【課題】Q値を下げることなく温度変化による共振周波数の変動を抑制する。
【解決手段】蓋体８で閉鎖される筐体１の底面に、基部から蓋体８に対向する先頭部に向かって直径が漸減し且つ先頭部は丸みを持つ共振体３を設ける。電波を入力コネクタ４から結合板５を介して共振体３に送り、共振体３で励振した電波を結合板７、出力コネクタ６から出力する。筐体１、蓋体８の線膨張係数を共振体３の線膨張係数より大きくする。共振体３の表皮電流が基部から頂部まで一様になるのでQ値の低下はなくなる。先頭部の丸みにより、温度変化によって蓋体８と共振体３頂部の間隙が狭くなっても先頭容量が大きくならないので温度変化による共振周波数の変動を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】高温状態において半導体試験装置の信号入出力部材に損傷が生じないようにする。
【解決手段】試験装置は、上向きに断面コの字形の試験装置本体１、本体装置１と金属製パイプ１８を介して別体に構成される信号入力装置２を有する。試験装置本体１はその各立上り壁上に両方の壁を跨ぐ押しピン保持部材６を備え、保持部材６には押しピン７，９が設けられる。試験装置本体１の底部には、被試験半導体装置１４への信号の入力を可能にするため導体線路１６が設けられた絶縁基板１５が設置される。信号入力装置２は同軸ケーブル用コネクタ２ａを備え、その中心導体２ｂは導体線路１６上に延びる。被試験半導体装置１４の信号入力部も導体線路１６上に延びる。押しピン７，９をスプリング８，１０の伸張力で下方に押し下げその押圧力で導体線路１６上に延びた中心導体２ｂ、入力端子１４ｂとの接続を構成する。出力側も同じ構成を有する。 （もっと読む）

【課題】通過損失を少なくし直線的な位相変化量の範囲を広くする。
【解決手段】接地導体基板１の上面側に固定誘電体基板２が配設され、基板２上に半月状の導体線路であって、一端が入出力端となり他端が開放となる線路６，７が形成される。接地導体基板１の、導体線路６，７と対向する領域に、所定幅と深さの溝６ａ，７ａが構成される。接地導体基板３の下面側に回転誘電体基板４上が配設され、基板４上の半月状の導体線路１１，１２は、一端が開放、他端が接続される。導体線路６，７と１１，１２は電磁的に結合する。回転軸１０により回転誘電体基板４が回動すると、導体線路６，７，１１，１２の実効長が変化するので高周波信号の位相が変化する。このとき、導体線路６，７は溝６ａ，７ａによりサスペンドされるので、導体線路６，７の幅を広くすることが可能となり通過損失を少なくし直線的な位相変化量を改善できる。他の導体線路８，９に相当する個所も同様の構成とする。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の減衰装置等においてインピーダンス不整合、挿入損失等を少なくする。
【解決手段】高周波信号減衰装置１００の入出力側端部で、コプレナー線路２の一部を構成する信号線２Ｓは、中心部分が延長され中心線路２ＳＡを構成する。中心線路２ＳＡの両外側に側線路２ＳＢ、２ＳＣを形成しコプレナー構造とする。入出力側端部からそれぞれ延長される中心線路２ＳＡ間に、抵抗減衰器４を形成する。信号線２Ｓと側線路２ＳＢ、２ＳＣとを接断するMEMSスイッチ(以下、ＭＳ)１０，３０及び、側線路２ＳＢ，２ＳＣとグランド線２ｇ１、２ｇ２を接断するＭＳ２０を設ける。ユーザーの指示により、制御部(不図示)は、ＭＳ１０の接触部Ｓ１，Ｓ１、ＭＳ３０の接触部Ｓ３，Ｓ３をオフ、且つＭＳ２０の接触部Ｓ２，Ｓ２をオンとして高周波信号を抵抗減衰器４を通過させ、又は接触部Ｓ１，Ｓ１、接触部Ｓ３，Ｓ３をオン、且つ接触部Ｓ２，Ｓ２をオフとしスルーさせる。コプレナー線路構造によりインピーダンス不整合等が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】ＴＭ二重モードの共振周波数を独立して調整可能にし結合度を容易に調整できるようにする。
【解決手段】八角形の厚板形状体の誘電体共振器１を、両面に開口が形成される四角形の空洞形状体のキャビティ２内に、その各面に誘電体共振器１の１つの面が接触する形態で設置する。誘電体共振器１を４等分した１つの部分に孔４を設ける。キャビティ２の二つの開口のうち一方の開口は、電波の入力端子５及び結合ループ６を、他方の開口は、電波の出力端子７及び結合ループ８を備えた蓋体２ａ及び２ｂで封止しＴＭ二重モードを励振させる。誘電体共振器１のキャビティ２と接触する４箇所の部分に、厚板方向に溝３を形成し、これらの溝３に挿抜可能なようにキャビティ２に周波数調整ねじｃ１、ｃ２を、またキャビティ２の角部に誘電体共振器１の中心方向に誘電体共振器１を避けて挿抜可能な結合度調整ねじｅを設ける。これらにより各モードの共振周波数及びモードの結合度を調整する。 （もっと読む）