【課題】所定の酸化チタンを用いて、遮光下において、光触媒活性によらずに、血液または血漿中に存在するエンドトキシンを効率的に除去することができるエンドトキシン除去剤およびそれを用いたエンドトキシンの除去方法を提供する。
【解決手段】７００〜１３００℃で熱処理された平均気孔径０．０２５〜１μｍの酸化チタン焼結体からなるエンドトキシン除去剤を用いて、該エンドトキシンン除去剤に、遮光下で、エンドトキシンを接触させて、血液または血漿中のエンドトキシンを減少させる。 （もっと読む）

【課題】高品質の合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造装置を提供する。
【解決手段】本合成シリカガラス製造装置は、ターゲット、バーナ等を内装する炉体に連通しこの炉体の下方に設けられた排気室と、この排気室に連通して設けられた排気流路と、この排気流路に連通して設けられた排気装置と、排気室内の圧力及び大気圧を検知する圧力検知手段と、排気流路に設けられこの排気流路への外気の取入量を制御可能な外気取入機構を備え、圧力検知手段により検知した排気室内の圧力と大気圧との差圧により、外気取入機構の外気取入量を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化イットリウム、酸化スカンジウム結晶粒界へ析出し易いアルミニウムを用いずに、しかも珪素含有量を特に低減した特殊な原料を使用したり、或いは原料を微粉砕する等の必要もなく、汎用の原料を用いて厚さ１ｍｍ時の可視光帯域波長４００〜８００ｎｍにおける直線透過率が６０％以上となる透光性セラミックス焼結体を得ることを課題とする。
【解決手段】酸化イットリウムと酸化スカンジウムの固溶体を主成分とし、厚さ１ｍｍ時の可視光帯波長４００〜８００nｍにおける直線透過率が６０％以上であることを特徴とする透光性セラミックス焼結体。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン等の単結晶の製造において、１回のリチャージで供給できる固形状多結晶原料の総量を増やし、高い生産性を実現することが可能な単結晶製造装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１０１内面側に配置された輻射シールド１２５と、輻射シールド１２５内面側および上面側を覆う輻射シールドカバー３０１を有する単結晶製造装置１００において、リチャージ管２０１に充填された固形状多結晶原料１５５は、リチャージ管２０１下端外縁部とリチャージ管２０１下端に配置される底蓋２０３との隙間から、自重により輻射シールドカバー３０１上に落下し、輻射シールド３０１表面の傾斜を滑ることにより落下エネルギーが低下した状態で、結晶融液１０５を貯留する石英ルツボ１０１内に落下する。 （もっと読む）

【課題】ガラス管の内外面を乾燥するガラス管乾燥装置において、ガラス管が複雑な形状であっても短時間で乾燥することができ、作業効率を向上し、かかるコストを低減することのできるガラス管乾燥装置を提供する。
【解決手段】両端が開口したガラス管Ｇの内外面を乾燥するガラス管乾燥装置１００において、前記ガラス管Ｇを収容するチャンバ１と、前記チャンバ１内に収容されたガラス管外表面に対し温風を供給し、該ガラス管Ｇを所定温度に加熱する温風供給手段２、５、６と、前記温風供給手段２、５、６により所定温度に加熱されたガラス管Ｇの一端から該ガラス管内に空気を送出する空気供給手段３、４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの研磨に使用されるウェーハ研磨用プレートの表面を高清浄度かつ高効率的に洗浄する。
【解決手段】 ウェーハ研磨後のウェーハ研磨用プレートＰを洗浄槽１１内のプレート回転用ローラー１２により回転自在に保持し、高圧噴射用ポンプ２１により加圧した洗浄液をノズル１４で噴射洗浄液１５にして、溝部Ｍの形成されたウェーハ保持面１３に噴射させ、付着するワックスあるいは研磨剤固形物を除去する。同時に、プレート表面ブラシ洗浄機構２５によりウェーハ保持面１３を摺擦する。また、プレート側面ブラシ洗浄機構２７およびプレート裏面ブラシ洗浄機構２８を用いて各部位を摺擦し付着物を除去する。上記洗浄液は、洗浄液循環用ポンプ１７により洗浄液循環用タンク１９に還流され、洗浄液加熱用ヒータ２０により適温に加熱され循環供給される。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶製造装置１を用いた単結晶Ｃの製造方法において、前記ルツボ３内に原料ポリシリコンを溶融するステップと、前記ルツボ３内のシリコン溶融液Ｍに対し、少なくとも二つの異なる強度の磁場を順に所定時間印加し、その印加処理を所定回数繰り返すステップと、単結晶Ｃのネック部Ｐ１を形成し、前記ルツボ３から単結晶Ｃを引上げるステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、アルミニウム含有量を金属換算で５〜１００wt ppm、珪素含有量を金属換算で１０wt ppm以下としなくとも、波長５００ｎｍ〜６μｍにおける、特異吸収波長以外での、直線透過率が１mmで７０％以上とすることができる透光性酸化イットリウム焼結体を得ようとするものである。
【解決手段】酸化イットリウムを主成分として、ハフニウムを含有し、波長５００ｎｍ〜６μｍにおける、特異吸収波長以外での、直線透過率が厚さ１mmで７０％以上である透光性酸化イットリウム焼結体である。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液から発生するＳｉＯガスによるヒータ発熱部への悪影響を抑制し、ヒータの寿命向上、単結晶の高品質化を実現することのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方から不活性ガスＧを供給する第一のガス供給手段１３、１４、１７と、前記ヒータ４の下方から不活性ガスＧを供給する第二のガス供給手段１５、１６、１７と、前記ヒータ４の上方に設けられた排気口１８から不活性ガスＧを炉体２外に排気する排気手段１９とを備え、前記第一のガス供給手段１３、１４、１７により供給される不活性ガスＧは、前記ルツボ３の上方から該ルツボ内に導入されて前記ヒータ４上方の前記排気口１８から排気され、前記第二のガス供給手段１５、１６、１７により供給される不活性ガスＧは、前記ヒータ４と前記ルツボ３との間を上方に流れて前記ヒータ４上方の前記排気口１８から排気される。 （もっと読む）

【課題】使用する原料ガス量を低減させることができるとともに、被膜の厚さが均一で長寿命な非金属発熱体を製造できる非金属発熱体の製造方法を提供する。
【解決手段】本非金属発熱体の製造方法は、非金属発熱体１を用意し、この非金属発熱体１の両端から所定長さの両端部１ａに導電性物質を含浸させ、両端部１ａ以外の部位１ｂにＣＶＤ法により被膜を形成し、両端部１ａに接する被膜形成部位１ｂの一部の領域１ｃに導電性物質を含浸させて端子部１ｄを形成する。 （もっと読む）