説明

日本オクラロ株式会社により出願された特許

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【課題】本発明は、光デバイスの膜の剥離を防止することを目的とする。
【解決手段】光デバイスは、基板101と、基板101の第1面120に形成された、発光部又は受光部122と、基板101の第1面120とは反対の第2面124に形成された、基板101の表面よりも光反射率が低い反射防止膜115と、を有する。第2面124には、発光部又は受光部122に対向する領域を囲む溝116が形成されている。反射防止膜115は、溝116に囲まれた領域、溝116の内部及び溝116の外側に連続的に密着して形成されている。 (もっと読む)


【課題】小型化しても容易に調芯を行うことができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール1は、第1の光素子16−1と、第1のレンズ18−1と、第2のレンズ18−2と、第2の光素子16−2と、平行平板20と、を備え、第1のレンズ18−1が、出射光が出射される位置から第1のレンズ18−1の焦点距離だけ離れた位置からずれた位置に配置されており、第2のレンズ18−2が、出射光が光結合されるべき位置から第2のレンズ18−2の焦点距離だけ離れた位置からずれた位置に配置されており、第1のレンズ18−1が配置されている位置の出射光が出射される位置から第1のレンズ18−1の焦点距離だけ離れた位置からのずれと、第2のレンズ18−2が配置されている位置の出射光が光結合されるべき位置から第2のレンズ18−2の焦点距離だけ離れた位置からのずれと、が対応している。 (もっと読む)


【課題】メサストライプ構造に含まれるZnとの相互拡散を抑制しつつ、安定的に形成される高抵抗な埋め込み層を備える半導体光素子、及び、その製造方法の提供。
【解決手段】メサストライプ構造の両側部に隣接して配置される、ルテニウムを含む1以上の不純物が添加される半導体を含む埋め込み層には、メサストライプ構造に接して形成されるルテニウムが添加される半導体層からなる第1埋め込み層と、ルテニウムと前記半導体の禁制帯のディープレベルに不純物準位を付与する他の金属が添加される半導体層からなる第2埋め込み層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】従来よりも容易に反射光を低減することができる半導体光素子及び半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子1は、結晶層により構成される光導波路部16を含む。光導波路部16には、先細の先端部16aが形成されている。光導波路部16の先端部16aに、結晶層の結晶面方位に沿った方向とは異なる方向に沿った、光が出射される端面16bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光アイソレータを小型化することができる光レセプタクルを提供することを目的とする。
【解決手段】光レセプタクルは、光ファイバ18を差し込むためのスリーブ16を保持するホルダ10と、光ファイバ18と光学的に接続されるように配置されて、光信号と電気信号の変換を行う光素子26と、スリーブ16内の光ファイバ18が保持される領域よりも光素子26に近い位置に固定された光アイソレータ30と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ジャンクションダウン方式でサブマウントに接合されるレーザダイオードにおいて、通電性および放熱性を損なわずに、素子の偏光角特性を安定させる。
【解決手段】バンク部31上に厚さ1.5μm以上のAuからなるバンク上パターン15を形成することにより、サブマウント21上のソルダ材20と、レーザチップ32のリッジ部12上部の通電層16の表面とを接触させずに離間させ、レーザチップ32とサブマウント21を接合させる際に接合部で発生する応力がリッジ部12にかかることを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】光ファイバ支持器具から光ファイバが外れるおそれを低減することができる光通信モジュール、光ファイバ支持器具及び光ファイバ配線方法を提供する。
【解決手段】光ファイバ支持器具2が筐体内に配置される光通信モジュールであって、光ファイバ支持器具2が、光ファイバ3を通す貫通孔20が形成された筒状の本体部21を備え、本体部21の周面部22に、貫通孔20に光ファイバ3を通す際に光ファイバ3が横切る隙間23が形成されており、本体部21の中心軸上の任意の点について、点の位置と、この点を通る中心軸に垂直な面における隙間23の位置と、の対応関係がこの任意の点とは異なる、中心軸上の他の点が存在する。 (もっと読む)


【課題】光変調器と半導体レーザにそれぞれ接続するワイヤ間の電気的クロストークを低減する。
【解決手段】入力される駆動電流に応じてレーザを発光する半導体レーザ部12と、入力される変調信号に応じて半導体レーザ部12により発光されるレーザを変調する光変調器部14と、半導体レーザ部12に駆動電流を伝達する第1のワイヤ30と、光変調器部14に変調信号を伝達する第2のワイヤ34と、を備え、第1のワイヤ30と第2のワイヤ34のそれぞれの接続端部の位置により規定される当該各ワイヤの向きが交差して形成される小さい方の角度を60度以上としたチップキャリア10。 (もっと読む)


【課題】光受信モジュールにおいて、組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る技術の提供。
【解決手段】光受信モジュールの基台部は、下段面と立ち上がり面と上段面とがこの順に連なる階段状の部分を有しており、光受信素子を配置するキャリアは、下面の幅よりも上面の幅が短くなっており、上面と前面に渡って配置される基準電圧用膜状配線及び信号電圧用配線が位置し、前記下段面と前記立ち上がり面に沿って配置され、前置増幅回路は、前記上段面に配置される。 (もっと読む)


【課題】正または負の単一電源の、変調器集積レーザを提供する。
【解決手段】n型半導体基板100上にMQW102、p型クラッド層104と多層された半導体レーザ部と、半導体基板100上にp型クラッド層104、MQW202、n型クラッド層105と多層されたEA変調器部とが、集積された構造とすることで、半導体レーザ部に正の電流を注入し、EA変調器に正の電圧を印加して動作するEA変調器集積レーザが得られる。 (もっと読む)


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