに対して光を照射して基板Wにパターンを描画する光学ユニット40と、ステージ10を光学ユニット40に対して相対移動させるステージ駆動部20と、移動されるステージ10の位置の変動を計測して位置変動情報を取得する位置変動情報取得部301と、ステージ10が移動される際に生じる振動成分のうち振動数が既知である対象振動成分の位相情報を、位置変動情報から特定する位相情報特定部302と、対象振動成分の位相情報に基づいてステージ10の振動状況を予測する振動予測部303と、予測された振動状況に基づいて、光学ユニット40による光の照射位置を補正する描画位置補正部304とを備える。 (もっと読む)


【課題】ノズルディスペンス法で電極を作製する際に用いるのに適しており、高アスペクト比の線状活物質部を形成可能なノズルディスペンス用活物質インクを提供する。
【解決手段】活物質、バインダ、導電材及び分散媒を含み、100s−1のせん断速度で48.9Pa・s以下、0.01s−1のせん断速度で4060Pa・s以上のせん断粘度を有すること、を特徴とするノズルディスペンス用活物質インク。 (もっと読む)


【課題】基板にフラッシュ光を照射して均一に加熱することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】冷却プレート72に載置された支持リング71によって半導体ウェハーWの周縁部下面が支持される。半導体ウェハーWは、レジスト膜11が形成された表面を下面に向けて支持リング71に支持される。支持リング71は、炭化ケイ素などのフラッシュ光に対して不透明な材質にて形成される。支持リング71に支持された半導体ウェハーWの上面(裏面)にフラッシュランプFLからフラッシュ光が照射される。フラッシュ光照射によって急激に昇温した裏面から表面に熱伝導が生じ、レジスト膜11が加熱される
。また、支持リング71によってフラッシュ光が半導体ウェハーWの表面の周縁部に回り込むのを防止することができ、半導体ウェハーWを均一に加熱することができる。 (もっと読む)


【課題】 重量が大きく反りが大きい基板に対して塗布液を塗布する場合においても、装置コストを増大させることなく、短い処理時間で精度よく塗布液を塗布することが可能な塗布装置を提供する。
【解決手段】 基板は、基板搬送機構14によりステージ12上に搬送されて、その保持面30に吸着保持される。そして、ステージ12上に吸着保持された基板の表面に、スリットノズル41における塗布液吐出用スリットを近接させた状態で、スリットノズル41を基板に対して移動させることにより、基板の表面に塗布液を塗布する。しかる後、塗布液が塗布された基板は、基板搬送機構15によりステージ上から搬出される。 (もっと読む)


【課題】容量維持率が低下させることなく単位面積当たりの容量(Ah/cm)を向上させ得る電極の製造方法を提供する。
【解決手段】集電体及び前記集電体上に設けられた複数本の凸状の線状活物質部で形成された活物質層を有する電極の製造方法であって、(1)集電体の面上に幅W及び高さH1〜n(nは2以上の整数)を有する複数本の略平行な凸状の線状活物質部を間隔Sで形成して得た電極と、対極と、電解質層と、を積層した構造を有するテストセルn個を作製するテストセル作製工程と、(2)工程(1)で作製した前記テストセルn個の容量維持率を測定し、最も高い容量維持率を有するテストセルの線状活物質部の高さを最適高さHxと決定する最適高さ決定工程と、(3)集電体の面上に幅W及び高さHxを有する複数本の略平行な凸状の線状活物質部を形成して電極を作製する電極作製工程と、を有する電極の製造方法。 (もっと読む)


【課題】少ない薬液で、かつ短時間で基板上の膜を良好にエッチングする。
【解決手段】フェムト秒レーザービームLBを膜Fの加工対象部位に照射し、フェムト秒レーザービームLBが照射された表面領域に凹凸形状を有する加工部WRを形成する。この基板W上のレーザー処理済膜Fの表面に薬液が供給されてエッチング処理が実行される。このとき、加工部WRの表面は凹凸形状を有しているため、薬液の接液面積が増大し、その結果、レーザー加工処理が施されていない場合に比べ、エッチング処理に要する時間および薬液量を削減することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の側面に処理液が付着することを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置20は、基板Sを略水平に保持する基板保持部30と、基板Sに対して略平行な主走査方向に沿って延びる主走査機構ガイド部42に沿って移動しつつ基板Sに塗布液を吐出する吐出部50とを備える。一対の側壁部60a,60bが基板Sの存在域ERを挟むように設置されており、それらの上端は基板Sの主面Smよりも上方に位置している。吐出部50が基板Sの存在域ERの外方から基板Sの側面付近に近づいたときに吐出部50から吐出した塗布液は側壁部60a,60bで遮られ、基板Sの両側面Ss1,Ss2には付着しない。 (もっと読む)


【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置1のチャンバー6内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーWが搬入され、保持プレート7によって保持される。フィルタ機構2は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ20をチャンバー6のチャンバー窓61とフラッシュ照射部5のフラッシュランプFLとの間に挿入する。フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光がフィルタ20を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーWの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ステレオマッチング処理において互いに異なる部品91a〜91c間で対応付けが行われるといった誤対応の発生を抑制する。
【解決手段】認識対象部品91aを含む複数の部品91a〜91cを異なる視点から撮像した複数の撮像画像I1、I2それぞれから、認識対象部品91aが写る対象領域R1、R2が抽出される。複数の撮像画像I1、I2それぞれの対象領域R1、R2に対して、ステレオマッチング処理が実行される。つまり、ステレオマッチング処理を行う領域R1、R2を、撮像画像I1、I2のうちの認識対象部品91aを含む対象領域R1に限定する。そのため、対象領域R1から認識対象部品91a以外の部品91b、91cを外してステレオマッチング処理を実行することができ、その結果、ステレオマッチング処理において互いに異なる物体間で対応付けが行われるといった誤対応の発生を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される。そして、9秒間だけDIWの供給を継続した後に停止し、所定時間(0.5秒間)が経過してパドル状の液膜の膜厚t1がほぼ均一になるのを待って、IPAが基板表面Wfの表面中央部に向けて例えば100(mL/min)の流量で吐出される。このIPA供給によって、基板Wの表面中央部ではDIWがIPAに置換されて置換領域SRが形成される。さらにIPA供給から3秒が経過すると、基板Wの回転速度が10rpmから300rpmに加速される。これによって、置換領域SRが基板Wの径方向に拡大して基板表面Wfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 (もっと読む)


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