【課題】
歪特性の劣化を抑止できる利得可変増幅器を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる利得可変増幅器は、入力信号を可変の利得により増幅する増幅回路１０と、利得制御信号に基づいて増幅回路１０の利得を制御する利得制御回路３０とを備える利得可変増幅器であって、増幅回路１０は、入力信号を増幅するトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１にカスコード接続されたトランジスタＱ５と、利得制御回路３０による利得制御に応じてトランジスタＱ５を制御し、トランジスタＱ５とトランジスタＱ１との接続点の電位を変化させるバイアス回路１２と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】
従来、送信電力増幅用パワーアンプのバイアス回路の制御電圧が上昇すると、パワーアンプの回路電流が増加するため、回路の発熱が大きくなり、パワーアンプが熱暴走する問題がある。
【解決手段】
本発明のバイアス回路は、制御電圧入力端子から電流制限抵抗を介して接地電位との間に接続される電圧安定部と、前記電流制限抵抗と電圧安定部の間のノードと抵抗を介しベースが接続されるバイアス供給用エミッタフォロワと、前記バイアス供給用エミッタフォロワのベースとエミッタの間に接続される前記電流制限部とを有している。これにより、バイアス回路の制御電圧が上昇した場合にバイアス電流を減少させる。よって、制御電圧の上昇による増幅用トランジスタの熱暴走を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 配線抵抗及び配線容量を低減するとともに、チップ面積を削減する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板３０は、シリコン基板３１の上にシリコン酸化膜３２が形成され、このシリコン酸化膜３２の上にＮ⁻型シリコン層３３が形成されて構成される。ドレイン領域３５は、シリコン層３３の表面からシリコン酸化膜３２まで到達して形成される。ドレイン電極４２は、ＳＯＩ基板３０の裏面に電気的接触して形成される。導電体プラグ４１は、ドレイン領域３５の表面からドレイン領域３５およびシリコン酸化膜３２を貫通してシリコン基板３１中に延在して、ドレイン領域３５およびシリコン基板３１に電気的接触して形成される。 （もっと読む）

【課題】 トレードオフの関係にある出力の安定性確保と遅延時間短縮とを両立することのできる光電流・電圧変換回路を提供する。
【解決手段】 フォトダイオード３の一端を、出力電圧を帰還抵抗５を介して入力端に帰還させた増幅器４の入力端に逆バイアス接続し、フォトダイオード３の光電流出力を電圧変換する回路において、
増幅器４の出力に負荷としてのダイオード接続のＮｃｈ型ＭＯＳトランジスタ８を接続し、ゲートがコンパレータ６の出力に接続されたスイッチとしてのＮｃｈ型ＭＯＳトランジスタ９により、増幅器４の出力立下がり時にコンパレータ６の出力がＬｏｗからｈｉｇｈに反転直後、ＭＯＳトランジスタ８を付加することで、増幅器４の出力のアンダーシュートを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 素子容量をほとんで増加させることなく、またドレイン・ソース間耐圧をほとんど低下させることなく、ＥＳＤ耐量を向上させる。
【解決手段】 ゲート電極３８のドレイン領域３５側端とドレイン領域３５との間のシリコン層３３の表面に、ゲート電極３８から離間し、かつ、ドレイン領域３５から離間して、ドレイン・ソース間耐圧に影響しない程度にシリコン層３３より高い不純物濃度の複数のＮ^＋型不純物領域４２が互いに離れて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高周波スイッチＳＷの前段に接続される素子の出力インピーダンスとの最適化を簡便に行え、高周波スイッチＳＷから発生する高調波を抑制できる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 高周波スイッチＳＷの送信波入力側端子Ｐｂは、直接第１端子Ｐ１に接続されると共に移相器ＰＳ２、ＰＳ３、ＰＳ４を介してそれぞれ第２端子Ｐ２、第３端子Ｐ３、第４端子Ｐ４に分岐され、
各端子Ｐ１〜Ｐ４での移相量が３６０度を等間隔に分割するように各移相器ＰＳ２〜ＰＳ４のインダクタンス及びキャパシタンスが好適に選定されている。
これにより高周波スイッチＳＷの送信波入力側に接続されるローパスフィルタＬＰＦ等のとの接続点の条件（インピーダンス）に良好な入力側端子を選択可能にしている。 （もっと読む）

【課題】 高速処理を妨げることなく増幅度を高く設定することが可能なアイソレータを提供する。
【解決手段】 アイソレータ１は、フォトダイオードＰＤ１（第１のフォトダイオード）、増幅器１０，２０、およびキャリア排出回路３０を備えている。フォトダイオードＰＤ１は、図示しないＬＥＤ（信号源）から入力された光信号を電気信号に変換し、その電気信号を増幅器１０に出力する入力素子である。増幅器１０は、２つのバイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２を含んで構成され、フォトダイオードＰＤ１から出力された電気信号を増幅する。増幅器２０の構成も増幅器１０と同様である。キャリア排出回路３０は、増幅器１０に含まれるバイポーラトランジスタＱ１のベースと増幅器２０に含まれるバイポーラトランジスタＱ４のベースとに接続されており、フォトダイオードＰＤ１のオン時にこれらのベースに蓄積されるキャリアを、フォトダイオードＰＤ１のオフ時に排出する。 （もっと読む）

【課題】 光特性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置１００においては、光半導体素子１１２の周囲に形成された隙間１１４に封止樹脂１１５が埋め込まれることで、光半導体素子１１２の上面以外に電極パッド１１７を形成する領域を形成している。また、電極１１６は、たとえば、リング状など、内部に空隙部を有する形状を有している。したがって、光半導体素子１１２から発せられる光のうち、外部に出力される光の量が増大し、光半導体装置１００の光出力効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】
高域フィルタあるいは低域フィルタ通過後のインピーダンス不整合を軽減し、高域フィルタ−低域フィルタ間での挿入損失の差や移相誤差を抑える、挿入損失の少ない移相器を提供する。
【解決手段】
入出力側にそれぞれ設けられて連動して動作する単極双投スイッチ１１ａ、１１ｂで低域フィルタ１３と高域フィルタ１２とを切り換える。入力端子ＩＮと単極双投スイッチ１１ａとの間に設けられるインピーダンス調整回路１０ａは、入力端子ＩＮと単極双投スイッチ１１ａの単極側接続点との間に接続されるキャパシタＣ１０と、入力端子ＩＮと接地間に接続されるインダクタＬ１０とからなる。また、出力端子ＯＵＴと単極双投スイッチ１１ｂとの間に設けられるインピーダンス調整回路１０ｂは、出力端子ＯＵＴと単極双投スイッチ１１ｂの単極側接続点との間に接続されるキャパシタＣ１４と、出力端子ＯＵＴと接地間に接続されるインダクタＬ１４とからなる。 （もっと読む）

【課題】
厚みの薄いモールド樹脂剥がれ等の欠陥を精度よく検出できる外観検査装置及びその検査方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる外観検査装置１００は、検査対象物（ワーク）１０中の擬似的な凹レンズの焦点付近にフォーカスを合わせて撮像を行って画像データを得るカメラ１Ａと、カメラ１Ａとワーク１０を結ぶ光軸に沿って照明光を測定対象物に照射する同軸照明３と、カメラ１Ａで得られた画像データから輝点を検出して欠陥の有無を判定する剥がれ検査部７とを有している。カメラ１Ａは、同軸照明３が照射した光がワーク１０に反射されて生じた拡散光を、ワーク１０内の欠陥による擬似的な凹レンズを介した虚像として撮像する。 （もっと読む）