【課題】自動ワーク取扱システムにおけるワーク用のカセットを位置合わせするための方法及び装置を得ることを目的とする。
【解決手段】この方法では、ワーク取扱システムにおいて、輪セットハンドラをロボットブレードに位置合わせする。カセットハンドラは、ワークを担持するための複数のスロットを有するワークカセットを支持するための支持面を有する。この方法は、フレームを前記カセットハンドラ支持面に配置するステップと、ロボットブレードによって担持されるワークを移動するステップと、フレームに対するロボットフレームによって担持されるワークの動作をマッピングするステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリアパフォーマンスを具備する誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】前駆物質を処理チャンバへ流すことと、前記前駆物質が、有機ケイ素化合物と炭化水素化合物の混合物を備えており、かつ、前記炭化水素化合物が、エチレン、プロピン、または、これらの組合わせを備え、前記半導体基板上に炭素−炭素結合を有する炭化ケイ素ベースの誘電バリア膜を形成するために、前記処理チャンバ内において前記前駆物質の低密度プラズマを生成することと、前記前駆物質中の前記炭素−炭素結合の少なくとも一部が、前記低密度プラズマ内に生き残り、かつ、前記誘電バリア膜内に存在し、制御された量の窒素を導入することにより、前記誘電バリア膜から炭素−炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ）、および／または、炭素−炭素三重結合（Ｃ≡Ｃ）を除去することと、を備える方法。 （もっと読む）

【課題】研磨装置において二枚以上の基板を監視する方法を提供する。
【解決手段】研磨装置において二枚以上の基板を監視する方法が、第１の方向に第１基板を移動させ、監視システムの隣りに配置されたバッファステーション内に当該第１基板を移動させるステップと、第１の方向に直角な第２の方向に前記第１基板を移動させて、第１基板に対して監視プロセスを行うステップと、第２基板を取り出してバッファステーション内に移動させるステップと、第１基板を前記バッファステーションから取り出すステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スループットを増加させ、信頼性を増加させたマルチチャンバ処理システム（例えばクラスタツール）を使用して基板を処理する機器および方法を提供する。
【解決手段】クラスタツール１０内で処理される基板は繰り返し可能性が高く、システムフットプリントが小さい。クラスタツールの一実施形態では、基板をまとめてグループ化して移送することで、基板を２枚以上のグループ毎に処理してシステムスループットを増加することにより、また、処理チャンバの間で基板のバッチを移送する際の動作数を低減することで、ロボットの疲労を低減し、システムの信頼性を増加させることにより所有権のコストが低減される。実施形態はまた、システムの停止時間を低減し、基板移送処理の信頼性を増加させるために使用される方法および機器を提供する。 （もっと読む）

【課題】急速加熱処理における温度分布は、ウエハのパターニングに依存し変化する。急速加熱処理（ＲＴＰ）の均一性は大幅に高める方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１２や他の基板を熱的に処理する装置６０及び方法（例えば、急速加熱処理）放射ランプ２６の列２４は、ウエハを加熱する為にウエハの裏側に放射を向ける。ウエハの表側は、パターン化された集積回路１６が形成されるが、放射反射器２８に面する。ランプがウエハの上方にあるとき、エッジリングは、ウエハをそのエッジ排除ゾーンで支持する。あるいは、リアクタは、上方に向けられたランプ２６と、反射器２８を上方に含み、ウエハの表側に面する。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）