【課題】レーザ光の波長を可変可能な光出力装置において、レーザ光の波長を目標とする波長にチューニングする際の確実化を図ること。
【解決手段】レーザアレイ（３３）内のレーザ素子のうちから選択されたレーザ素子ｘに電流を印加し、レーザ素子ｘの温度をレーザ素子ｘに関連する基準温度に調整し、温度調整によりレーザ素子ｘの温度が基準温度になった場合に、光フィルタ（４０）を透過する前後のレーザ光のパワーの比較結果に基づいてレーザ光の波長がレーザ素子ｘに対応する目標波長になるようレーザ素子ｘの温度を調整する光出力装置（３１）において、レーザ素子ｙが選択された場合、基準温度に向けての温度調整が行われていたときのレーザ素子ｘの温度とレーザ素子ｘに関連する基準温度とに基づいて補正された、レーザ素子ｙに関連する基準温度になるよう、レーザ素子ｙの温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる引張り歪井戸層を有する半導体発光素子、もしくは、ＩｎＧａＡｓＰ系からなる引張り歪井戸層及びＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる障壁層を有する半導体発光素子であって、幅広い温度範囲においても高性能かつ高信頼な半導体発光素子の提供。
【解決手段】半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受信信号や受信データを分岐せずに、ＤＱＰＳＫなどの光受信器の２つの光遅延検波器の干渉位相を互いに９０度異なる点に安定化する
【解決手段】光遅延検波器から出力される干渉光を受光する受光器の電流源端子に流れる低速の光電流を検出し、該光遅延検波器の干渉位相に対する該光電流の交流成分や直流成分の変化を利用して干渉位相を判定し、２つの光遅延検波器の干渉位相の差を９０度に制御する。 （もっと読む）

【課題】増倍率が低い状態においても、光吸収層内で発生した電子の、光吸収層と電界調整層の界面への蓄積が抑制され、素子破壊に至る光信号強度を増加させることが可能な光吸収層を有するアバランシェホトダイオード及びこれを用いた光受信モジュールの提供。
【解決手段】電気調整層のうち、積層方向の少なくとも一部における伝導帯端のエネルギー準位が、光吸収層における伝導帯端のエネルギー準位より高く、増倍層の伝導帯端のエネルギー準位より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。
【解決手段】活性層を含むメサストライプ部１８の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層１０を、メサストライプ部１８と同じ高さまでの第１の層と、第１の層の表面にメサストライプ部１８上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第２の層とで構成する。第２の層を成長させない溝２８の底面２６は平坦で幅広に形成される。コンタクト用電極３０は底面２６内に配置可能となり、その狭幅化により面積が縮小され、当該電極３０の寄生容量が低減される。また、第２の埋め込み層の膜厚を厚くすることにより、パッド電極３４とｎ型基板２との間の寄生容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】低周波信号の周波数管理が容易になる光送信器を提供すること。
【解決手段】光送信器は、マッハツェンダ型変調器からなる複数の光変調部と前記複数の光変調部から出力される光を合波する合波部とを含む光変調器と、前記各光変調部に対するランダム信号であって電位がランダムに変化するランダム信号を生成するランダム信号生成部と、前記ランダム信号に基づいて、前記各光変調部に対するランダム性を有する信号を該光変調部に対するバイアス電圧に重畳した電圧を該光変調部に向け出力するバイアス制御部と、前記合波部で合波された光の出力強度と前記各光変調部に対する前記ランダム信号とに基づいて、該光変調部の光出力強度を最大に近づける前記バイアス電圧を決定する復調部と、を含み、前記各光変調部に対するランダム信号は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】メサ型のフォトダイオードを有する光通信用素子等の半導体装置において、メサ上部への配線の寄生容量を低減し、応答特性の高速化を図る。
【解決手段】基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。基板１１上に配置された水平配線１９ａとフォトダイオードのアノードとなるｐ型高濃度層１２ｅとの層間を接続する配線１９ｄは当該壁面に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】電磁波の共振の発生を抑制し、良好な信号伝送特性を得る。
【解決手段】光伝送モジュール１は、レーザ素子２０を搭載し、レーザ素子２０と接続する線路を形成したレーザ素子搭載基板２２と、レーザ素子搭載基板２２を支持するステム２４と、レーザ素子２０を駆動させる駆動回路を備えた駆動回路素子１６と、駆動回路素子１６を支持するブロック１８と、レーザ素子搭載基板２２と駆動回路素子１６とを接続する導線３４と、を含み、ステム２４とブロック１８との配置間隔を、レーザ素子搭載基板２２と駆動回路素子１６との配置間隔よりも広くした。 （もっと読む）

【課題】放熱性を改善すると共に、実装後に生じる熱応力を低減し、各レーザ素子からのビームの特性を均一化が可能なマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】マルチビーム構造の半導体レーザ素子アレイをサブマウント上に実装した半導体レーザ装置で、マルチビーム構造の半導体レーザ素子アレイは、一枚の半導体基板１１と、半導体基板の一の面に形成された共通電極１と、半導体基板の他の面上に形成され、かつ、その内部に複数の発光部７を有する半導体層２と、複数の発光部のそれぞれの上方に形成された複数の第２導電型のアノード電極３と、発光部が形成領域の外側に設けられた支持部２５とを備えており、サブマウントの一方の面に、半導体レーザ素子アレイの電極３を、ハンダ４を介して接続し、当該ハンダ４は、支持部とそれに近接した電極３を覆うように形成され、更に、電極３には、隣接する支持部２５と発光部７との間に溝部９を形成した。 （もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送が可能な、アンクールドタイプの電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザの提供。
【解決手段】変調器部に位置する活性層の半導体材料及びメサ構造を最適化し、かつ、所定の温度におけるレーザ部の発振波長に対して、レーザ部の利得ピーク波長の適合値及び変調器部のフォトルミネッセンス波長の適合値の範囲を求め、それら適合値の範囲のいずれかの値になるよう設計してレーザ部及び変調器部を作製する。 （もっと読む）