日本オクラロ株式会社により出願された特許

1 - 10 / 311


【課題】光伝送モジュールから生じる電磁妨害波の放射を十分に低減することを目的とする。
【解決手段】光伝送モジュールは、光電気デバイス18と、光電気デバイス18を収納するハウジング22と、ハウジング22に電気的に接続するようにハウジング22の外側に突出して設けられた電気的接続片24と、電磁波を電磁波以外のエネルギーに変換することで電磁波を吸収する電磁波吸収部材32と、を有し、電気的接続片24は、ハウジング22との取付部26よりもケージ10への挿し込み方向とは反対方向の位置に、ハウジング22から間隔をあけて浮いた状態のフローティング部28を有し、電磁波吸収部材32は、ハウジング22とフローティング部28との間に少なくとも一部が配置され、フローティング部28は、ハウジング22がケージ10に挿入されたときに、ケージ10の内側に電気的に接続するように接触する。 (もっと読む)


【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板1上に形成した少なくとも2種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器7と、反射器7の上に形成した下部クラッド層3と上部クラッド層4に挟持された光導波路2と、光導波路2の少なくとも一方の端面に基板1面に対して45°の角度をもって配置された反射鏡5と、反射鏡5に対向した位置の基板1の裏面に形成した反射防止膜6とを備える。 (もっと読む)


【課題】信頼性向上と、可飽和吸収特性発現の抑制とをともに実現する、InGaAlAs量子井戸層を活性層に含むリッジ導波路型半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】InGaAlAs量子井戸層を含む活性層と、エッチング停止層と、前記エッチング停止層の上側に配置される上部メサ部と、を備える半導体多層と、前記半導体多層の上表面に形成される絶縁膜と、前記半導体多層及び前記絶縁膜を覆うとともに前記上部メサ部の上面に接して形成される電極膜と、を備える、半導体レーザ素子であって、前記リッジ部の両側面それぞれは、前記電極膜が形成されずに露出している露出領域を有し、前記リッジ部の両側面それぞれの前記露出領域は、前記リッジ部の一方の端面から、前記電極膜が前記リッジ部上面を前記一方の端面へ延伸する先端より内側へ、及んでいる、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第1の下側クラッド層部と、コア層部と、第1の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第1の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第1の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第1のエッチストップ層と、を有し、前記第1の光導波路は、前記第1のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザ装置の高温特性を向上させる。
【解決手段】活性層3の上部には、光を活性層3に閉じ込めるための光ガイド層4が形成されており、光ガイド層4の上部には、MgやZnをドーパントとして含むp型クラッド層5が形成されている。光ガイド層4は、アンドープAlGaInPからなる第1光ガイド層4aと、SiドープAlGaInPからなるSiドープ層4bと、アンドープAlGaInPからなる第2光ガイド層4cとをこの順に積層した3層構造で構成されている。Siドープ層4bは、p型クラッド層5内のp型ドーパント(Mg、Zn)が活性層3に拡散するのを抑える拡散防止層であり、その膜厚は2nm〜20nm、Si濃度は2×1017cm−3〜1×1018cm−3である。 (もっと読む)


【課題】バイアス電圧に基づいて光信号の位相シフトを行う場合において、バイアス電圧にパイロット信号を付与しなくても、位相シフト量を所期の位相シフト量に調整できるようにする。
【解決手段】I用位相変調器(12)は、第1変調信号と第1パイロット信号とが付与されたバイアス電圧V1に基づいて位相変調し、Q用位相変調器(14)は、第1パイロット信号と異なる第2パイロット信号と第2変調信号とが付与されたバイアス電圧V2に基づいて位相変調する。時間平均パワー同期検波部(22)は、両パイロット信号の電圧の正負が同じとなるタイミングにおける光パワーと、両パイロット信号の電圧の正負が逆となるときの光パワーと、を検出する。バイアス電圧制御部(18)は、時間平均パワー同期検波部(22)の検出結果に基づいて、両光パワーの差が小さくなるように、バイアス電圧V3を制御する。 (もっと読む)


【課題】光遷移領域において伝搬損失が抑制される構造とすることにより、変換特性が向上されるスポットサイズ変換器、それを備える半導体光素子、及びそれらの製造方法の提供。
【解決手段】下部コア層と、前記下部コア層より屈折率が大きい上部コア層と、を含む複数層が積層される多層構造が、n型半導体基板上に形成され、前記多層構造は、光遷移領域において、光の出射方向に沿って前記上部コア層の幅が徐々に小さくなり、前記下部コア層の幅が徐々に大きくなっており、一方の端面より入射される光が、前記上部コア層を伝搬し、前記光遷移領域において光が前記上部コア層から前記下部コア層へ遷移し、さらに、前記下部コア層を伝搬して、他方の端面より出射する、スポットサイズ変換器であって、前記光遷移領域において、前記多層構造の両側と上側が、半絶縁性半導体層によって埋め込まれている、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】熱光学素子における温度分布を抑制し、光学収差の小さい光学位相調整素子、及びそれを用いた復調器の提供。
【解決手段】本発明に係る光学位相調整素子は、入力される光信号に対する屈折率が温度に依存して変化する熱光学素子と、前記熱光学素子の一端側に接するとともに前記熱光学素子が所望の温度となるよう温度変化する温度変化部と、前記温度変化部に対して前記熱光学素子と反対側に配置されるとともに前記温度変化部の温度とは異なる温度で熱平衡状態となる放熱部と、前記温度変化部と前記放熱部の間にそれぞれ接して配置されるとともに前記放熱部より大きい熱抵抗を有する温度緩衝部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】複数の受光素子部を備えるアレイ型受光装置に配置される複数の配線を介して生じるクロストークが軽減されるアレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバの提供。
【解決手段】本発明に係るアレイ型受光装置は、第1導電型電極と第2導電型電極とを備える受光素子部が複数備えられる受光素子アレイと、キャリアと、を備えるアレイ型受光装置であって、前記キャリアは、前記各受光素子部の前記第1導電型電極に接続される第1導電型配線と、該受光素子部の前記第2導電型電極に接続される第2導電型配線と、からそれぞれなる複数の配線対と、前記複数の配線対の一の配線対と該配線対の隣に位置する配線対との間を延伸する第1の接地電極と、前記背面の少なくとも一部に形成されるとともに前記第1の接地電極と電気的に接続される第2の接地電極と、を備える。 (もっと読む)


1 - 10 / 311