【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】受光部を作製した後の作業において受光部が破壊されることを抑制される、表面入射型半導体受光素子、これを備える光受信モジュール及び光トランシーバの提供。
【解決手段】ＰＮ接合となる第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層を含む半導体多層構造を有するメサ型受光部と、前記メサ型受光部を含む保護領域の少なくとも一部を囲う、保護メサ部と、が半導体基板上に形成される表面入射型半導体受光素子であって、前記保護メサ部は、前記メサ型受光部の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のいずれにも電気的に接続されていない、非接続メサ部を含む、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２つの変調器集積レーザを集積したレーザアレイにおいて、変調器間で発生する高周波信号のクロストークを軽減する。
【解決手段】ワイヤ（２１）は、一端がＥＡ変調部（１０ａ）の電極（１６ａ）に接続され他端が高周波信号ライン（１７ａ）に接続され、ワイヤ（２２）は、一端がＥＡ変調部（１０ｂ）の電極（１６ｂ）に接続され他端が高周波信号ライン（１７ｂ）に接続されている。ここにおいて、ワイヤ（２１）とワイヤ（２２）とは、ワイヤ（２１）の上記一端の位置（Ｐ３）とワイヤ（２１）の上記他端の位置（Ｐ４）とを通る直線（Ｌ１）が、ワイヤ（２２）の上記一端の位置（Ｑ３）とワイヤ（２２）の上記他端の位置（Ｑ４）とを通る直線（Ｌ２）と交差するように、設置されている。 （もっと読む）

【課題】不揮発メモリへ書き込み中に電源等が断たれた場合であっても、より最新のデータ情報を利用可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】データ保存方法は、書込み要求されたデータと揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップ（Ｓ１１）と、データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、揮発性ユーザデータ領域の対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップ（Ｓ１２）と、パリティビットを生成し、変更の内容を第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップ（Ｓ１３，Ｓ１４）と、第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、揮発性ユーザデータ領域のデータを第２不揮発性ユーザデータ領域にデータ毎に複製保存する第１複製保存ステップ（Ｓ１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び信頼性を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ｎ型半導体層３、活性層２及びＰ型半導体層１と共に積層され、多層金属からなるＰ側電極層４と、前記積層の側面に形成され、光学的損傷を防ぐための端面保護膜１３と、を備え、前記端面保護膜１３は、前記Ｐ側電極層４の少なくとも１層を拡散質である金属薄膜として、拡散媒となりにくい物質からなる保護膜５と、前記拡散媒となる物質からなり、前記金属薄膜と接しないように前記保護膜５上に形成される拡散媒膜６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】小型かつ外部素子の削減が可能な光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１００は、平板状のステム部１０１と、ステム部１０１の表面から起立する形状のサブマウント部１０７と、を有し、サブマウント部１０７の側面に、非冷却型半導体レーザ１０９と、一端が前記非冷却型半導体レーザ１０９と接続される抵抗素子１１２と、一端が接地される容量素子１１３と、が直列接続されて構成される終端抵抗回路と、が設けられた基板を有する。 （もっと読む）

【課題】チャネル数が制限されることなく、省電力化が可能な光送信モジュールを提供する。
【解決手段】複数の波長の光信号を出力する光送信モジュール（１００）において、複数のレーザダイオード（Ｃｈ１〜Ｃｈ４）は、直列に接続される。第１の電流調整回路（１５０）は、複数のレーザダイオード（Ｃｈ１〜Ｃｈ４）のアノード側に接続される電源（１０）に直列に接続され、電源（１０）からの電流を調整する。第２の電流調整回路（１９５）は、複数のレーザダイオード（Ｃｈ１〜Ｃｈ４）の各々に並列に接続され、第１の電流調整回路（１５０）により調整された電流のうち複数のレーザダイオード（Ｃｈ１〜Ｃｈ４）の各々に流れる電流を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の高温・高出力特性を改善する。
【解決手段】ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。リッジ部５Ａの側壁底部における２層のパッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型変調器と半導体レーザを同一基板上に集積した半導体光素子用いて、同等の変調・伝送特性を維持できる、小型で高歩留・低コストな、波長可変光送信器を提供する。
【解決手段】一つの電界吸収型変調器集積レーザを搭載し、温度調整によって発振波長を可変にするＤＷＤＭ用波長可変レーザモジュールを使用する。温度調整範囲において、ほぼ同等の変調・伝送特性を有するようにレーザおよび変調器の駆動条件を決定する。このような電界吸収型変調器集積レーザを用い、駆動条件を内蔵することで、小型低コストな波長可変光送信器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】位相変調される第１の光信号と位相変調される第２の光信号との位相差が所期の位相差に調整されるまでの所要時間、が長くならないようにする。
【解決手段】バイアス設定回路（１０）は、変化量検出回路（２４）により検出される合成光信号のパワーの変化量が小さくなるように、変化量検出回路（２４）により検出される変化量に応じた量のバイアス電圧の増加、又は、変化量検出回路（２４）により検出される変化量に応じた量のバイアス電圧の減少、の選択的な実行を繰り返し行う。但し、バイアス設定回路（１０）は、検出器（１６）により検出される合成光信号のパワーが所定パワー以上である間、変化量検出回路（２４）により検出される変化量に応じた量のバイアス電圧の増加又は変化量検出回路（２４）により検出される変化量に応じた量のバイアス電圧の減少、の選択的な実行を繰り返し行う代わりに、バイアス電圧の増加の実行を繰り返し行う。 （もっと読む）