【課題】本発明は、オゾン水等の薬液で洗浄してもマスクのクロム表面の劣化を防止することができる不動態処理方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、アッシング装置内にクロム層を含むマスクを載置し、ガス種として水蒸気を使用して、酸化還元電位と水素イオン指数の関係を制御しながらプラズマ処理することで、クロム層の表面をＣｒ（ＯＨ）_３ に不動態化し、マスクをオゾン水で繰り返し洗浄してもクロム層のＣＤ損失を抑えることを特徴とするクロム層を含むマスクの不動態処理方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスクに紫外線を照射することにより、洗浄時におけるマスクパターンのクリティカルディメンジョンの損失を抑える方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、石英基板上に主としてＭｏＳｉ又はＭｏＳｉＯ又はＭｏＳｉＯＮ又はＭｏＳｉＮを含むＭｏＳｉ系のモリブデンシリサイド膜とクロム系の遮光膜でパターンを形成したハーフトーン型位相シフトマスクに対し、超クリーンな空気又は窒素と酸素を含む混合気体又は酸素を含む気体を供給しながら、波長が１２６〜２２２ｎｍの紫外線エキシマ光を照射して側表面を不動態化させることで、マスクを繰り返し洗浄してもパターンの寸法幅（クリティカルディメンジョン）の損失を抑えることを特徴とするマスクのクリティカルディメンジョン保持方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程において、高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより、レジスト膜に形成された硬いカーボン層を、容易に剥離することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板への高濃度かつ高エネルギーのイオン注入によりレジスト膜から水素が抜けて硬化したカーボン層に対し水蒸気雰囲気下の真空チャンバー内で発生させたプラズマを短時間照射するプラズマ処理工程と、前記カーボン層に水素が戻ったレジスト膜を常圧下において薬液で洗浄及び乾燥する薬液処理工程とからなることを特徴とするイオン注入によりカーボン層が形成されたレジストの除去方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ハーフトーン型位相シフトマスクの洗浄時の劣化を少なくすることができる表面保護膜作成方法及び表面保護膜作成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、密閉したチャンバー内に超クリーンな空気又は窒素と酸素を含む混合気体を導入しながら、石英基板上にＭｏＳｉＯ又はＭｏＳｉＯＮのモリブデンシリサイド膜とクロム系の遮光膜を塗布したハーフトーン型位相シフトマスクに対し、１２６ｎｍ紫外線から１７２ｎｍ紫外線エキシマ光を照射し、前記モリブデンシリサイド膜の表面に酸化保護膜を形成することで、マスクの洗浄１回あたりの位相差の変動を０．２°以下にすることを特徴とする表面保護膜作成方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程で高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより硬化したレジスト膜を容易に剥離することのできる高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板への高濃度かつ高エネルギーのイオン注入によりレジスト膜に形成された硬化層を常温真空圧下で発生させたプラズマを緩やかに照射してポッピングしないように剥離するプラズマ処理工程と、前記硬化層が除去され非硬化層が残っている状態で常圧下において薬液で洗浄した後に純水で前記薬液を洗い流す薬液処理工程とからなり、前記非硬化層の残留不純物が基板に固着するのを防止することを特徴とする高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、減圧した真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させ、水平に保持した基板のレジストを剥離するプラズマアッシャーにおいて、前記真空チャンバを傾けて基板に対してプラズマを斜めから照射することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の特定部位を効率的に洗浄することのできる基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させるヘリコンＲＦ部と、前記ヘリコンＲＦ部の下方に基板を載置してプラズマによりフォトレジストを剥離する基板設置部とからなるプラズマアッシャーにおいて、前記ヘリコンＲＦ部と基板設置部に間に押さえリングを固定し、前記押さえリングに矩形状スリットを空けたフォーカスプレートを載せることにより、前記基板設置部に載置したフォトマスクの表面及び端面を均一に洗浄することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト剥離後に、静電気で引き寄せられて再付着したゴミを洗浄するためのマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機と、前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら２２２ｎｍＵＶ光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機と、前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するＳＣ−１洗浄機と、前記ＳＣ−１洗浄機で洗浄した後、１７２ｎｍＵＶ光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するＵＶ洗浄機と、前記ＵＶ洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機と、前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機とからなることを特徴とするマスク洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスク端面のレジストを薬液のみで洗浄するフォトレジスト端面剥離・洗浄装置及び方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、コの字型に凹んだスリットにマスク端面のフォトレジストを除去する薬液が噴射されるノズルを設置したスリットノズルと、前記スリットノズル上方に設けたマスク端部に保護流体を噴射するシャワーノズルとからなることを特徴とするフォトレジスト端面剥離・洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）