【課題】コアの足部端面に形成されたバリを除去することなく製造することができるコイル装置を提供すること。
【解決手段】互いの両端面の夫々が所定のギャップを介して対向配置されることによって環状の閉磁路を構成する一対のコア部と、一対のコア部の外周側面に巻回されるコイルとを備えており、コア部は、少なくとも、コイルが巻回される外周側面の領域及び両端面が樹脂部材で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法を用いたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５の成長方法であって、種結晶２０をＧａ_２Ｏ_３系融液に接触させる工程と、種結晶２０を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５の幅が種結晶２０の幅の１１０％以下とする。 （もっと読む）

【課題】β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶２０の引き上げ方向に対するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第１ステップと、第１ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶２０の引き上げ速度を制御して、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶を成長させる第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を大きくしても順方向電圧の増大、オーミック電極層とのコンタクト抵抗の増大を抑制することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型の導電性を有するＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなるｎ型半導体層３と、ｎ型半導体層３に対しショットキー接触するショットキー電極層２とを備え、ｎ型半導体層３には、ショットキー電極層２にショットキー接触する電子キャリア濃度が比較的低いｎ⁻半導体層３１と、ｎ⁻半導体層３１よりも高い電子キャリア濃度を有するｎ^＋半導体層３２とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】コアの振動や磁歪に起因するうなり音の発生を抑えつつ、コアを効率的に放熱するのに好適なコイル装置用インサート成形コアの製造方法等を提供すること。
【解決手段】コアと熱伝導ブロックとを上下方向に重ねた状態でインサート成形型内に載置し、インサート成形型内で可動する第一の可動型により、コアの一側面を押して、コアの他側面を、インサート成形型内の側壁面に圧することで、インサート成形型内におけるコアの位置を決めるとともに、インサート成形型内で可動する第二の可動型により、コアの上面を押して、熱伝導ブロックの下面を、インサート成形型内の底面に圧することで、コアと熱伝導ブロックの互いの対向面を密着させ、インサート成形型内に溶融樹脂を注入し、注入された溶融樹脂を硬化させることにより、互いの対向面が密着状態にあるコア及び熱伝導ブロックを樹脂被覆したインサート成形コアを得る方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】金型内におけるコア材の位置決めが簡単で、複数のコア材及びスペーサをモールドした樹脂内に正確に配置することのできるリアクトル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ヨーク部側コア材２を、樹脂３内部にモールドすることにより、左右の脚部とそれを繋ぐヨーク部から成る分割コア１１，１２を形成する。分割コアの左右の脚部は、ヨーク部側コア材の端面の外周から伸びる筒形のコア装着部４１，４２が一体に形成する。左右の脚部に形成した筒形のコア装着部内に、Ｉ字形の脚部側コア材５１〜５３とスペーサ６を装着する。樹脂３内部にモールドしたヨーク部側コア材の端面と脚部側コア材の端面を、スペーサ６を挟んで配置する。２つの分割コア１１，１２をその脚部を突き合わせて一体化して環状のモールドコア１を形成し、このモールドコア１にコイル１００を巻回する。 （もっと読む）

【課題】光学素子への入射光や光学素子からの出射光等が、光学素子と基板との接続部にて反射や拡散するのを抑制して、光学素子への光情報の誤入力、光学素子からの光情報の誤出力が発生するのを防止できる導電性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（A）硬化性樹脂、（B）金属系の導電性フィラー、（C）黒色着色剤を含有する導電性樹脂組成物であって、前記導電性樹脂組成物中での前記（B）金属系の導電性フィラーと前記（C）黒色着色剤の配合割合の合計が６０質量％以上９０質量％以下であり、前記（C）黒色着色剤の質量／前記（B）金属系の導電性フィラーの質量が０．０１以上０．１５以下である導電性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】電子部品を収納ケースに格納する際、接着剤等を使用せず、電子部品を収納ケースに固定することで、部品点数や製造工程を削減し、コストの削減を図った電子部品ユニットを提供する。
【解決手段】中央に貫通孔が形成され、トロイダルコア３を収容し、第１及び第２の導線が巻き回されているコイルボビン４を有する電子部品と、上部が開口しており、前記電子部品を上部より収納する収納ケース２とを備えた電子部品ユニットであって、収納ケース２の底面略中央部にコイルボビン４を掛止する掛止部が設けられており、コイルボビンに設けた被掛止部に掛止することにより電子部品を収納ケース２に固定する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い硬質樹脂を使用する場合であっても放熱性が良好なトランスを提供すること。
【解決手段】一次コイルと、夫々がインサート成形による絶縁被覆によってボビンの機能が付加された、打ち抜き加工品であるバスバーを有する二次コイルであって、一次コイルを挟んで組み付けられた一対の二次コイルと、一次コイルと一対の二次コイルとを電磁結合するコアと、からトランスを構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、酸素を不純物として含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含む結晶積層構造体１を提供する。窒化物半導体層４のＧａ_２Ｏ_３基板２側の２００ｎｍ以上の厚さの領域４ａの酸素濃度は、１．０×１０^１８／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）